王霖
,
田林海
,
尉国栋
,
高凤梅
,
郑金桔
,
杨为佑
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01009
石墨烯具有优异的物理和电学性能, 已成为物理和半导体电子研究领域的国际前沿和热点之一. 本文简单介绍了石墨烯的物理及电学特性, 详细评述了在众多制备方法中最有希望实现石墨烯大面积、高质量的外延生长技术, 系统论述了不同SiC和金属衬底外延生长石墨烯的研究进展, 并简要概述了石墨烯在场效应晶体管、发光二极管、超级电容器及锂离子电池等光电器件方面的最新研究进展. 外延生长法已经初步实现了从纳米、微米、厘米量级石墨烯的成功制备, 同时可实现其厚度从单层、双层到少数层的调控, 有望成为高质量、与传统电子工艺兼容、低成本、大面积的石墨烯宏量制备技术, 为其器件应用奠定基础.
关键词:
石墨烯
,
epitaxial growth
,
devices
,
progress
,
review
王霖
,
田林海
,
尉国栋
,
高凤梅
,
郑金桔
,
杨为佑
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01009
石墨烯具有优异的物理和电学性能,已成为物理和半导体电子研究领域的国际前沿和热点之一.本文简单介绍了石墨烯的物理及电学特性,详细评述了在众多制备方法中最有希望实现石墨烯大面积、高质量的外延生长技术,系统论述了不同SiC和金属衬底外延生长石墨烯的研究进展,并简要概述了石墨烯在场效应晶体管、发光二极管、超级电容器及锂离子电池等光电器件方面的最新研究进展.外延生长法已经初步实现了从纳米、微米、厘米量级石墨烯的成功制备,同时可实现其厚度从单层、双层到少数层的调控,有望成为高质量、与传统电子工艺兼容、低成本、大面积的石墨烯宏量制备技术,为其器件应用奠定基础.
关键词:
石墨烯
,
外延生长
,
器件
,
进展
,
综述
郑金桔
,
曹盛
,
高凤梅
,
尉国栋
,
贾龙
,
杨为佑
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12184
采用生长掺杂方式制备出了Cu掺杂ZnSe高效量子点,探索了不同Zn、Se前驱体配比对ZnSe晶核以及ZnSe:Cu量子点质量的影响,并研究了Cu离子掺杂过程中的光谱特征.研究表明,进一步通过在表面掺杂的ZnSe:Cu量子点上同质包覆ZnSe壳层,能够实现其发光效率和稳定性的有效提高;采用配体交换能够实现ZnSe:Cu量子点由油溶性到水溶性的转变.这种新型的掺杂量子点有望替代传统含Cd量子点应用于环境友好型固体发光器件和生物标记.
关键词:
ZnSe
,
量子点
,
生长掺杂
,
光学特性
韩霞
腐蚀学报(英文)
针对郑408块注气井(郑408-试1)油、套管的腐蚀特点,通过对火烧驱油注气井油、套管腐蚀产物、腐蚀介质、凝析水量的分析研究,确定火烧驱油注气井油、套管的腐蚀原因一方面是由于高压氧气以及空气中的凝析水造成的,另一方面与油、套管材质的耐蚀性不够有关.通过材质以及防腐涂层的筛选等手段,在目前油管和套管内外防腐涂层、不锈钢油管和套管在国内尚无工程实例的情况下,总结出郑408块注气井防腐措施,包括:油、套管材质采用相对耐蚀的P110;注气采用干燥洁净的空气.
关键词:
火烧驱油
,
注气井
,
腐蚀原因
,
防腐对策
董彩常
,
孙金香
,
张波
,
黄桂桥
腐蚀与防护
对郑家坡铁矿设施和设备的腐蚀情况以及影响腐蚀的大气、水和土壤等环境因素进行了分析,得出井下设施和设备腐蚀严重的主要原因为:使用材料耐蚀性低、环境/介质腐蚀性强和防腐蚀措施不力等。
关键词:
铁矿
,
井下设备
,
腐蚀
,
分析
材料研究学报
金属材抖zr对DZ38LC合金凝固行为和持久性能的影响~................……、............……~.·..·..········……~…李英敖唐亚俊张静华张济山朱耀霄胡壮麒(l)金属材料低温疲劳性能的预测方法·······‘···‘····,···1·····,,·············……,’···················..-……吕宝桐郑修麟(8)N嘛BZ,5111三维金属玻璃的热稳定性···············?...
关键词: