杨钰瑛
,
孙维连
,
李新领
,
王会强
,
孙玉梅
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2007.02.007
采用中频反应磁控溅射技术沉积ZrN薄膜,在真空镀膜机内对称安装了3对矩形孪生靶.利用等离子体发射光谱和质谱仪QMS200分别实时监控真空炉内靶材表面的谱线变化和各种气氛的分压强,并通过控制系统氮气流量自动调控,从而消除了靶中毒和打火现象,确保了溅射镀膜的稳定进行.通过对氮化锆膜层的显微组织观察、X射线衍射和俄歇半定量分析,沉积的氮化锆薄膜膜层致密,与基体的结合牢固.结果表明:当炉内氮气分压强为45%,控制靶电压200V,靶电流为25A,逐步调节Ar与N2比例,可获得成分均匀,膜层致密,结合力较好的金黄色氮化锆薄膜.
关键词:
中频溅射
,
孪生对靶
,
氮化锆
,
薄膜
侯亚奇
,
张弓
,
庄大明
,
吴敏生
无机材料学报
利用中频交流反应磁控溅射技术制备TiO2薄膜,利用AES、XRD和SEM分析了制得的TiO2薄膜的成分、结构和表面形貌,并利用多种降解对象研究了TiO2薄膜的光催化降解性能.结果发现:利用Ar/O2混合气体反应溅射纯Ti靶制备的TiO2薄膜符合化学计量比,呈现柱状生长.TiO2薄膜均为锐钛矿相,晶粒随薄膜厚度增加逐渐长大.制得的TiO2薄膜对亚甲基蓝、甲基橙和敌敌畏都具有确实的光催化降解效果,同时具有很好的光催化性能稳定性.
关键词:
TiO2薄膜
,
mid-frequency AC magnetron sputtering
,
photocatalytic degradation
,
methylene blue
,
methyl orange
侯亚奇
,
张弓
,
庄大明
,
吴敏生
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.017
利用中频交流反应磁控溅射技术制备TiO2薄膜, 利用AES、XRD和SEM分析了制得的TiO2薄膜的成分、结构和表面形貌, 并利用多种降解对象研究了TiO2薄膜的光催化降解性能.结果发现:利用Ar/O2混合气体反应溅射纯Ti靶制备的TiO2薄膜符合化学计量比, 呈现柱状生长.TiO2薄膜均为锐钛矿相, 晶粒随薄膜厚度增加逐渐长大.制得的TiO2薄膜对亚甲基蓝、甲基橙和敌敌畏都具有确实的光催化降解效果, 同时具有很好的光催化性能稳定性.
关键词:
TiO2薄膜
,
中频交流磁控溅射
,
光催化降解
,
亚甲基蓝
,
甲基橙
廖国进
,
巴德纯
,
闻立时
,
朱振华
,
刘斯明
稀有金属材料与工程
用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜.XPS监测显示,薄膜中有Ce3+生成.这些薄膜的光致发光峰是在374 nm附近,它来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈地依赖于薄膜的掺杂浓度,但发光峰位置不随掺杂浓度而变化.Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的.薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.发射纯蓝光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景.
关键词:
光致发光
,
Al2O3
,
薄膜
,
磁控溅射
,
稀土元素
廖国进
,
骆红
,
闫绍峰
,
巴德纯
,
闻立时
稀有金属材料与工程
应用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:CeCl3的非晶薄膜.Ce3+含量和薄膜的化学成分通过X射线散射能谱(EDS)测量.薄膜试样的晶体结构用x射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈地依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度.薄膜发光来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+离子.随铈含量增加,光致发光峰向低能方向移动,可能与薄膜中存在氯元素有关.
关键词:
光致发光
,
Al2O3
,
薄膜
,
磁控溅射:CeCl3
王丽阁
,
李剑锋
,
李国卿
材料科学与工程学报
采用中频孪生非平衡磁控溅射技术,制备了纳米晶结构NiOx电致变色薄膜.利用原子力显微镜、掠射X射线衍射、电化学设备、紫外分光光度计等测试手段分析薄膜结构及电致变色特性.结果表明:室温沉积获得表面质地均匀的NiOx薄膜;在±3V致色电压下,薄膜电致变色性能优异,对可见光透过率调制范围达30%以上,但薄膜寿命低.获得的薄膜为结构疏松的纳米晶结构,易于离子的注入和抽取,变色性能优异,但易发生Li+不可逆注入,薄膜寿命低.
关键词:
电致变色
,
NiOx
,
磁控溅射
,
纳米晶
于翔
,
王成彪
,
刘阳
,
于德洋
金属学报
利用新型中频对靶磁控溅射技术合成了一系列TiN/Ti多层膜. 考察了不同Ti间隔层
对多层膜硬度和结合力的影响, 分析了膜表面大颗粒和坑的形成机理; 利用正交
实验法和方差分析探讨了靶电流、气体压力和基体偏压对薄膜表面缺陷密度的影响,
对工艺参数进行了优化. 结果表明, 靶电流对缺陷密度的影响最大, 气体压力次之,
基体偏压对缺陷密度影响最小; 当靶电流I=20 A、气体压力p (Ar+N 2)=0.31 Pa、基体偏压V bias=-60 - -300 V和Ti间隔层厚度x=0.12 um时, 制备出硬度HV 0.2 N =2250、膜基间结合力(临界载荷)L c=48 N和表面缺陷密度ρs=58 mm -2的高质量TiN/Ti多层膜.
关键词:
TiN/Ti多层膜
,
magnetron sputtering
,
mechanical property
于翔
,
王成彪
,
刘阳
,
于德洋
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.06.018
利用新型中频对靶磁控溅射技术合成了一系列TiN/Ti多层膜.考察了不同Ti间隔层对多层膜硬度和结合力的影响,分析了膜表面大颗粒和坑的形成机理;利用正交实验法和方差分析探讨了靶电流、气体压力和基体偏压对薄膜表面缺陷密度的影响,对工艺参数进行了优化.结果表明,靶电流对缺陷密度的影响最大,气体压力次之,基体偏压对缺陷密度影响最小;当靶电流I=20 A、气体压力p(Ar+N2)=0.31 Pa、基体偏压Vbias=-160--300 V和Ti间隔层厚度x=0.12 μm时,制备出硬度HV0.2 N=2250、膜基间结合力(临界载荷)Lc=48 N和表面缺陷密度ρs=58 mm-2的高质量TiN/Ti多层膜.
关键词:
TiN/Ti多层膜
,
磁控溅射
,
力学性能
,
表面缺陷
廖国进
,
巴德纯
,
闻立时
,
刘斯明
,
阎绍峰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.007
应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2:O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为23sccm,氧流量为5sccm,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能.通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+.Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域.
关键词:
三氧化二铝薄膜
,
中频反应磁控溅射
,
掺杂浓度
,
光致发光
,
Ce
