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PbSc0.5Ta0.5O3热释电材料及其红外探测器列阵

, 肖定全 , 朱建国 , 余萍 , 袁小武

功能材料

热释电红外探测器具有探测波长范围广、室温工作、无需致冷等优点.近年来,工作介电方式下的PbSc0.5Ta0.5O3 (PST)热释电材料由于具有热释电系数大,热释电探测优值高等特点,成为热释电应用研究的热点之一.本文综述了目前PST热释电陶瓷材料的介电,热释电性能及其探测器列阵的发展.由于小型化的要求,PST薄膜亦倍受关注,因此本文还对目前PST热释电薄膜的制备方法,薄膜的热释电、介电性能及薄膜型探测器结构和发展进行了概述.

关键词: 热释电材料 , PbSc0.5Ta0.5O3(PST) , 铁电薄膜 , 探测器列阵

Pechini法制备铌酸锂陶瓷的结晶性能研究

陈强 , 肖定全 , 吴家刚 , 方瑜 , 王媛玉 , 袁小武 , , 熊学斌 , 朱建国

功能材料

以Li2CO3、Nb2O5、K2CO3为初始原料,采用Pechini法制备了铌酸锂(LiNbO3)陶瓷.用XRD、SEM等分析了LiNbO3陶瓷的结晶特性.分析结果表明Li2O对于铌酸锂陶瓷的烧结及致密度有着重要的影响,经980℃烧结得到的LiNbO3陶瓷晶粒发育良好,当烧结温度>1100℃时,Li2O有较大的损失,所得到的LiNbO3陶瓷组分与化学计量此有一定偏差.因此应采用多种技术方法来减少Li2O的损失以得到致密、结晶性良好的铌酸锂陶瓷.

关键词: 铌酸锂 , Pechini法 , 陶瓷

白钨矿结构Ba1-x-ySrxCayMoO4晶态薄膜电化学制备机制分析

杨祖念 , 高道江 , 毕剑 , 余萍 , 陈连平 , , 肖定全

功能材料

基于本项目组采用恒电流技术直接在金属钼片上以电化学方法制备具有白钨矿结构的钡、锶、钙(包括其复合体系)钼酸盐(Ba1-x-ySrxCayMoO4)薄膜的实验研究结果,分析了利用电化学方法制备功能薄膜中的成膜机制,讨论了晶态薄膜电化学制备过程中的电流密度、电解液酸度、沉积温度和溶液浓度等工艺条件对薄膜形成的影响.该研究结果对利用电化学方法制备相关薄膜也具有重要参考意义.

关键词: 电化学 , 白钨矿结构 , Ba1-x-ySrxCayMoO4 , 薄膜形成机制

钼酸钡薄膜的室温电化学制备工艺技术研究

陈连平 , 肖定全 , 毕剑 , 余萍 , 杨祖念 , , 朱建国

功能材料

采用恒电流型电化学技术在室温环境下制备出了结晶良好的致密的钼酸钡薄膜;深入研究了沉积时间、pH值对薄膜生长的影响,找到了比较适宜的制备工艺;分析讨论了沉积时间对晶格常数的影响.在本实验条件下,溶液的碱度调控在13~14之间时,可以通过阳极氧化法得到结晶良好的BaMoO4薄膜;当电流密度为1mA/cm2及电极间距为2cm时,如果要得到致密的薄膜,沉积时间必须在100min以上.

关键词: 恒电流技术 , 电化学 , 钼酸钡 , 薄膜

PbTiO3薄膜生长的Monte Carlo模拟Ⅱ:模拟结果与讨论

, 朱建国 , 朱基亮 , 芦苇 , 肖定全

功能材料

根据本文作者提出的基于Monte Carlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法(详见另文),编制了模拟软件,并以PbTiO3薄膜为例模拟了多元氧化物薄膜生长初期的表面形貌.模拟中选定两个输入参数为沉积速率和沉积温度,并根据相关研究报道的实验条件,分别取沉积速率处于0.1~0.001nm/s之间,沉积温度处于800~1000K之间.模拟结果表明,在薄膜生长的初始阶段,沉积速率和沉积温度对薄膜形貌的影响很大,随着沉积速率的降低和沉积温度的升高,初始凝聚岛的面积增大,总的岛的数目减小;在较低的沉积速率和较高的沉积温度条件下更容易得到薄膜的层状生长.

关键词: Monte Carlo模拟 , 薄膜生长 , PbTiO3薄膜 , 氧化物

溶胶-凝胶法制备(Ba,Sr)TiO3薄膜的新技术路线研究

李桂英 , 余萍 , , 王欢 , 肖定全

功能材料

碳酸钡和碳酸锶是无机盐化工基础原料,钡、锶的醇盐或醋酸盐都需通过其碳酸盐制备而得,本文探索了一种有利于降低成本的新实验路线和更为原子经济的新工艺.直接采用碳酸盐为原料,采用solgel法制备了Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜;并利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱分析(XPS)等对BST薄膜的晶体结构和表面形貌及化学组态进行了分析.结果表明,利用碳酸盐代替醋酸盐为原料,采用so1-gel技术制备BST铁电薄膜,能制备出均匀清澈的溶胶;所制备的BST薄膜均匀致密,几乎为全钙钛矿结构.化学组态分析也表明所制备的薄膜中的钡、锶、钛、氧4种元素都以钙钛矿相结构中各元素相应的化学态存在.

关键词: 碳酸盐 , so1-gel法 , Ba0.8Sro.2TiO3 , 铁电薄膜

(Pb,La)TiO3铁电薄膜微结构与制备工艺研究

吴家刚 , 朱基亮 , 朱建国 , , 袁小武 , 肖定全

功能材料

采用射频磁控溅射技术在室温淀积、其后在700℃下退火10min,制备了(Pb,La)TiO3(简记为PLT)铁电薄膜.利用XRD研究了薄膜的结晶性;利用XPS研究了薄膜表面的化学成分、组分以及表面原子的化学价态;利用SEM研究了薄膜的断面.薄膜结构分析结果表明,在一定的制备工艺条件下,薄膜制备时间的长短对薄膜结晶性能的影响不大;XPS波谱分析表明,所测得的元素有Pb、La、Ti、O和C,其中C元素是薄膜在制备或测试过程中的污染,薄膜中没有其它杂质元素;由断面的SEM分析可知,在本论文采用的制备工艺条件下,薄膜与基底之间基本上没有互扩散,薄膜与基底的界面比较清楚.

关键词: 射频磁控溅射 , 铁电薄膜 , (Pb,La)TiO3 , XRD , XPS , SEM

PbTiO3薄膜生长的Monte Carlo模拟Ⅰ:模型与算法

, 朱建国 , 朱基亮 , 芦苇 , 肖定全

功能材料

提出了一种基于Monte Carlo方法的模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法,并以模拟PbTiO3薄膜的生长为例加以说明.模拟中使用的晶格空间基本单元为立方体,单个的ABO3结构晶胞简化为2×2×2个立方体,并采用周期性边界条件;Monte Carlo事件由沉积事件,扩散事件和脱附事件组成;根据PbTiO3的组成确定沉积原子的种类和比例,即根据Pb∶Ti∶O为1∶1∶3的比例借助一随机数随机选择原子的种类;原子扩散能力与扩散激活能相关,单个原子的扩散步数由沉积速率与实际扩散时间决定;激活能采用库仑势计算,其大小不仅与原子周围的架构相关,而且与架构中原子的种类相关.有关模拟结果将在另文中给出.

关键词: Monte Carlo模拟 , 薄膜生长 , PbTiO3薄膜 , 氧化物

粉末溶胶法制备Pb0.90La0.10Ti0.975O30-3型厚膜的研究

, 肖定全 , 朱建国 , 余萍 , 袁小武

功能材料

使用溶胶-凝胶法制备了Pb0.90La0.10Ti0.975O3(简称为PLT-10)粉体,使用XRD及日本SALD-2001型激光散射颗粒度分析仪对粉体进行了分析,结果表明PLT-10粉体呈钙钛矿结构,一次颗粒细,颗粒尺寸随退火温度的升高而增大.将粉体分散在溶胶中,并采用粉末溶胶法制备了PLT-10厚膜.利用XRD和SEM对厚膜进行了分析.实验结果表明,适当调控制备工艺技术,利用粉末溶胶法可望制备出符合要求的铁电"厚膜".

关键词: 溶胶-凝胶法 , PLT , 粉末溶胶法 , 铁电厚膜

Cr/Cu/Al/Cr薄膜电极的防氧化性能

翁卫祥 , , 贾贞 , 李昱 , 郭太良

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112602.0183

采用Al作为Cu导电层的主要防氧化保护层,在普通浮法玻璃上利用磁控溅射和湿法刻蚀技术制备Cr/Cu/Al/Cr复合薄膜及其电极,研究不同的热处理温度对复合薄膜及其电极的结构、表面形貌和导电性能的影响.由于有Al层作为保护层,在热处理过程中,Al先与穿过Cr保护层的氧进行反应,从而可以更有效地保护Cu膜层在较高的温度下不被氧化,所制备的薄膜在经过600℃的热处理之后仍然具有较好的导电性能.而对于Cr/Cu/Al/Cr电极,侧面裸露的金属层在热处理过程中的氧化是其导电性能逐渐下降的主要原因,退火温度超过500℃之后,电极侧面裸露部分的氧化范围不断往电极的中间扩散,导致了薄膜电极导电性能显著恶化.虽然如此,Cr/Cu/Al/Cr薄膜电极在430℃附近仍然具有较好的导电性能,电阻率为7.3×10-8Ω·m,符合FED薄膜电极的要求.以此薄膜电极构建FED显示屏,通过发光亮度均匀性的测试验证了Cr/Cu/Al/Cr电极的抗氧化性.

关键词: Cr/Cu/Al/Cr薄膜 , 薄膜电极 , 表面形貌 , 防氧化性能

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