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提出了一种测定铟锡氧化物(ITO)靶材废料中锡量的分析方法,并对ITO靶材废料样品的分解方法、还原酸度的范围、基体和共存元素的干扰进行了探讨.结果表明:采用过氧化钠熔融分解样品,以铁粉还原、过滤分离部分共存元素,还原酸度(V/V)控制在35％～50％,在保护气氛下,用铝片将锡还原为二价锡,以淀粉为指示剂,碘量法测定锡时,效果较佳.采用方法对国内外6个ITO靶材废料代表试样进行分析,结果与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)吻合,10次平行测定的相对标准偏差(RSD)为0.29％～1.5％,加标回收率在99％～100％之间.

关键词: 铟锡氧化物(ITO)靶材废料 , 碘量法 , 锡

黎开管热声振荡的主动控制研究

魏伟 , 唐豪杰 , 李东海 , 王京 , 朱民

工程热物理学报

本文以黎开管内的热声耦合振荡为研究对象,设计基于主动补偿的适应性控制器抑制黎开管内的不稳定燃烧。试验以扬声器为执行机构来改变黎开管的边界条件,从而抑制黎开管内的热声耦合振荡。实时控制效果表明,本文所采用的适应性控制算法能够有效抑制因热声耦合产生的燃烧振荡,为实际动力系统燃烧振荡抑制提供了思路。

关键词: 黎开管 , 热声耦合振荡 , 主动控制 , 适应性控制

黎开管中热声拍振现象及其主动控制

翁方龙 , 朱民 , 李东海

工程热物理学报

黎开管中燃烧振荡现象的实验研究发现,在不稳定发生的极限工况附近可能存在幅值周期性变化的振荡现象,也即拍振,其拍频可低于1 Hz.本文比较了铁丝网和穿孔陶瓷两种稳焰体对拍振发生的影响;通过时频分析揭示了拍振的声压脉动的主频随时间周期性变化的特征.采用基于数字信号处理器的控制系统,研究了对极限环和拍振的主动控制效果,实验结果表明,黎开管系统中导致拍振的非线性可能使得采用常规主动控制方法难以取得满意的控制效果.

关键词: 热声振荡 , 拍振 , 时频分析 , 主动控制

黎开管中燃烧振荡的非线性现象研究

翁方龙 , 朱民 , 李东海

工程热物理学报

本文探讨了黎开管系统中燃烧振荡的两类非线性现象—拍振和迟滞,通过改变燃料流量和当量比研究了这两类非线性现象的发生规律.实验发现拍振现象仅在热功率较小、当量比较低的条件下发生;迟滞现象在发生燃烧振荡的当量比上限附近较显著,而当量比下限附近不明显.对于燃烧振荡中的拍振现象,通过热声耦合分析,结合弥散模型和声波传播关系,反演得到了火焰传递函数(FTF),结果可为进一步分析与控制这类非线性振荡现象提供参考.

关键词: 燃烧振荡 , 拍振 , 迟滞 , 火焰传递函数

黎巴嫩的黎波里钢板桩码头牺牲阳极保护

王亚平 , 韩正权 , 方达经 , 黄俊 , 沈尔卜

腐蚀与防护

研究了黎巴嫩的黎波里钢板桩码头的牺牲阳极保护系统,解决了该海域码头不同区域中钢管桩与钢板桩的平均保护电流密度取值问题.通过现场试验发现,对于码头迎水面的平均保护电流密度值取0.060 A·m-2较为合适,码头回填区域的平均保护电流密度值取0.030 A· m-2较为合适,海泥区的平均保护电流密度值取0.025 A·m-2较为合适.

关键词: 钢管桩 , 钢板桩 , 码头 , 牺牲阳极 , 阴极保护 , 电流密度

硅片的直接键合

王敬 , 屠海令 , 刘安生 , 张椿 , 周旗钢 , 朱悟新

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.05.013

介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理、键合质量评价方法以及键合技术目前的研究和应用状况等.

关键词: 硅片 , 硅片键合 , 直接键合

铜线性能及键合参数对键合质量的影响

曹军 , 丁雨田 , 郭廷彪

材料科学与工艺

为了提高铜线性能及其键合质量,采用拉力-剪切力测试仪、扫描电镜等研究了不同力学性能铜线及相应的键合参数对其键合质量的影响,分析了不同伸长率和拉断力、铜线表面缺陷、超声功率和键合压力对铜线键合质量的作用机制.结果表明：伸长率过小和拉断力过大会造成焊点颈部产生微裂纹,从而导致焊点的拉力和球剪切力偏低;表面存在缺陷的铜线其颈部经过反复塑性大变形会造成铜线表面晶粒和污染物脱落而出现短路和球颈部断裂;键合过程中键合压力过大能够引起的焊盘变形,同时较大的接触应力引起铝层溢出;过大的超声功率使键合区域变形严重产生明显的裂纹和引起键合附近区域严重的应力集中,致使器件使用过程中产生微裂纹而降低器件的使用寿命.

关键词: 伸长率 , 拉断力 , 表面 , 超声功率 , 键合压力

硅/硅键合新方法的研究

刘玉岭 , 王新 , 张文智 , 徐晓辉 , 张德臣 , 张志花

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.01.004

研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅/硅键合的一整套新技术(代替通用的亲水法);实现了键合层无孔洞,边沿键合率达98%以上,键合强度达2156Pa以上,并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质,实现了应力补偿.

关键词: 硅 , 锗 , 键合 , 机理

Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺研究

杜茂华 , 蒋玉齐 , 罗乐

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.015

研究了 Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及 Sn层厚度等因素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化.实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合质量的重要因素,在功率 500W、时间 200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较小的压力( 0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而 Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度能够缩短键合时间.在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美军标规定的 6.25MPa的强度要求(对于 2mm× 2mm芯片).