陈小波
,
姜锋
,
向周丹
,
王炜
,
陈蒙
,
蒋龙
机械工程材料
采用光学显微镜、场发射扫描电镜及其附带的能谱仪研究了高强高导Cu-0.8Cr-0.2Zr合金的铸态显微组织以及合金中形成的铬锆相.结果表明:合金铸态显微组织为粗大的柱状晶;铬主要以未溶相、初生相、次生相存在于合金中,未溶相以块状存在于晶内,粗大的初生相以颗粒链状形式分布在晶界上,次生相以小颗粒弥散均匀分布于基体内部;锆主要以共晶的α+Cu5Zr形式呈长条状分布于晶界上和以次生相的形式弥散均匀分布于基体内部;合金中还存在少量层片状的铜铬锆三元共晶组织.
关键词:
铜-铬-锆合金
,
高强高导
,
显微组织
张力元
,
段良飞
,
杨雯
,
杨培志
,
邓双
,
涂晔
,
陈小波
人工晶体学报
为探讨其晶化过程及动力学机理,本文采用磁控溅射技术制备Al/Si薄膜,并利用快速光热退火制备微晶硅.通过采用不同的衬底温度及对铝膜进行退火处理,探究其晶化动力学过程.利用拉曼散射光谱(Raman)仪和X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行性能表征.结果表明:退火及衬底加热均能在界面形成非共融的硅铝化合物;延长退火时间能使Al/Si界面充分扩散,达到成核条件.较大的铝晶粒及其择优取向,能有效改善铝诱导晶化效果.
关键词:
非晶硅薄膜
,
磁控溅射
,
铝诱导
,
动力学
姜锋
,
陈小波
,
陈蒙
,
蒋龙
,
向周丹
,
王炜
材料导报
Cu-Cr-Zr系合金是目前高强高导电铜合金研究的热点,其优异的性能与其纳米析出相密切相关.综述了不同合金体系纳米析出相的晶体结构,总结了合金中各合金元素的作用机理和微量稀土元素的作用,指出了当前研究中存在的问题,并展望了其今后的发展.
关键词:
高强高导
,
Cu-Cr-Zr系合金
,
作用机理
,
纳米析出相
彭柳军
,
杨雯
,
陈小波
,
自兴发
,
杨培志
,
宋肇宁
人工晶体学报
采用磁控共溅射沉积法,以氧化锌和硫化锌为靶材,在不同衬底温度下制备了Zn(O,S)薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、霍尔测试仪和拉曼光谱测试仪对Zn(O,S)薄膜进行了结构和光电特性研究.结果表明:Zn(O,S)薄膜具有六方纤锌矿结构,属于二模混晶;在可见-近红外波段的吸收率小于5％;其为N型半导体,电学特性随衬底温度的变化而变化;衬底温度为200℃时制备的厚度为167 nm的Zn(O,S)薄膜的载流子浓度达到8.82×1019 cm-3,迁移率为19.3 cm2/V·s,表面呈金字塔结构.
关键词:
Zn(O,S)薄膜
,
磁控共溅射
,
衬底温度
,
光电性能
陈小波
,
杨雯
,
段良飞
,
张力元
,
杨培志
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140123
采用磁控共溅射结合快速光热退火技术在单晶硅和石英衬底上制备了含硅量子点的周期性梯度富硅SiNx薄膜(梯度薄膜)和单层富硅SiNx薄膜(单层薄膜).采用Raman光谱、掠入射X射线衍射(GIXRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱和光致发光(PL)光谱分析了薄膜的结构特性、键合特性和发光特性.Raman光谱、GIXRD和TEM结果表明,梯度薄膜和单层薄膜中的硅量子点晶化率分别为41.7％和39.2％;梯度薄膜的硅量子点密度是单层薄膜的5.4倍.FTIR光谱结果显示两种薄膜均为富硅氮化硅薄膜,梯度薄膜的硅含量小于单层薄膜.PL光谱结果表明梯度薄膜中的辐射复合缺陷少于单层薄膜.
关键词:
Si量子点
,
氮化硅薄膜
,
快速光热退火
,
光致发光
袁俊宝
,
杨雯
,
陈小波
,
杨培志
,
宋肇宁
人工晶体学报
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统,以乙硅烷和氢气为气源,石英玻璃和单晶硅片为衬底制备了氢化非晶硅(a-Si∶ H)薄膜.采用扫描电子显微镜、X-射线衍射仪、台阶仪、紫外可见分光光度计、傅里叶变换红外光谱仪和电子能谱仪等分别表征了a-Si∶H薄膜的表面形貌、结晶特性、沉积速率,光学带隙,键合结构和Si化合态等特性.结果表明:随着衬底温度的增加,a-Si∶H薄膜表面的颗粒尺寸减小,均匀性增加,沉积速率则逐渐降低;衬底温度从80℃增加到130℃时,光学带隙显著增加,而在130℃至230℃范围内,光学带隙基本不随衬底温度变化;以SiH键对应的伸缩振动的相对峰强度逐渐增加,而以SiH2或(SiH2)n键对应的伸缩振动的相对强度逐渐减小;a-Si∶H薄膜中Si0+态的相对含量增加.因此,衬底温度大于130℃有利于制备优质a-Si∶H薄膜,230℃是沉积a-Si∶H薄膜的最佳衬底温度.
关键词:
PECVD
,
衬底温度
,
沉积速率
,
光学带隙
,
键合方式
,
化合态
赵飞
,
杨雯
,
陈小波
,
袁俊宝
,
杨培志
人工晶体学报
采用磁控共溅射沉积法,以Si靶和SiC靶为靶材,单晶Si(100)和石英为衬底,在不同衬底温度下沉积了富硅SiCx薄膜.在氮气氛下于1100 ℃退火,得到包含硅量子点的SiCx薄膜.采用傅立叶变换红外吸收光谱、拉曼光谱、掠入射X射线衍射和吸收谱对退火后的SiCx薄膜进行了表征.结果表明:当衬底温度从室温(25℃)升至300℃时,薄膜的晶化率增至71.3％,硅量子点尺寸增至8.9 nm,而光学带隙则减至2.42 eV;随着衬底温度进一步升高,薄膜的晶化率降至63.1％,硅量子点尺寸减小至7.3 nm,而光学带隙却增加至2.57 eV;当衬底温度从室温(25℃)升至400℃时,薄膜的吸收系数呈先增大后减小趋势.在本实验条件下,最佳衬底温度为300℃.
关键词:
衬底温度
,
硅量子点
,
SiCx薄膜
,
磁控溅射
陈蕴谷
,
苏本跃
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.06.002
针对传统脊线提取算法不能同时兼顾速度和精度的问题,提出了一种新的基于“图像”分割的小波脊线提取算法.对渐近性信号进行连续小波变换以后,模值较大的小波系数往往集中在时间-尺度平面上几个分散的区域,将小波系数模值矩阵看作一个“图像”,对其分割,再对分割得到的每个区域确定其极值位置可得到小波脊线.仿真实验表明:算法不仅较传统脊线算法在精度和效率都有所提高,在信号去噪和信号分离中也表现良好.
关键词:
图像与信息处理
,
图像分割
,
脊提取
,
信号去噪
,
信号分离
任刚
,
杜建明
,
余海军
,
范洪义
连铸
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.05.008
通过量子力学变换理论,结合有序算符内的积分技术,用于信号分析的小波变换可推广到增光子相干态的非经典量子特性研究中.结果表明,增光子相干态的小波变换谱除具有一般小波变换的特性外,而且随着增光子数的逐渐增大,其对称性被破坏,不断有新的波峰出现.
关键词:
量子光学
,
小波变换
,
增光子相干态
,
有序算符内积分技术
