黄奇良
,
潘伟
,
胡忠
材料导报
利用熔盐热歧化反应在氮化铝陶瓷表面上成功地进行了钛金属化,成功地在氮化铝陶瓷表面上制备了钛金属化膜.还研究了温度、反应物浓度、反应时间对钛金属化膜厚度的影响.研究了金属膜的组成及界面反应机理和界面层的显微结构.研究发现,在热歧化反应沉积钛金属膜的过程中,沉积到AlN陶瓷表面的钛金属与AlN发生反应生成TiN03、TiN和Ti 9Al 2 3.
关键词:
氮化铝陶瓷
,
金属化
,
歧化反应
,
界面微观结构
程军
,
杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
徐世艾
材料导报
黄原胶是一种生物高分子,广泛应用于30多个行业.综述了黄原胶的生物化学、发酵工艺、产品后处理及其应用等方面的进展.
关键词:
黄原胶
,
发酵
,
工程
,
后处理
,
应用
程长征
,
程香
,
牛忠荣
,
周焕林
复合材料学报
利用一种数值方法分析压电材料切口尖端包括奇异应力场和奇异电位移场在内的双重奇异性.基于切口尖端的位移场按幂级数渐近展开假设,从应力平衡方程和Maxwell方程出发,推导出关于压电材料切口奇性指数的特征方程组,同时将切口的力学和电学边界条件转化为奇性指数和特征函数的组合表达,从而将压电材料双重奇性分析问题转化为在相应边界条件下微分方程组的特征值求解问题,采用插值矩阵法,可以一次性地计算出压电材料切口的各阶奇性指数.裂纹作为切口的特例,其尖端的电弹性奇性指数亦可以根据本法求出.
关键词:
压电材料
,
切口
,
裂纹
,
奇性指数
,
渐近展开
周厚兵
,
周小红
,
张玉虎
,
郑勇
,
李广顺
,
M.Oshima
,
Y.Toh
,
M.Koizumi
,
A.Osa
,
Y.Hatsukawa
原子核物理评论
应用E-GOS(E-Gamma Over Spin)曲线方法研究了A≈110质量区奇A核结构随角动量增加的演化,发现随着角动量的增加原子核的激发特性从振动逐渐演化为转动.
关键词:
E-GOS曲线
,
相变
,
形状演化
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率
李国强
,
谷智
,
介万奇
功能材料
采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为 30mm×130mm的Ccd0.9Zn0.1Te晶锭.测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率.结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法.
关键词:
Cd0.9Zn0.1Te
,
Cd补偿垂直布里奇曼法
,
EPD
,
红外透过率
,
电阻率
