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铁铝柱撑二硫化钼的合成与表征

采用取代反应获得了具有Keggin结构的聚合羟基铁铝离子,并通过单分子层技术将聚合羟基离子嵌入到二硫化钼的层间,制得了层间距1.394至1.513nm的柱撑二硫化钼复合材料.研究表明,随着Fe/Al比的增加,层间距逐渐下降,颗粒度逐渐增大,比表面积逐渐降低.催化实验表明,柱撑材料将S^2-催化氧化为S₂O₃^2-,其催化活性是2H-MoS₂的4～5倍, 且光催化活性大于催化活性.这与材料比表面积增加所导致催化活性部位的增多,以及光致电子-空穴对的产生有关.

关键词: 二硫化钼 , hydroxy-Fe-Al , sulfide , catalytic oxidation

光纤用GeCl4的质量进展

王铁艳 , 韩国华 , 樊宇红 , 李贺成

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.02.012

评述了国内外光纤用GeCl4的质量水平.光纤用GeCl4不仅要求金属杂质含量少,而且要求氢杂质 (OH、CH、HCl) 总量也要少.用红外吸收法同时测定了两种进口产品和一种国产产品的含氢杂质总质量分数,进口产品为3.23×10-3%和4.5×10-3%,国内产品为2.11×10-3%.

关键词: 光纤 , GeCl4 , 质量

基于不同压电材料作动机制的压电层厚度研究

韩国华 , 靳晓雄 , Joris Degrieck , Wim Van Paepegem , 侯艳芳

材料导报

研究了压电材料复合板的3种作动机制,弯曲作动机制、剪切作动机制、混合作动机制,针对粘贴在纤维板上不同厚度的压电作动层,具体分析了复合板的端部位移,研究结果对噪声和振动的主动控制中的模态控制和智能结构静态形状控制提供了一定的参考.

关键词: 作动机制 , 主动控制 , 压电作动 , 端部位移

国内外光纤用SiCl4研究进展

孙福星 , 王铁艳 , 袁琴 , 韩国华 , 耿宝利

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.04.025

SiCl4作为生产光纤预制棒的基础原料, 其质量好坏直接影响光纤传输的质量, 必须最大限度脱除引起光纤吸收损耗的杂质.综述了光纤用SiCl4的质量标准, 并应用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)技术对国内外光纤用高纯SiCl4样品进行了对比.测试结果表明, 本工艺产品含氢杂质含量明显降低, 同时金属离子含量也达到相关技术要求, 达到光纤级别, 为建立工业化光纤用高纯SiCl4生产线提供了理论基础和技术参数.

关键词: SiCl4 , 光纤 , 提纯 , 工艺

铁铝柱撑二硫化钼的合成与表征

裴小科 , 林碧洲 , 张进飞 , 韩国华 , 李真

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.06.009

采用取代反应获得了具有Keggin结构的聚合羟基铁铝离子,并通过单分子层技术将聚合羟基离子嵌入到二硫化钼的层间,制得了层间距1.394至1.513nm的柱撑二硫化钼复合材料.研究表明,随着Fe/Al比的增加,层间距逐渐下降,颗粒度逐渐增大,比表面积逐渐降低.催化实验表明,柱撑材料将S2-催化氧化为S2O32-,其催化活性是2H-MoS2的4～5倍,且光催化活性大于催化活性.这与材料比表面积增加所导致催化活性部位的增多,以及光致电子-空穴对的产生有关.

关键词: 二硫化钼 , 羟基铁铝 , 硫化物 , 催化氧化

韩国浦项制铁公司TWIP钢的研发进展

齐殿威 , 周舒野

上海金属 doi:10.3969/j.issn.1001-7208.2009.05.002

根据韩国浦项制铁公司2007～2008年在世界知识产权组织(WIPO)申请公开的孪晶诱发塑性钢(TWIP钢)典型专利技术,概述了浦项新开发的汽车用内、外面板、加强部件、抗撞击吸收部件以及其他结构用途的TWIP钢研发动态,特别是详细介绍了浦项制铁公司试验生产高强度、高塑性以及具有优良涂镀性和加工性等特征的TWIP热轧板、冷轧板及镀层板的试生产情况.

关键词: 孪晶诱发塑性钢 , 研发动态 , 生产工艺 , 专利技术