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45#钢小方坯铸坯质量控制研究

余杰 , 唐萍 , 杨浩 , 文光华 , 胡道峰 , 张悦 , ,

钢铁钒钛

针对某钢厂45#钢铸坯内部裂纹问题,对铸坯横断面不同位置处的夹杂物种类、数量、大小进行统计分析.结果表明:硫化物偏析形成的大型硫化物夹杂,以及铸坯进入空冷段后表面温度回升速度过大是造成铸坯内部裂纹的主要原因.通过二冷数值模拟计算及现场生产实践得出,采取优化连铸过程二冷制度的方法,可以对铸坯内夹杂物凝固行为加以控制,减少硫化物的偏析和大型硫化物的数量,实现对铸坯内部裂纹的控制.

关键词: 45#钢 , 小方坯 , 内部裂纹 , 夹杂物 , 二冷制度

高速摄像技术在材料科学研究中的应用和发展

李慕阳 , 陈松 , 谢明 , , , 吴建昆 , 任县利 , 胡洁琼 , 王塞北

贵金属

高速摄像技术是一项高科技测量技术,其应用已从电影、军事、航空航天等领域延伸到材料科学及相关科学领域。基于高速摄像技术的特点、原理和发展,系统地分析和概述了高速摄像技术在国内外材料科学领域的应用研究概况,简要介绍了该技术在焊接或电接触研究中的应用,典型的高速摄像实验光路设计以及本组在贵金属电接触材料研究中部分研究结果,最后探讨了高速摄像技术存在的问题、发展趋势和应用展望。

关键词: 高速摄像技术 , 材料科学 , 应用 , 焊接电弧 , 光路设计

5A分子筛的改性制备及其对汞的吸附研究

陈建涛 , 马丽萍 , 资泽城 , , 周龙 , 李春情 , 王倩倩

硅酸盐通报

以5A分子筛为原料,Ce(NO3)3.6H2O为改性试剂,通过一步浸渍法并结合干燥、焙烧与研磨过程,制备CeO2/5A分子筛吸附剂,研究了5A分子筛在改性前后及不同温度下对汞的吸附性能,由表征和吸附热力学分析的结果可知:改性后的5A分子筛与改性前相比,吸附能力提高将近一倍,穿透时间延长;CeO2/5A分子筛对汞的最佳去除温度是175℃,去除率为90%,吸附量是6.25 μg/g;改性后的5A分子筛孔径增大,比表面积减小,有利于对汞的吸附;TG结果表明CeO2成功的负载到5A分子筛上,使5A分子筛对汞的吸附能力增强;热力学研究发现Langmuir吸附模型的拟合结果比Freundlich模型要好;CeO2/5A分子筛对汞的吸附过程是一个多层吸附过程.

关键词: 5A分子筛 , CeO2 , , 吸附

Gd2Ba4CuNbOy的掺杂量及粒度对单畴GdBCO超导块材磁悬浮力的影响

杨万民 , 李坤 , 梁伟 , 钞曦旭 , 李佳伟 , 陈森林 ,

低温物理学报

本文采用顶部籽晶熔融织构法(TSMTG)研究了Gd2Ba4CuNbO (GdNb2411)的掺杂量及其初始粉体粒度对单畴GdBCO超导块材磁悬浮力的影响.制备单畴GdBCO超导块材的初始成份为GdBa2Cu3O-δ∶Gd2BaC-uO5∶ GdNb2411=1∶ (0.4-x)∶x,x=0、0.02、0.06、0.1、0.14;GdNb2411粒子的初始粒度(d)范围分别在0≤d≤40m、40<d≤61m、61<d≤120m、120<d≤180m.结果表明:(1) GdBCO超导块材的生长形貌与其掺杂量x密切相关,当x≤0.06时,样品具有单畴形貌,且表面光滑平整;当x>0.06mol时,样品仍具有单畴形貌,但其表面出现皱褶现象;(2)随着x的增加,样品的磁悬浮力先增大后减小,当x=0.06mol时达到最大25N.(3)掺入样品的GdNb2411粉体粒度越小,最终在样品中生成的GdNb2411粒子的粒径也越小.(4)当固定x=0.06时发现,随着掺杂GdNb2411粉体粒度的减小,单畴GdBCO超导块材的磁悬浮力逐渐增大,当粒度d≤40mm时,样品中的Gd-Nb2411粒度约在100nm~250nm之间,相应样品的磁悬浮力最大,约25N.这些结果对进一步提高GdBCO超导块材的质量具有一定的指导意义.

关键词: 单畴GdBCO超导晶体 , 顶部籽晶熔融织构法 , Gd2Ba4CuNbOy , 磁悬浮力

磷石膏分解渣中氧化钙的分离纯化及表征

戴取秀 , 马丽萍 , 谢龙贵 , 毛宇 , 张杭 ,

材料导报

利用酸碱化学方法研究磷石膏分解渣中氧化钙的提纯工艺,并结合XRD、SEM、EDS手段表征提纯物物相和光谱特征等.结果表明,通过加入去离子水和盐酸可以有效除去渣中可溶性二氧化硅和酸不溶物,经氢氧化钠处理后的物料在1050℃煅烧3.5h,形成的样品中氧化钙纯度达到89%,其结构密实紧凑,表面分布均匀,色度较高.提纯过程中,磷石膏分解渣、去离子水、盐酸和氢氧化钠的最佳质量比为5∶15:6∶8.

关键词: 磷石膏分解渣 , 氧化钙 , 提纯 , 表征

高倍率性能氧化镍/氢氧化镍超级电容薄膜电极材料制备技术研究新进展

, 熊信柏 , 曾燮榕 , 易超 , 程苗苗

金属功能材料

氧化镍/氢氧化镍比容量高,来源丰富,成本低廉,环境友好,是国际上重点研究的一种新型赝电容电极材料.制约其应用的关键是其在大倍率充放电条件的电容性能.综述了大倍率高性能氧化镍/氢氧化镍超级电容薄膜电极材料工艺的研究进展,指出了各制备工艺的优缺点.在此基础上,发展了阳极电压振荡处理工艺,在镍片上获得了在电流密度为20 mA/cm2时,比电容高达560 mF/cm2,循环寿命超过10万次的高性能氢氧化镍超级电容薄膜电极材料.

关键词: 氧化镍/氢氧化镍 , 薄膜 , 制备技术 , 超级电容

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