李国强
,
谷智
,
介万奇
功能材料
采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为 30mm×130mm的Ccd0.9Zn0.1Te晶锭.测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率.结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法.
关键词:
Cd0.9Zn0.1Te
,
Cd补偿垂直布里奇曼法
,
EPD
,
红外透过率
,
电阻率
刘俊成
,
谷智
,
介万奇
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.06.015
模拟计算了半导体材料CdZnTe布里奇曼法单晶体生长过程,分析了熔体的过热温度、坩埚侧面强化换热以及坩埚加速旋转(ACRT)等因素对结晶界面的形态和晶体组分偏析的影响.结果表明:当熔体的过热温度减小时,熔体中自然对流的强度显著降低,固液界面的凹陷深度有所增加,晶体的轴向等浓度区显著加长,而晶体组分的径向偏析明显增大.坩埚的侧面强化换热增加了自然对流强度,也增大了固液界面的凹陷,但是对溶质成分的偏析影响较小.坩埚加速旋转引起的强迫对流强度远大于自然对流,显著增大了固液界面的凹陷,使熔体中的溶质分布成为均一的浓度场,显著减小了晶体组分的径向偏析,增加了晶体组分的轴向偏析.
关键词:
材料科学基础学科
,
晶体生长
,
数值模拟
,
组分偏析
,
传热传质
陈曦
,
王涛
,
周伯儒
,
何杰
,
李阳
,
杨帆
,
徐亚东
,
查钢强
,
介万奇
人工晶体学报
采用移动加热器法,成功生长出尺寸为φ55 mm×70 mm的CdZnTe晶体.采用电子探针、光致发光谱等方法,测试了晶体径向的成分和缺陷分布,并与垂直布里奇曼法生长的同成分CdZnTe晶体进行了对比分析.结果表明,移动加热器法生长的CdZnTe晶体沿径向的成分和缺陷分布均匀,均优于垂直布里奇曼法生长的晶体.
关键词:
CdZnTe
,
移动加热器法
,
成分
,
缺陷均匀性
王跃
,
李全保
,
韩庆林
,
马庆华
,
宋炳文
,
介万奇
,
周尧和
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.010
为选择合理的晶体生长速度,在用改进Bridgman法生长直径为φ19mm的HgCdTe(x=0.21)晶体过程中,对正在生长的单晶体及熔体进行淬火,以观察其固液界面形态.初步的实验结果表明:在2mm/d及9mm/d的两种生长速度条件下,石英安瓶中的固液界面形态均为凹形抛物面,但其凹陷深度分别为10mm和14mm.较低的晶体生长速度条件下,凹陷深度较小,固液界面形态较平.由实验和讨论得知,宜选择较低的晶体生长速度用改进Bridgman法生长HgCdTe晶体.
关键词:
布里奇曼法
,
HgCdTe晶体
,
晶体生长速度
,
固液界面形态
,
凹陷深度
刘俊成
,
王佩
,
郭喜平
,
介万奇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.009
计算模拟了半导体材料 CdZnTe垂直布里奇曼法(CdZnTe-VBM)单晶体生长过程,分析了 炉膛温度梯度和坩埚移动速率对结晶界面形态和晶体内组份偏析的影响.计算结果表明炉膛温 度梯度和生长速率的变化明显影响固-液界面前沿对流场的形态和强度.界面凹陷深度随着炉 膛温度梯度的增加和生长速率减小而减小.炉膛温度梯度的增加和生长速率的减小虽然均能有 效的减小径向偏析,但却增加轴向偏析,减小轴向等浓度区的长度.
关键词:
溶质偏析
,
传热传质
,
晶体生长
,
对流
,
数值模拟
王新鹏
,
孙晓燕
,
介万奇
,
罗林
,
王涛
,
傅莉
人工晶体学报
采用垂直布里奇曼法,生长出直径为30 mm的Hg3In2Te6晶体.通过透射电子显微镜观察Hg3In2Te6晶体和第二相粒子的形貌,并利用选区电子衍射技术分析其物相.结果表明:晶锭基体的物相为Hg0.5In0.33Te;同时观察到了HgTe、In2Te3等第二相,尺寸为10～40 nm.推测晶体发生分解是形成第二相的原因.
关键词:
Hg3In2Te6
,
第二相
,
透射电子显微镜
,
选区电子衍射
王新鹏
,
孙晓燕
,
介万奇
,
罗林
,
王涛
,
傅莉
功能材料
采用垂直布里奇曼法,成功生长出大直径Hg3In2Te6(θ=30mm)晶体.通过傅立叶红外透射光谱测试了晶锭不同部位的红外透过率,并利用X射线双晶摇摆曲线表征了晶体的结晶质量.结果表明,定向切割晶片为(111)面单晶,衍射峰位于θ=12.1665°处,半峰宽为0.0760°;中部单晶片红外透过率平均值为50%,接近Hg3In2Te6晶体的红外透过率最大值57%.位错和成分非均匀性是造成晶锭不同部位红外透过率差异的主要因素.
关键词:
Hg3In2Te6
,
大直径晶体生长
,
垂直布里奇曼法
,
摇摆曲线
,
红外透射光谱
俞鹏飞
,
介万奇
人工晶体学报
以Cd_(1-y)Zn_y合金作退火源,对采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)生长的In掺杂的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶片进行退火改性.结果表明:与退火前相比,退火后晶片的成分均匀性提高,Cd、Zn和Te三种元素的含量更接近理想的化学计量比,平均红外透过率由12%提高到59%,电阻率从3.5×10~6 Ω·cm提高到5.7×10~9 Ω·cm,且在PL谱中出现了代表晶体质量的(D~0,X)发光峰.在合适的条件下对低阻值In掺杂的CdZnTe晶体进行退火改性可较好的提高晶体的性能.
关键词:
CdZnTe晶体
,
退火
,
红外透过率
,
PL谱
刘伟华
,
介万奇
,
王涛
,
徐凌燕
,
徐亚东
功能材料
采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)分别生长了A1掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体,并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响.在相同的工艺条件下,A1掺杂晶体获得了6 × 109～2 × 1010Ω·cm的高电阻率,呈弱p或弱n型导电;In掺杂晶体电阻率在105Ω·cm数量级,呈n型导电;A1掺杂晶体在波数4000～500cm-1范围内红外透过率平直且较高,而In掺杂晶体红外透过率随波数下降而降低,在波数1250cm-1处降至零.采用A1掺杂晶片制备的探测器对241Am 59.54keV射线的能量分辨率为14%,表明所生长A1掺杂晶体基本满足了探测器材料使用要求.
关键词:
Cd0.9Zn0.1Te
,
Al掺杂
,
霍尔测试
,
红外透过率
王涛
,
俞鹏飞
,
徐亚东
,
查钢强
,
傅莉
,
介万奇
人工晶体学报
采用改进的垂直布里奇曼法生长了直径为60 mm的CdZnTe晶体,测试了其在10 K～150 K范围的PL谱.对760 nm和825 nm处的峰积分强度随温度变化关系进行研究发现,在30～50 K范围内,PL谱峰的强度呈现反常温度依赖现象,即随着温度的升高而减小,也就是所谓的"负热淬灭"现象,这在CdZnTe晶体中属首次观察到.进一步分析表明,随着温度的增加,其PL谱强度变化的过程包含了三个无辐射过程和一个负热淬灭过程.与没有发生"负热淬灭"现象的CdZnTe晶体对比,两者XRD图谱呈现明显差异.讨论了发生负热淬灭现象的原因以及可能路径.
关键词:
CdZnTe
,
PL谱
,
负热淬灭
