林致远
,
马骏
,
林亮
,
杨成绍
,
邹志翔
,
黄寅虎
,
文锺源
,
王章涛
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163105.0460
本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响.实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升Ion7％、降低SS 3％、同时对Ioff以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果.顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性.
关键词:
高开口率高级超维场转换技术
,
非晶硅
,
薄膜电晶体
,
双栅极
林致远
,
杨成绍
,
邹志翔
,
操彬彬
,
黄寅虎
,
文锺源
,
王章涛
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163104.0370
通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响.实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者有比现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)更高的Ion,提升比率达到40％.推测主要原因为现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)在Si岛完成后进行ITO像素电极工序增加了N+与源漏极之间接触阻抗导致Ion降低.对于H ADS产品,倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)可以具有更好的TFT特性表现.对现行HADS结构,在沟道形成工序前的N+表面ITO残沙程度越少则Ioff越低;对于倒反HADS结构,沟道形成之后沟道表面ITO残沙程度对则对TFT特性没有明显影响.对于Poole-Frenkel区域,现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)比TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者较低Ioff[Vg=-20 V],下降达50％,主要为N+与源漏极之间接触阻抗增加的影响.
关键词:
高开口率高级超维场转换技术
,
非晶硅
,
薄膜电晶体
,
Poole-Frenkel
徐世艾
材料导报
黄原胶是一种生物高分子,广泛应用于30多个行业.综述了黄原胶的生物化学、发酵工艺、产品后处理及其应用等方面的进展.
关键词:
黄原胶
,
发酵
,
工程
,
后处理
,
应用
刘玉婷
,
尹大伟
,
吕博
,
刘聪
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2007.10.028
以黄成色剂为母体,环状酰肼为显影促进基团,分别以6-氨基苯并咪唑和苯基巯基三氮唑为吸附基团,合成了2种新型DAR 成色剂,产率分别为60.8%和48.2%. 其结构经IR、1H NMR、MS和元素分析测试技术得到确证. 实验结果表明,合成的DAR 成色剂在提高感光度时不会增大灰雾密度.
关键词:
DAR成色剂
,
吸附基团
,
显影促进基团
,
合成
储荣邦
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2003.08.025
介绍了不含双氧水的铜及其合金无黄烟N-1光亮酸洗工艺.该工艺的溶液成分简单,操作安全,成本低廉,溶液维护和调整方便,使用寿命长,无黄烟产生,对环境污染小,光亮酸洗性能优于传统的浓硝酸酸洗工艺.
关键词:
铜
,
铜合金
,
N-1光亮酸洗
,
无黄烟
丁娜
,
金逐中
涂料工业
doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2011.05.007
UV 固化涂料固化后会出现黄变,尤其在白色或浅色基材上更加明显.针对上述问题,文章通过测量漆膜固化后放置不同时间的△b值,分析了几种单体、树脂、光引发剂、紫外光吸收剂及受阻胺光稳定剂等对此黄变的影响.通过试验可以看出,影响UV固化涂料固化后黄变特性的因素有UV低聚体(UV树脂)、单体、光引发剂及助剂.然而UV固化涂料固化后的黄变会随着放置时间的推移逐渐衰减,通常24 h后会趋于稳定,并且可以通过烘烤来加速颜色稳定的过程.
关键词:
UV固化涂料
,
黄变
,
△b值
,
烘烤
吴小军
,
童群义
高分子材料科学与工程
油田油藏条件下使用的黄原胶在高温下易发生降解、黏度下降.文中研究了除氧剂(硫代硫酸钠)对黄原胶耐热稳定性的影响,结果表明,当硫代硫酸钠的使用浓度为1.5 g/L时,黄原胶溶液经121 ℃高温处理3 h,其黏度下降幅度变小,黏度保留率得到明显的提高,耐热稳定性提高了1.85倍.通过包埋硫代硫酸钠,制备出了具有较高耐热性的黄原胶.采用热重分析仪(TGA)对其耐热性进行了研究,研究表明,黄原胶(包埋硫代硫酸钠)的耐热稳定性得到有效的改善.
关键词:
黄原胶
,
热稳定性
,
硫代硫酸钠
,
热重分析
