朱圆金枝
,
钱斌
,
须静怡
,
孔凡军
,
孙蕾
,
韩志达
,
张平
,
杨刚
,
江学范
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅱ).025
利用高温固相反应法制备了新型三元锂离子电池正极材料 Li2 Ru1/3 Co1/3 M1/3 O3(M=Mn、Ni、Fe)。通过 X 射线衍射技术和电化学性能测试对Li2 Ru1/3 Co1/3 M1/3 O3的微观结构及其电化学性能进行了表征。研究结果表明,Li2 Ru1/3 Co1/3 Ni1/3 O3和Li2 Ru1/3 Co1/3 Fe1/3 O3为六方层状结构,空间群为 R-3M,而 Li2 Ru1/3 Co1/3 Mn1/3 O3保持了单斜结构;电化学性能测试表明 Li2 Ru1/3 Co1/3 Mn1/3 O3的电化学性能优于掺杂Fe和Ni 的三元材料,该材料具有良好的循环性能,在电流密度为16 mA/g 情况下,首次充电容量达到190 mAh/g,首次放电容量为171 mAh/g,50次循环后容量保持率为98%。
关键词:
锂电池
,
Li2Ru1/3Co1/3M1/3O3正极材料
,
结构
,
电化学性能
王宇斌
,
何廷树
,
袁致涛
,
韩跃新
硅酸盐通报
对半水硫酸钙晶须在不同水化温度下的水化过程进行了研究.通过XRD、SEM等对晶须水化产物进行了表征,结果表明:半水硫酸钙晶须水化过程随着静置水化温度的升高而延迟,静置水化温度大于100℃时,晶须不水化.晶须长径比减小的趋势随水化温度的升高逐渐减弱.静置水化温度为80℃时,半水硫酸钙晶须的长径比在水化30 min后可保持为30左右.
关键词:
半水硫酸钙
,
晶须
,
水化
,
温度
李胜杰
,
刘国军
,
陈华
,
贾素秋
功能材料
以废弃的稻草为原料,在1300~1400℃的氩气保护条件下制备SiC晶须.研究反应温度、反应时间、催化剂对SiC晶须制备的影响和反应机理.结果表明,SiC晶须在1350℃时生长最好;SiC晶须温度控制在1350℃左右为宜,采用先高温成核再低温保温的加热方式,反应时间控制在2h;碳化硅晶须主要以β型为主,同时含有少量α型SiC晶须.晶须以竹节状居多,晶须直径为10~200nm之间,长径比>10.用Fe粉和H3 BO3作催化剂所生成的晶须较多,但其长径比较小.反应机理主要是VLS机理,以废弃稻草为原料制备SiC晶须为稻草应用提供了一种新的途径.
关键词:
稻草
,
制备
,
SiC晶须
,
VLS机理
李明
,
刘萌
,
杨雨佳
,
杨元意
,
郭小阳
硅酸盐通报
随着油气勘探向深部地层和低渗透油气藏的延伸,对固井水泥浆性能尤其是水泥环的力学性能提出了更高的要求.针对目前固井用纤维所存在的问题,研究了碳酸钙晶须这一无机矿物纤维对固井水泥浆性能的改善作用.实验包括:①晶须水泥浆的流变性和失水量等常规工程性能;②晶须水泥石的1d、3d、7d、14d和28 d抗压强度、抗折强度和劈裂抗拉强度,使用6265型机械性能测试仪,在不破坏水泥试样的情况下测试了水泥石的抗压强度和杨氏模量发展;③使用5265型静胶凝强度测试仪,测试了水泥浆的静胶凝强度发展,以评价其防气窜性能;④晶须水泥石的孔径和渗透率测试;⑤用扫描电镜对水泥石微观形貌进行观察,探讨了增强机理.结果表明:①晶须水泥浆工程性能良好;②碳酸钙晶须显著改善水泥石的力学性能,晶须加量为10%时,水泥石28 d抗压强度、抗折强度和劈裂抗拉强度提高33.34%、45%和39.28%;③碳酸钙晶须水泥杨氏模量发展稳定,静胶凝强度发展迅速,防气窜性能良好;④晶须加量为10%时,孔隙度较空白试样降低23.4%,渗透率下降14.3%;⑤增强机理在于碳酸钙晶须的桥联、控制微裂纹产生和扩展及纤维拔出耗能作用,减缓裂纹的产生和延展.
关键词:
固井
,
水泥浆
,
碳酸钙晶须
,
增强
,
力学性能
郝虎
,
李广东
,
史耀武
,
夏志东
,
雷永平
,
郭福
,
李晓延
材料科学与工艺
本文研究了稀土相表面Sn晶须的生长行为.研究结果表明,如果将稀土相暴露于空气中,在稀土相的表面会出现Sn晶须的快速生长现象,且Sn晶须在其快速生长过程中会表现出一些特殊的形态特征,如片状Sn晶须的形成、Sn晶须的多次连续转折现象、Sn晶须的变截面生长现象、Sn晶须的分枝与合并以及Sn晶须的搭接现象等.
关键词:
SnAgCu合金
,
稀土
,
Sn晶须
,
形貌特征
王先锋
,
贺岩峰
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.06.010
无铅封装工艺是IC制造商为了顺应电子产品无铅化趋势而发展起来的,但存在晶须生成的潜在威胁.因此,锡须的抑制方法成为研究的关键.对电子集成电路封装行业中常见的9种抑制锡须的方法--避免局部镀纯锡,选择亚光或低应力镀锡,选择适宜的镀层厚度,选择适宜的阻挡层,纯锡镀层表面回流处理,退火处理,避免在纯锡镀层表面进行压负载操作,采用有机涂层或其它金属涂层,采用适宜的电镀添加剂等进行了总结,为IC业无铅电镀提供参考依据.
关键词:
IC
,
无铅封装
,
锡须
,
抑制方法