崔溢
,
赵继承
,
杨明
,
蔡良元
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2009.03.012
为满足耐高温(150℃)宽频带(18~40 GHz)的需要,选用石英纤维织物、聚砜改性环氧树脂和Nomex蜂窝芯为主要原料研制机载雷达罩,其单程平均功率透过系数≥87%,单程最小功率透过系数≥76%,力学性能满足飞行安全要求.
关键词:
石英纤维织物
,
聚砜改性环氧
,
耐高温
,
宽频
,
机载雷达罩
彭淑静
,
王建中
,
杜慧玲
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.04.008
在脉冲电磁场(PEMF)作用下,以氯化钴为母液、草酸铵为沉淀剂,采用草酸盐沉淀法制备了草酸钴粉体.利用扫描电子显微镜(SEM)对反应物及产物的形貌进行了表征,研究了反应产物与反应物之间的形貌继承性,并初步探索了草酸钴制备中的形貌继承机制.结果表明,在草酸盐沉淀法制备草酸钴的过程中,沉淀剂(父相)草酸根所承载的遗传信息在产物的显性性状中表现相对较弱,产物更多地继承了其母液(母相)氯化钴的形貌特征.脉冲电磁场作用造成的反应物形貌的改变,可以通过反应将此信息传递给产物,并使母相的形貌遗传作用加倍凸显出来.
关键词:
草酸钴
,
沉淀法
,
形貌继承性
,
脉冲电磁场
李志超
,
陈银莉
,
左茂方
,
米振莉
材料热处理学报
利用EBSD技术对CGO硅钢热轧、中间退火、脱碳退火及二次再结晶退火组织及织构进行分析,研究了CGO硅钢各阶段加工制备过程中高斯{110} <001>晶粒的形状、尺寸及分布特点,分析了高斯取向晶粒在各工序过程中的遗传继承性特点.结果表明,CGO硅钢热轧板的次表层存在Goss取向晶粒,历经一次冷轧及中间退火后Goss取向晶粒基本消失,一次再结晶之后Goss织构仍不是主要织构,主要织构为{111} <110>和{111} <112>,说明Goss取向晶粒在二次再结晶退火前数量及尺寸上并不占优势,二次再结晶过程中Goss取向晶粒异常长大形成锋锐Goss织构.{111} <110>和{111} <112>织构组分的强度在一次冷轧中不断增加,{111} <112>织构组分的强度在二次冷轧后达到最大而{111} <110>织构组分是在初次再结晶后变强.
关键词:
CGO硅钢
,
EBSD
,
织构遗传
,
单个取向分析
孙强
,
李志超
,
米振莉
,
党宁
材料热处理学报
选取工业生产1.3% Si无取向硅钢连铸坯柱状晶区域铸锭,垂直于柱状晶的生长方向(〈100〉方向)进行热轧,利用金相及EBSD技术研究其热轧过程中柱状晶被破碎后的组织及微观织构,同时研究了其在后续冷轧和退火阶段的织构演变规律,为实际生产中的织构控制提供了参考.实验结果表明:经垂直于柱状晶生长方向热轧后,热轧板不同层次的主要织构类型和含量存在差异;热轧板次表层主要为铜型{110} 〈112〉织构和高斯{110} 〈001〉织构,高斯织构含量较高是〈100〉生长方向的柱状晶造成的;表面至心部1/2层主要为γ纤维织构和旋转立方{100} 〈110〉织构,立方{100} 〈001〉织构和高斯织构{110}〈001〉织构也较多;中心层织构主要为较强的旋转立方{100} 〈110〉织构和γ纤维织构;冷轧织构与热轧织构间有继承性,冷轧板织构主要为较强的旋转立方{100} 〈110〉织构γ织构,与热轧板心层织构分布相同,上述两类织构的含量都比热轧板中的高.退火织构中{111} 〈121〉织构占优势;立方{100} 〈001〉织构和{111} 〈110〉织构含量较高.
关键词:
无取向硅钢
,
微观取向
,
EBSD
,
织构继承性
宋蕾
,
沈明钢
,
杨利坡
,
刘军
,
王军生
,
陈雪波
钢铁
doi:10.13228/j.boyuan.issn0449-749x.20150083
基于高次勒让德正交多项式和调控功效函数,提出了降维功效调控模型及两级调控模型.首先,利用连续可导的高次曲线准确描述局部板形信息,同时降低影响系数矩阵的维数和功效函数的计算量,利用传统板形调控手段(倾辊、弯辊、横移)同步消除典型板形缺陷;然后,利用精细分段冷却实施剩余板形偏差的二级调控,改善局部浪形缺陷,提高成批钢卷的生产稳定性和板形质量.实例表明,当阶数为带钢覆盖检测通道数量的一半以上时,拟合曲线已包含所有的局部板形信息;对于相对较典型的板形问题(50 I左右),一级调控后剩余板形偏差在15 I以内,二级调控后剩余板形偏差在8I以内,综合调控效果比较理想.
关键词:
冷轧宽带钢
,
高次勒让德多项式
,
降维调控功效
,
两级继承调控
,
板形闭环控制