刘海萍
,
毕四富
,
常健
,
邹宇奇
,
李宁
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.02.021
为获得银镀层性能较好的铜表面无氰置换镀银工艺,以硝酸银为主盐,溴化钠为Ag<'+>配位剂,乙二胺和α,α-联吡啶为铜离子配住剂,通过单因素试验,研究了镀液各组成的用量及其PH值和温度对镀银层厚度和外观质量的影响,确定了最优工艺参数.采用该优化工艺在铜表面镀银10 min,可获得光亮的银白色镀银层,镀层厚度达0.1 μm以上,可满足PCB表面的终饰要求.
关键词:
无氰
,
置换镀银
,
铜
徐延冰
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2004.01.002
将具有负宇称的 fp 空间扩大到包含1g9/2 轨道, 采用修正的表面相互作用(MSDI), 对64Ge, 66Ge, 68Ge, 70Se, 72Se, 74Se, 76Kr 和 78Kr等偶偶核作了形变Hartree-Fock计算, 得到了基态和一些激发态的解. 同时, 还用近似角动量投影形变Hartree-Fock(PDHF)方法对偶偶核64Ge, 74Se和奇A核79Kr进行了能谱计算, 得到其正、负宇称带的解, 计算结果与实验谱基本一致.
关键词:
形变Hartree-Fock态
,
角动量投影
,
单粒子能谱
,
反常宇称态
钱以斌
,
任中洲
,
倪冬冬
原子核物理评论
对Pb附近Z=78-82奇A核同质异能态IT衰变(或称为同质异能跃迁包括γ跃迁和内转换)的实验数据进行了系统的分析,发现了奇A核同质异能态IT衰变半衰期的一个简单的规律:同位素链上角动量和宇称相同的同质异能态,半衰期的对数随质量数之间符合二次曲线关系.这说明了IT衰变的半衰期和质量数A之间有着一个指数关系.对这一段同质异能态衰变中跃迁多极性的分析可让人们对有关物理性质有更清楚的认识.对发现的简单规律也给出了可能的物理解释.
关键词:
奇A核
,
IT衰变半衰期
,
简单规律
王华磊
,
宋立涛
,
赵维娟
,
刘忠侠
,
张玉虎
,
周小红
,
郭应祥
,
雷祥国
,
柳敏良
,
郑勇
,
温淑贤
,
竺礼华
,
吴晓光
,
许甫荣
原子核物理评论
通过重离子熔合蒸发反应142Nd(32S,1p3nγ)170Re布居了缺中子双奇核170Re的高自旋激发态,识别出了该核的一条转动带并建议了其组态为πh1/2 vi13/2.基于对同中子素能级系统性、旋称反转系统性、带内B(M1)/B(E2)、准粒子Routhians、动力学转动惯量和Total Routhian Surface(TRS)等带结构特征的详细分析和讨论,进一步确认了对A=170核区目前最缺中子双奇核高自旋转动带组态、宇称和自旋值的指定.
关键词:
转动带
,
双奇核
,
在束γ谱学
程长征
,
程香
,
牛忠荣
,
周焕林
复合材料学报
利用一种数值方法分析压电材料切口尖端包括奇异应力场和奇异电位移场在内的双重奇异性.基于切口尖端的位移场按幂级数渐近展开假设,从应力平衡方程和Maxwell方程出发,推导出关于压电材料切口奇性指数的特征方程组,同时将切口的力学和电学边界条件转化为奇性指数和特征函数的组合表达,从而将压电材料双重奇性分析问题转化为在相应边界条件下微分方程组的特征值求解问题,采用插值矩阵法,可以一次性地计算出压电材料切口的各阶奇性指数.裂纹作为切口的特例,其尖端的电弹性奇性指数亦可以根据本法求出.
关键词:
压电材料
,
切口
,
裂纹
,
奇性指数
,
渐近展开
周厚兵
,
周小红
,
张玉虎
,
郑勇
,
李广顺
,
M.Oshima
,
Y.Toh
,
M.Koizumi
,
A.Osa
,
Y.Hatsukawa
原子核物理评论
应用E-GOS(E-Gamma Over Spin)曲线方法研究了A≈110质量区奇A核结构随角动量增加的演化,发现随着角动量的增加原子核的激发特性从振动逐渐演化为转动.
关键词:
E-GOS曲线
,
相变
,
形状演化
李国强
,
谷智
,
介万奇
功能材料
采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为 30mm×130mm的Ccd0.9Zn0.1Te晶锭.测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率.结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法.
关键词:
Cd0.9Zn0.1Te
,
Cd补偿垂直布里奇曼法
,
EPD
,
红外透过率
,
电阻率
