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碳酸钙对钒钛磁铁精矿直接还原-熔分的影响

钢铁 doi:10.13228/j.b0yuan.issn0449-749x.20130459

钒钛磁铁精矿在配加石墨还原剂和碳酸钙的条件下进行预还原和熔分.试验研究了碱度(碳酸钙的加入量)以及冷却工艺对直接还原和熔分的影响.反应后的样品用XRD和化学分析法进行分析.结果表明:在低碱度范围内(R=0～0.7),碱度的增加有利于钒钛磁铁精矿的直接还原和熔分.熔分温度为1 600℃,熔分时间为20 min,试验样品在碱度为0.5时熔分状态良好,渣中几乎不带铁.空冷有利于提高渣中黑钛石的含量,但不利于镁铝尖晶石相的析出;缓冷有利于渣中镁铝尖晶石相的析出,但会使渣中黑钛石的含量有所降低.

关键词: 钒钛磁铁精矿 , 还原 , 熔分 , 碱度 , 冷却工艺

绝缘子直流污闪特性研究综述

张忠

绝缘材料 doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.01.002

高压直流输电的发展对绝缘子抗污闪性能提出了更高的要求,研究直流电压下绝缘子污闪特性能够为高压直流外绝缘设计提供理论指导.本文综述了国内外近年来绝缘子直流污闪特性方面的研究成果,从直流污秽性质、直流污闪特性、直流污闪试验方法以及直流污闪模型等方面总结了绝缘子直流污闪的各种影响机理,并归纳出海拔高度、污秽度以及绝缘子的类型、形状参数和悬挂方式等因素对绝缘子直流污闪电压的影响规律,最后提出了直流污闪研究方向以及防治建议.

关键词: 绝缘子 , 直流电压 , 污闪特性 , 试验 , 模型

硅橡胶防污闪涂料涂覆工艺

郝文光 , 彭桂荣 , 李青山

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2008.03.015

电器设备涂覆硅橡胶防污闪涂料(RTV涂料)后能够大幅度提高污闪电压,本文在丙烯酸聚氨酯底漆上,采用不同的方法刷涂RTV防污闪涂料并研究其附着情况,发现底漆中-OH含量提高、干燥处理及加入偶联剂均有利于防污闪涂层的附着,而底材固化后放置时间的延长却不利于防污闪涂层的附着,并初步分析了原因.

关键词: 硅橡胶防污闪涂料 , 丙烯酸聚氨酯底漆 , 偶联剂

软木纤维蒸汽闪爆改性及其形态结构表征

邵自强 , 廖双泉 , 马凤国 , 吕秉峰 , 谭惠民

高分子材料科学与工程

研究采用高压热蒸汽闪爆技术,对软木纤维进行物理改性,通过对闪爆前后纤维素表征分析,结果发现,高压闪爆再生的纤维素形态、聚合度、在稀碱中的溶解度有极大改变,因原纤形态的差异,几种纤维素的闪爆改性的难易程度为:麻、棉、硬木、软木,经过一定压力及温度闪爆可得到在NaOH碱水溶液中完全溶解的软木纤维,这一结果可使粘胶工业实现稀碱溶液直接湿纺的技术.

关键词: 软木纤维 , 蒸汽闪爆 , 溶解度 , 粘胶纤维

电力设备外绝缘的防污闪综合措施

周渠

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2004.02.013

根据污闪放电机理,对电力设备防污闪措施进行了探讨,分析了防污闪工作应开展的一些基础性工作,如最大盐密、饱和盐密测量,绘制和修订电网污区分布图;讨论了各类防污闪新技术如防污涂料、新型合成绝缘子、污秽在线监测、带电清扫技术的运用等; 同时指出电力设备一些不合理的外绝缘爬距配置、绝缘水平较低以及运行维护管理不当等都是引起污闪事故的原因.

关键词: 电力设备 , 外绝缘 , 防污闪 , 综合措施

架空线路外绝缘污闪及其防护

李德超 , 张玉环 , 李景禄 , 万欣

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2009.01.014

采用表面电弧与剩余污层电阻相串联的污闪物理模型对污闪机理进行了分析,并在分析其影响因素的基础上对如何防止污闪事故的发生进行了探讨.结果表明,污闪闪络主要由绝缘子表面积污和使积聚的污秽物质受潮两个因素引起.增大爬电比距是防止污闪发生的一个重要措施;使用防污涂料和复合型绝缘子是另一种防污闪的有效措施.

关键词: 污闪机理 , 影响因素 , 防污闪

RTV防污闪涂层老化分析方法

王天 , 卢明 , 景冬冬 , 王爱国 , 王麒

绝缘材料

介绍了国内外室温硫化硅橡胶（RTV）防污闪涂层的老化分析方法，主要包括憎水性测量、电气性能测试（泄漏电流和污闪电压）以及RTV防污闪涂层的理化特性分析（热失重分析、傅里叶红外光谱分析、TSC分析、SEM分析、小角度X-ray分析以及气相色谱分析等），其中RTV防污闪涂层的理化特性分析具有实验用量少、操作简单、检测结果精确度高及可定量分析RTV涂层的老化程度等优点，成为目前RTV涂层老化程度检测中最为有效、可靠的方法，具有广泛的应用前景。

关键词: 室温硫化硅橡胶 , 老化 , 泄漏电流 , 热失重分析 , 傅里叶红外光谱

纳秒脉冲真空绝缘沿面闪络机理研究

王志华 , 高巍

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2009.01.012

汇总了纳秒脉冲真空绝缘沿面闪络实验研究结果,实验表明,不同电压波形作用下闪络场强存在较大差异.纳秒脉冲闪络场强显著高于其它电压波形.分析认为纳秒脉冲闪络是一个不断向平衡状态逼近的过程,基于电子激励解吸附原理的二次电子崩理论(SEEA)适用于分析纳秒脉冲真空闪络问题.在纳秒脉冲闪络发生的微观过程中,阴极三结合点场致电子发射是真空闪络发生的必要条件,二次电子崩过程是闪络发展的必备环节.闪络过程在绝缘体表面脱附气体层中完成.

关键词: 纳秒 , 真空 , 闪络 , 阴极三结合点 , 二次电子崩

闪速燃烧合成β-Si3N4

祝少军 , 孙加林 , 宋文 , 洪彦若

稀有金属材料与工程

利用闪速燃烧合成技术,在0.2 MPa的氮气压力与1550℃的燃烧温度条件下,采用≤88 μm粒度的高纯Si细粉制备了细蜂窝状疏松块体Si3N4.X射线衍射分析表明,这种Si3N4主要为高温型β-Si3N4相,并含有一定量的Si2N2O相.热力学分析表明:在0.1 MPa常氮气压下,可以闪速燃烧合成Si3N4;由于体系中有一定的氧分压,产物中有一定量的Si2N2O生成.通过实验和分析,认为闪速燃烧合成技术是燃烧合成Si3N4的理想的工艺技术.

关键词: 闪速燃烧合成 , 氮化硅 , 热力学

硅铁闪速燃烧合成氮化硅铁

祝少军 , 孙加林 , 陈俊红 , 占华生 , 洪彦若

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2004.04.008

利用闪速燃烧合成新技术,以粒度≤0.088mm的FeSi75硅铁细粉为原料,在0.2 MPa的低氮气压力与1400℃的燃烧温度条件下,制备了细蜂窝状氮化硅铁.XRD和SEM分析结果表明,这种氮化硅铁主要由短柱状β-Si3N4相和Si3Fe相组成,其结构特征是以Si3Fe形成核心,并被Si3N4包裹.同时,还用热力学原理探讨了由硅铁闪速燃烧合成氮化硅铁的工艺条件、形成产物的形式、反应的中间产物和残留金属的形态.热力学研究结论和实验检测结果相一致,从而在理论上阐明了闪速燃烧合成是制备氮化硅铁的一种理想工艺.

关键词: 氮化硅铁 , 闪速燃烧合成 , 硅铁 , 热力学

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