宋双喜
,
刘玉章
,
毛大立
,
李明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.015
研究了铜与硅之间W/Mo-N薄膜的扩散阻挡性能.在Si(100)基片上利用反应溅射沉积一层Mo-N薄膜,然后再利用直流溅射在Mo-N上面沉积Cu/W薄膜.样品在真空下退火,并利用四点探针、X射线衍射分析、扫描电镜分析、俄歇电子能谱原子深度剖析等测试方法研究了Cu/W/Mo-N/Si的热稳定性及W/Mo-N薄膜对铜与硅的扩散阻挡性能.实验分析表明,Cu/W/Mo-N/Si结构具有非常好的热稳定性,在600℃退火30min仍未发生相变,并能有效的阻挡铜与硅之间的扩散.
关键词:
W/Mo-N
,
扩散阻挡层
,
溅射
,
热稳定性
曾鹏
,
胡社军
,
谢光荣
,
黄拿灿
,
吴起白
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2000.03.009
采用Ti/W复合靶,用多弧离子镀技术沉积了Ti-W -N多元多层膜,并对其组织结构与性能进行了研究.结果表明:在本试验条件下多元膜的结构形式为(Ti, W)2N,最佳多层膜的结构形式为基体/Ti/TiN/(TiyW1-y )N/(Ti,W)2N,并具有较高的显微硬度和极低的孔隙率,在800 ℃具有很好的抗氧化性能.在沉积过程中存在着多元合金膜层与复合靶的成分离析现象,这与靶材的结构有关.
关键词:
多弧离子镀
,
Ti-W-N多元膜
,
多层膜
,
组织与性能
宋振兴
,
姚素薇
,
王宏智
,
张卫国
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2007.02.005
采用电沉积方法,在Ni-W-P合金中复合Si3N4微粒,获得(Ni-W-P)-Si3N4复合镀层.研究了镀液中Si3N4质量浓度、电流密度以及搅拌速度等工艺条件对复合镀层中Si3N4质量分数的影响.X-射线衍射、扫描电子显微镜测试结果表明:Si3N4微粒在镀层中均匀分布,与Ni-W-P合金各自在特定的角度出现衍射特征峰,彼此之间互不干扰.随着镀层中Si3N4质量分数的增加,镀层的性能均按照一定的规律发生变化.当Si3N4的质量分数为最大值10.3%时,镀层性能在各组实验比较中均最优,耐磨性能最好.
关键词:
电沉积
,
(Ni-W-P)-Si3N4复合镀层
,
耐磨性
HUANG Huimin CHEN Xinmin Central South University of Technology
,
Changsha
,
China HUANG Huimin Associate Professor
,
Department of Chemistry
,
Central South University of Technology
,
Changsha
,
China
金属学报(英文版)
The nature of the oxygen contained in β-W was investigated with DSC,X-ray analysis on quenched samples and Auger spectroscope.It was shown that the oxygen contained in nonpyrophoric β-W consists of the reversibly chemisorbed oxygen and the interstitial oxygen which could form an interstitial solid solution with β-W.It seems better to consider β-W to be a metastable phase of tungsten with the interstitial oxygen as stabilizer.
关键词:
tungsten
,
null
,
null
,
null
刘伟吉
,
曾庆明
,
李献杰
,
敖金平
,
赵永林
,
郭建魁
,
徐晓春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.015
发展了WN/W难熔栅自对准工艺.WN/W栅在850oC下退火,保持了较好的形貌.在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管.在1×50μm的HFET中,实现了最大跨导约为56mS/mm,阈值电压为3.5V.与p型HFET的-3V的阈值基本对称.反向击穿电压为4~5V.
关键词:
WN/W
,
难熔栅
,
CHFET
,
HIGFET
许育东
,
刘宁
,
石敏
,
陈名海
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.02.002
运用固体与分子经验电子理论(EET理论)计算了(Ti,Mo,W,Ta,V,Nb)(C,N)多元陶瓷相的价电子结构.结果表明,价电子结构参数(nA)随碳化物添加量的增加而增加.不同碳化物对价电子结构参数的影响不同,其中VC的影响最为显著.价电子结构参数(nA)可以用来评价金属陶瓷的力学性能,提出了相关的判据关系式.
关键词:
价电子结构
,
多元陶瓷相
,
碳化物
,
力学性能
喻利花
,
王杰
,
许俊华
材料热处理学报
采用多靶磁控溅射仪,制备不同Al含量的(V,W,Al)N复合膜.利用X射线衍射仪、纳米压痕仪和热处理炉及热失重分析仪对(V,W,Al)N复合膜的微观组织、力学性能及高温抗氧化性能进行表征.结果表明:当Al含量低于14.86 at%时,(V,W,Al)N复合膜存在面心立方结构(V,W)N、WN相及六方结构V2N相,当Al含量高于14.86 at%时,薄膜存在面心立方结构(V,W)N、WN相及六方结构V2N和AlN相;随Al原子百分含量的增加,复合膜的硬度呈先增大后减小的趋势,当Al原子百分含量达到14.86 at%时,其硬度最大值为35.5 GPa;随Al含量的增加,(V,W,Al)N复合膜抗氧化性能提高了至少200 ℃.讨论Al含量对(V,W,Al)N复合膜性能的影响.
关键词:
(V,W,Al)N复合膜
,
微观组织
,
力学性能
,
抗氧化性能