阚斌
冶金分析
doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2003.03.015
研究了钒与3,5-Br2-PADAP及H2O2的显色反应、共存组分对测定钒的影响,探讨了钒的氧化机理,将正交试验法应用于显色条件的选择.在磷酸介质中,V(V)-3,5-Br2-PADAP-H2O2三元络合物的组成比为金属:试剂:H2O2=1:1:1,λmax=600nm,表观摩尔吸光系数5.7×104,在25mL溶液中0～25μg钒符合比尔定律.方法用于钢中钒的相分析,测定结果令人满意.
关键词:
钒
,
相分析
,
3,5-Br2-PADAP
,
钢
阚斌
冶金分析
doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2002.02.023
用国际标准草案[1](DIS)与现行国家标准(GB)方法相对照,对硼的测定条件进行试验、验证.采用盐酸-硝酸溶解试样,在290℃以硫酸-磷酸分解硼化物,在乙酸缓冲溶液中,硼与姜黄素生成有色络合物,ε543＝1.2×105,用本方法测定的硼量与全硼标准值基本相等,方法的准确度及重复性较好,对DIS与GB的差别进行了探讨,提出了改进意见.
关键词:
硼
,
分光光度法
,
姜黄素
鲁云华
,
赵洪斌
,
迟海军
,
董岩
,
肖国勇
,
胡知之
绝缘材料
以1,4-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯(6FAPB)为含氟二胺单体,均苯四甲酸二酐(PMDA)和1,2,3,4-环丁烷四酸二酐(CBDA)为二酐单体,经低温溶液缩聚反应得到聚酰胺酸,再经热酰亚胺化处理制备出含氟共聚聚酰亚胺(CPI)薄膜.采用红外(IR)、紫外(UV-Vis)、溶解性测试等对CPI进行结构与性能表征,考察两种二酐单体的不同物质的量之比对共聚聚酰亚胺光学性能和溶解性的影响.结果表明:随着脂环二酐CBDA摩尔配比的增加,CPI薄膜在410 nm处的光透过率逐渐增加,薄膜颜色逐渐变浅,溶解性有所改善.
关键词:
聚酰亚胺
,
共缩聚
,
含氟
,
结构与性能
魏星
,
乔忠良
,
薄报学
,
陈静
,
张苗
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.002
研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阚值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%.
关键词:
湿法刻蚀
,
脉冲阳极氧化
,
斜率效率
张跃
,
王燕斌
,
褚武扬
,
肖纪美
中国腐蚀与防护学报
ＴｉＡｌ金属间化合物在水溶液和甲醇溶液中的应力腐蚀张跃，王燕斌，褚武扬，肖纪美（北京科技大学）Ｔｉ３Ａｌ基金属间化合物已用于制作新一代宇航飞机的发动机和受力件［１］，而ＴｉＡｌ则是下一代发动机的候选材料［２］．由于构件在装配、储运过程中有可能和水及有机溶剂接触，因此需研究它们在水和有机溶剂中产生应力腐蚀的可能性．但到目前为止，还未见这方面的报导．本文则报导Ｔｉ３Ａｌ，Ｔｉ３Ａｌ＋Ｎｂ和ＴｉＡ?...
关键词:
曾云
,
李晓磊
,
张燕
,
张国樑
,
王太宏
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.018
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阚值电压的特性曲线.通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求.
关键词:
短沟道
,
绝缘衬底上硅
,
双极MOS场效应晶体管
,
阈值电压
