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表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响

李卫青 , 顾广瑞 , 李英爱 , , 冯伟 , 刘丽华 , 赵春红 , 赵永年

功能材料

用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响,样品场发射特性的变化可能与表面负电子亲和势有关,未进行热处理的样品阈值电场较低,可能归因于表面负电子亲和势效应,阈值电场为8V/μm,发射电流为80μA,热处理温度为800℃时,负电子亲和势仍然存在,直到热处理温度达到1000℃时,表面负电子亲和势才消失.

关键词: 氮化硼薄膜 , 表面热处理 , 场发射 , 发射电流 , 阈值电场

氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响

李卫青 , 顾广瑞 , 李英爱 , , 冯伟 , 刘丽华 , 赵春红 , 赵永年

功能材料

用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加,阈值电场降低,发射电流明显增大.氧等离子体处理对BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低,这只能是由于氧化层存在的原因.

关键词: 氮化硼薄膜 , 场发射 , 表面处理 , 阈值电场 , 发射电流

纳米厚度氮化硼薄膜的场发射特性

顾广瑞 , 李英爱 , 陶艳春 , , 殷红 , 李卫青 , 赵永年

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.01.003

利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54~135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1 380cm-1和780cm-1).在超高真空系统中测量了不同膜厚BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与膜厚关系很大,阈值电场随着厚度的增加而增大.由于BN薄膜和Si基底界面间存在功函数差,使得Si基底中电子转移到BN薄膜的导带,在外电场作用下隧穿BN表面势垒,发射到真空.

关键词: 纳米氮化硼薄膜 , 场发射 , 厚度 , 功函数

CdZnTe(110)面表面原子弛豫和表面态的研究

查钢强 , 李强 , 曾冬梅 , , 张文华 , 介万奇

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.002

通过真空Ar+离子刻蚀获得理想清洁的(110)表面,采用低能电子衍射(LEED)观察了(110)面表面原子结构,观察到(110)面表面未发生重构.采用光电子能谱技术验证了(110)面表面原子结构发生了弛豫.采用角分辨光电子谱(angle-resolved photoemission spectropy)实验测量出在费米能级以下0.9eV处存在峰宽约为0.8eV的表面态.并估算出其表面电荷密度约为6.9×1014cm-2,亦即表面Te和Cd(Zn)原子各有一个悬键.

关键词: 低能电子衍射 , 角分辨光电子谱 , 表面原子驰豫 , 表面态

Ca加入量对Mg-5Al-0.4Zn基铸造合金组织与力学性能的影响

杨光昱 , 郝启堂 , 介万奇 , 贾文平 ,

金属学报

用砂型铸造了不同Ca含量的Mg-5Al-0.4Zn-0.2Mn-Sr-Ti-xCa合金. 当x为0.37, 0.70, 0.93, 1.69时,合金相组成为α-Mg,(α+Al2Ca)共晶和Mg17Al12. 当x=2.93时,相组成为α-Mg和(α+(Mg, Al)2Ca)共晶. 随着x增加,合金的室温力学性能(σb和δ)呈下降趋势,但合金在200 ℃下的强度先升高,后又降低. 高温延伸率随x增加而下降. 合金200 ℃下的屈服强度σ0.2, 200 ℃随x的增大而稳步增加. 组织的热稳定性分析表明,Ca溶入 Mg17Al12相使得其自身的耐热性提高. 晶界上耐高温相Al2Ca或(Mg, Al)2Ca的形成,在高温下对晶界具有钉扎作用,并降低了晶界处的溶质扩散速度,使晶界强度提高. TEM分析表明, 含Ca合金在200 ℃拉伸时,(10-10)棱柱面和(-1-121)角锥面上的位错参与了滑移. 不同滑移系的位错滑移到晶界时,受到晶界上Al2Ca相阻挡而发生位错塞积.

关键词: 铸造镁合金 , mechanical property , grain boundary strength

Mg-Al-Cu系砂型铸造镁合金组织和性能研究

郝启堂 , 杨光昱 , 介万奇 , , 李杰华

稀有金属材料与工程

设计了Mg-Al-Cu系的3种新合金AC33,AC53和AC63.发现3种实验合金的相组成相同:δ-Mg基体+(δ-Mg+Mg2Al2Cu3)共晶+(δ-Mg+Mg17Al12+Mg2Al2Cu3)三元共晶.实验合金的室温力学性能优良.3种实验合金在200℃,50 MPa条件下的蠕变抗力明显优于AZ91C合金,其中AC53合金的抗高温蠕变性能最优.Cu从以下途径影响了Mg-xAl合金的蠕变特性:Cu的添加抑制了Mg17Al12相的析出,使合金耐热性提高.该系列实验合金单从力学性能和抗蠕变性能来看,是非常有发展潜力的.

关键词: 镁合金 , 显微组织 , 砂铸 , 力学性能 , 退火 , 蠕变

磁控溅射制备纳米TiO2薄膜导电性的研究

顾广瑞 , 李英爱 , 陶艳春 , , 赵永年

无机材料学报

研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99%)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15~225nm.在室温下测量了不同厚度TiO2薄膜的电阻率,发现TiO2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化.这归因于基底材料与TiO2的功函数不同,导致了界面电子的转移,功函数差决定了电子转移的深度.

关键词: TiO2薄膜 , conductivity , resistivity , transfer of electrons

Ca加入量对Mg-5Al-0.4Zn基铸造合金组织与力学性能的影响

杨光昱 , 郝启堂 , 介万奇 , 贾文平 ,

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.09.007

用砂型铸造了不同Ca含量的Mg-5Al-0.4Zn-0.2Mn-Sr-Ti-xCa合金.当x为0.37,0.70,0.93,1.69时,合金相组成为α-Mg,(α+Al2Ca)共晶和Mg17Al12.当x=2.93时,相组成为α-Mg和(α+(Mg,Al)2Ca)共晶.随着x增加,合金的室温力学性能(σb和δ)呈下降趋势,但合金在200℃下的强度先升高,后又降低.高温延伸率随x增加而下降.合金200℃下的屈服强度σ0.2,200℃随x的增大而稳步增加.组织的热稳定性分析表明,Ca溶入Mg17Al12相使得其自身的耐热性提高.晶界上耐高温相Al2Ca或(Mg,Al)2Ca的形成,在高温下对晶界具有钉扎作用,并降低了晶界处的溶质扩散速度,使晶界强度提高.TEM分析表明,含Ca合金在200℃拉伸时,(1010)棱柱面和(1121)角锥面上的位错参与了滑移.不同滑移系的位错滑移到晶界时,受到晶界上Al2Ca相阻挡而发生位错塞积.

关键词: 铸造镁合金 , 力学性能 , 晶界强度 , 位错

磁控溅射制备纳米TiO2薄膜导电性的研究

顾广瑞 , 李英爱 , 陶艳春 , , 赵永年

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.06.040

研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99%)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15~225nm在室温下测量了不同厚度TiO2薄膜的电阻率,发现TiO2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化.这归因于基底材料与TiO2的功函数不同,导致了界面电子的转移,功函数差决定了电子转移的深度.

关键词: TiO2薄膜 , 导电性 , 电阻率 , 界面电子转移

氮化硼薄膜的场致发射特性

顾广瑞 , , 李英爱 , 王翠 , 冯伟 , 赵永年

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.01.008

研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N2的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1.2Pa的条件下进行的.在超高真空系统中测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与基板偏压和膜厚关系很大.

关键词: BN薄膜 , 场发射 , 偏压

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