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PMNT陶瓷材料的压电介电性能研究

孙大志 , , 罗豪甦 , 瞿翠凤 , 金绮华 , 姚春华 , 林盛卫 , 殷之文

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.030

本文研究了准同型相界处铌镁酸铅-钛酸铅(PMNT)陶瓷材料的介电压电性能,合适的组份和烧结,可使PMNT陶瓷材料具有较好的压电性能,d33达540pC/N,kt达0.50以上. 观察了不同烧结工艺下陶瓷材料的微观结构,烧结时间过长不仅使晶粒尺寸变大,亦可造成晶粒快速生长. 对化学组成和微观结构与压电性能之间的关系进行了讨论.

关键词: PMNT , 压电 , 介电 , 微观形貌

低温快速烧结软磁铁氧体材料

王依琳 , 吴文骏 , 毛文东 ,

无机材料学报

研究了Bi2O3-V2O5系复合添加剂对Ni-Cu-Zn铁氧体的烧结及其磁性能的影响.研究表明,Bi2O3-V2O5系复合添加剂具有促进晶粒生长的作用,随着添加量的增加,样品断面形貌显示大晶粒增多,X射线衍射分析表明,过多的添加剂引起少量的杂相析出,晶界变宽。然而,适当量的Bi2O3-V2O5系复合添加剂能使普通Ni-Cu-Zn铁氧体的烧结温度降至875℃以下,烧结时间缩短为30min,烧结样品的磁导率可达195(10MHz)。

关键词: 低温烧结 , soft ferrite , sintering aids

Ba(Mg1/3Ta2/3(1+x))O3陶瓷烧结性、微观结构及微波介电性能

卞建江 , , 姚尧 , 殷之文

无机材料学报

本文就BMT陶瓷B位Ta非化学计量比对其烧结性、微观结构及微波分电性能的影响进行了研究.发现:(1)位Ta过量可促进BMT的烧结,而Ta缺量则阻碍其烧结.(2)B位离子有序度不仅同缺陷的数量有关,而且还同其缺陷类型有关.B位Ta缺陷的存在阻碍其有序度的提高.(3)BMT样品的Q·f值随Ta过量的增加而降低.相对介电常数则随之增加.

关键词: 位非化学计量比 , null , null , null

低温烧结PZT压电陶瓷研究进展

傅剑 , 李承恩 , , 姚烈 , 周家光 , 陈建和

材料导报

介绍了国内外在PZT压电陶瓷材料低温烧结方面的研究进展.并对降低PZT压电陶瓷材料烧结温度的各种方法进行了评逑.

关键词: 低愠烧结 , PZT , 压电陶瓷材料 , 烧结助剂 , 热压烧结 , 颗粒度

合成工艺对BiNbO4微波介质陶瓷的影响

姚尧 , , 吴文骏 , 王依琳

无机材料学报

本文研究了BiNbO4粉料合成温度及烧结助剂CuO-V2O5添加程序对BiNbO4陶瓷烧结特性及微波介电性能的影响.结果表明:合成温度为850℃/2h及合成后加入烧结助剂CuO-V2O5的BiNbO4陶瓷有高的密度值、较为均匀的晶粒尺寸及良好的介电性能:在100MHz,εr=49~52,在3GHz,εr=44,Q=2000~2300,τr=38ppm(-40~25℃);τr=±6ppm(25~85℃).

关键词: BiNbO4 , synthesizing process , microwave dielectric properties

固相法合成单相Ba2Ti9O20粉体

姚尧 , , 吴文骏 , 王依琳

无机材料学报

本文以BaTiO3和TiO2为原材料,采用传统制备工艺,混合后粉料于不同合成温度(800~1150℃)和保温时间(1/60~64h)进行固相合成反应·基于XRD相分析结果,得出合成温度为1000~1150℃、保温时间为4~32h时,反应产物均为单相Ba2Ti9O20粉体.并得出:组成元素Ba和Ti分布均匀性是影响Ba2Ti9O20生成的一个重要工艺因素.

关键词: 固相反应 , null , null

低温快速烧结软磁铁氧体材料

王依琳 , 吴文骏 , 毛文东 ,

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.015

研究了Bi2O3-V2O5系复合添加剂对Ni-Cu-Zn铁氧体的烧结及其磁性能的影响.研究表明,Bi2O3-V2O5系复合添加剂具有促进晶粒生长的作用,随着添加量的增加,样品断面形貌显示大晶粒增多.X射线衍射分析表明,过多的添加剂引起少量的杂相析出,晶界变宽.然而,适当量的Bi2O3-V2O5系复合添加剂能使普通Ni-Cu-Zn铁氧体的烧结温度降至875℃以下,烧结时间缩短为30min.烧结样品的磁导率可达195(10MHz).

关键词: 低温烧结 , 软磁铁氧体 , 烧结助剂

低温烧结(Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷的晶相组成与微波介电性能

王依琳 , , 吴文骏 , 李蔚

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.03.016

讨论了低温烧结(Zr0.8Sn0.2)TiO4微波介质陶瓷的晶相组成与制备工艺、掺杂离子的关系,结果表明:粉体的合成温度对烧结体的晶相构成有很大的影响,进而影响材料的谐振频率温度系数τf,稍高的合成温度有利于提高α-PbO型ZST相的稳定性,使谐振频率温度系数τf由107 ppm/℃降至20.88 ppm/℃.采用Nb5+离子掺杂能更有效地抑制烧结过程中游离氧化物相的析出,当Nb5+达到0.15mol%时,920℃烧结样品的介电常数为25,谐振频率温度系数τf为-2.44 ppm/℃,品质因数Q·f达4868GHz(5GHz).

关键词: 低温烧结 , 晶相组成 , 微波介质

Ba(Mg1/3Ta2/3)O3合成过程及烧结性的研究

卞建江 , , 殿之文

无机材料学报

利用DTA/TGA、XRD、SEM等分析手段,研究了不同起始原料制备的BMT合成过程及其烧结行为,发现以Ta2O5·xH2O为起始原料,可减少合成过程中产生的中间相,在较低的温度下合成单相BMT,改善了其烧结性.

关键词: 合成过程 , null , null

添加V2O5对Ba(Mg1/3Ta2/3)O3烧结及微波介电性能的影响

卞建江 , , 殷之文

无机材料学报

本工作就添加V2O5对Ba(Mg1/3Ta2/3)O3烧结性及微波介电性能的影响进行了研究和讨论.实验结果发现,添加少量V2O5能明显改善BMT陶瓷的烧结性,当V2O5的添加量为0.1mol%时,烧结体密度可达理论密度的98%同时较纯BMT陶瓷烧结温度降低150℃左右.此时样品仍具有较高的微波介电性能:Q·f=62450GHz;εγ=25.

关键词: BMT , addition , V2O5 , sinterability

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