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多晶La-Pb-Mn-O体材料的巨磁电阻效应

祝向荣 , 沈鸿烈 , 沈勤我 , 邹世昌 , Tsukamoto Koichi , Yanagisawa Takeshi , Ito Toshimitsu , Higuchi Noboru , Okada Yasumasa , Okutomi Mamoru

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.013

利用固相反应法制备了多晶立方结构的La-Pb-Mn-O体材料.材料的铁磁相变温度TC为257K,其金属-半导体转变温度Tp为251K.外加磁场分别为5T和13T时,材料的巨磁电阻(GMR)峰值分别达到72%和85%.在77K~室温的温度范围内,材料都具有GMR效应,Tp附近具有GMR峰值效应.GMR效应与自旋极化子行为有关,而Tp附近的GMR峰值效应除了与自旋极化子行为有关外,与磁场作用下载流子自旋无序散射的急剧下降也有关.另外,多晶材料丰富的晶界结构对材料在整个测量温度范围内,尤其是温度远低于Tp时的GMR效应也有贡献.在Tp处,晶粒间自旋极化隧道效应被抑制,导致低场GMR效应的消失.

关键词: 巨磁电阻 , 金属-半导体转变温度 , 多晶

铝合金孔底电位的研究

仝奎 , 火时中

中国腐蚀与防护学报

<正> 一、引言 铝合金是广为应用的结构材料之一,但常因发生小孔腐蚀而影响其使用寿命。因此研究铝合金孔蚀的再钝化过程既有理论意义,又有实用价值。孔底电位是孔内其他电化学参数的综合反映,从测得的孔底电位,可分析蚀孔生长过程中孔内的状态及在再钝化过程中变化情况。 及认为随着小孔变深,孔底与金属表面的欧姆电位降增大,孔底电位负移到钝化区从而发生再钝化。而Strehblow的观点暗示了在再钝化过程中孔底电位将从活化区正移到Flade电位以上的钝化区,即认为蚀孔内表面是处于活性溶解区。Okada

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