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镁合金等离子体微弧氧化过程控制的研究

巍巍 , 张乐 , 吴晓玲 , 杜建成

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2005.01.019

研究AZ31镁合金微弧氧化过程中不同控制参数对膜性能的影响.镁合金微弧氧化中存在一个二次放电过程,它会对已长成的膜起破坏作用.通过改变溶液成分或浓度可对镁合金微弧氧化临界点的出现时间进行控制.在此基础上进一步研究一次放电不同控制过程对膜层性能的影响,发现采用渐进式升压方式能提高膜的致密层和疏松层的比例,但对膜的总厚度影响不大.合适的阴极匹配电压,可减小功耗,降低气孔率,改善膜的性能.

关键词: 等离子体微弧氧化(MAO) , 二次放电 , 镁合金

不同温度下AZ41镁基合金牺牲阳极的电化学行为

金保

腐蚀学报(英文)

不同温度下AZ41镁基合金牺牲阳极的电化学行为金保(中国科学院上海冶金研究所九六级硕士研究生上海200050)镁基牺牲阳极以往一般使用自然环境温度下保护地下钢铁构筑物,近年来提出了把它们扩大应用到加热的输油管道、贮罐等设备防腐蚀的新要求.然而,迄今为止还很少见到镁基牺牲阳极在较高温度下的电化学行为的报导.考虑到锌基牺牲阳极在较高温度下应用时电化学性能变劣,使我们联想到镁基牺牲阳极是否会出现类似的问题.本文研?...

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