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钛合金表面激光熔覆AlBxCoCrNiTi高熵合金涂层的组织与性能

李涵 , 马玲玲 , 超群 , 孙琳 , 张维平

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.06.036

目的 研究AlBxCoCrNiTi(x=0、0.5、1)高熵合金涂层的组织及性能,提高钛合金表面硬度及耐磨性.方法 采用激光熔覆技术在TC4钛合金表面制备出AlBxCoCrNiTi高熵合金涂层,运用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、电子探针(EPMA)等材料分析手段,研究了B含量对高熵合金涂层形貌、组织结构、成分的影响,并采用维氏硬度计以及摩擦磨损试验检测了熔覆涂层的硬度和耐磨性能.结果 高熵合金涂层与基体的整体结合形貌良好.未添加B的高熵合金涂层主要由BCC相和晶体结构类似(Co,Ni)Ti2相组成.随着B的加入,高熵合金涂层的晶粒得到细化,BCC相含量增加,(Co,Ni)Ti2相含量有所减少,且熔覆层原位生成了TiB2硬质相,TiB2硬质相含量随B含量的增加而增加.熔覆涂层的硬度和耐磨性与B含量呈正相关关系,AlB1CoCrNiTi高熵合金涂层的平均显微硬度最大,为814HV,且AlB1CoCrNiTi高熵合金涂层的磨损量最小,其耐磨性约为未添加B的高熵合金涂层的7倍.结论 B含量的增加,有助于改善AlBxCoCrNiTi高熵合金涂层的摩擦学性能,AlBxCoCrNiTi高熵合金涂层有效提高了钛合金表面的硬度及耐磨性能.

关键词: 激光熔覆 , 高熵合金 , 钛合金 , 涂层 , 显微硬度 , 耐磨性

错的稳定存在

程开甲 , 程漱玉

稀有金属材料与工程

阐述了Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论的错形成机制. 通过对系统总能量的分析提出了错能够存在的判据, 计算给出多种单质材料错存在的极限尺寸值.

关键词: , Thomas-Fermi-Dirac-Cheng , 极限尺寸

硅片塑性形变与

谢书银 , 袁鹏 , 万关良 , 李励本 , 张锦心

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.03.012

通过1200℃、1.5 h急冷热处理实验, 研究了硅中错对高温塑性形变的影响及热处理过程中错密度的变化. 实验结果表明, 硅中原有错密度越大或热处理急冷温度越高, 均使塑性形变更加严重. 错密度为0.4~2×103 cm-2的硅片的弯曲度变化是无错硅片的3倍多, 1200℃急冷产生的形变量是770℃急冷的4倍. 无错硅片在高温热处理中会产生大量错,且急冷温度越高, 产生的错越多. 热处理中区熔硅片容易在边缘产生错星形结构.

关键词: 硅片 , 塑性形变 , , 热处理

疲劳软化的低能错结构

柴惠芬 , 汪立勤 , C.LAIRD

金属学报

用电子衍衬技术研究了预变形6%的1018钢在疲劳过程中错组态的演变。晶体中错十分可动,变形态的松散胞迅速变化为主胞壁大致沿{100}的棋盘结构,再逐渐演变为错偶墙及迷宫结构的低能错组态。bcc和fcc的迷宫特征以及偶墙取向相似,说明错线的滑移几何特性及相应的错细节不是软化过程的控制因素,错组态的能量状态对软化有重要影响。讨论了周期载荷下胞间位向差的消失以及内应力下降的过程。

关键词: 1018钢 , fatigue softening , dislocation configuration

疲劳裂纹尖端的错结构

郑冶沙 , 王中光 , 艾素华

金属学报

在双相钢物理短裂纹门槛区,观察到稳定的错胞和墙结构;长裂纹门槛区,在铁素体/马氏体相界堆垛错密度大,有形成错胞的趋势.长裂纹扩展第二阶段,铁素体晶粒内具有单向滑移线(R=0,-1)和正交网状(R=-1)的错结构,长裂纹扩展第三阶段,错稀少,但单滑移、双交滑移位错线明显拉长,说明裂纹尖端错组态是应变历史的产物.疲劳裂纹扩展门槛区形成的错胞和墙是一亚稳态结构,与门槛循环应力应变处于动态平衡,也是一微观结构参数.

关键词: 疲劳门槛 , crack tip , dislocation structure , dual-phase steel , physical short crack

用基本两量子逻辑门实现n量子逻辑门的研究

吕洪君 , 郭俊旺 , 彭斐 , 吴天昊 , 解光军

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.01.005

量子电路是实现量子态幺正演化的手段,一和两门是构成量子电路的基础.Barenco用基本的两量子逻辑门实现n量子逻辑门功能,张登玉在Barenco的工作基础上对用基本的两量子逻辑门实现n量子逻辑门功能进行了改进.通过对Barenco方案和张登玉方案的分析和研究,提出了一个用基本的两量子逻辑门实现n量子逻辑门功能的新方案,该方案结构更简单,且所用的两门更易于实现,同时指出和改正了张文的不太准确的结论.

关键词: 量子信息 , 量子逻辑电路 , 量子逻辑门 , 幺正变换 , Toffoli门

20CrMnTi钢错密度的测定及其错形态研究

程万军 , 黄良驹 , 刘化民

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.05.010

为了探讨20CrMnTi钢的冷变形强化过程错密度的分布与错形态,采用X射线衍射法及多晶单线付氏分析理论,在实验基础上测量了不同应变量冷变形时20CrMnTi钢的错密度,分析了应变量与错密度及加工硬化的关系,利用透射电子显微镜对冷镦粗件的错形态进行了观察.结果表明,错密度随变形量的增加而提高,同时,随变形量增加加工硬化效果增强,晶体位错形态为"曲折"形错线,应变量较大时错呈胞状结构.

关键词: 错密度 , 错形态 , 冷变形

晶界错运动与错反应过程的晶体相场模拟

高英俊 , 卢成健 , 黄礼琳 , 罗志荣 , 黄创高

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00308

采用晶体相场模型模拟了小角度对称倾转晶界结构及其在外加应力作用下的晶界演化消失过程,从错的运动形式和体系自由能的变化,分析晶界的消失过程和错的反应机理,并计算了错分解的激活能.研究表明,具有二维三角晶格原子点阵结构形成的小角度对称倾转晶界是由配对的双错按直线规则排列构成,可以看成由2套错Burgers矢量组成.晶界的消失演化过程主要分为6个特征阶段,包括如下几方面的特征过程:首先晶界错攀移,然后发生错分解,晶界发射错,错由攀移运动转化为作滑移运动;接着滑移位错穿过晶粒内部,直到对面晶界上湮没,即被晶界吸收与合并;剩余的晶界错继续作攀移运动,然后又出现错分解,晶界再次发射错,使得错转为作滑移运动,与其它作滑移运动的错在晶内相遇湮没消失.最后,所有晶界和错全部消失,双晶结构变成为完整的单晶结构.应用三角晶系的点阵位错的2套基本Burgers矢量的组合,可以有效地表示错的发射、分解、合并、吸收、湮没的反应过程,并能够揭示出这些反应过程的新Burgers矢量的产生和原有的Burgers矢量的消失,以及Burgers矢量方向发生变化的机理.

关键词: 晶界 , 错反应 , 应变 , 晶体相场模型

磷酸铁锂掺杂改性中Li和Fe掺杂效果分析

张俊喜 , 许明玉 , 曹小卫 , 宋锴焱 , 梅颖 , 严锦程 , 杨希 , 王保峰

功能材料

对LiFePO4的不同位金属离子掺杂改性进行了研究,采用共沉淀法合成Li和FeMg2+、Mo6+掺杂的LiFePO4正极材料,通过XRD、XPS、充放电曲线以及CV、Mott-Schottky对材料进行表征和测试,主要分析了金属离子在Li和Fe掺杂对材料性能的影响.结果表明Mg2+和Mo6+可以分别在Fe和Li掺杂,且不会影响磷酸铁锂的橄榄石结构,掺杂可以改善材料的电化学性能.从掺杂效果来看,Fe掺杂比Li掺杂更优越,从材料的晶体结构和半导体性质着手对掺杂机理作了分析讨论.

关键词: LiFePO4 , 掺杂 , Li , Fe , Mott-Schottky测试

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