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等离子体化学气相沉积参量对Ar等离子体电子特性的影响

魏俊红 , 林璇英 , 赵韦人 , 池凌飞 , 余云鹏 , 林揆训 , 黄锐 , 王照奎 , 余楚迎

采用加热的调谐单探针技术,研究了射频辉光放电Ar等离子体空间电子能量分布函数,电子平均能量和电子密度,并系统分析了等离子体增强化学气相沉积工艺参量对等离子体空间电子特性的影响.

以SiCl4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜

黄锐 , 林璇英 , 余云鹏 , 林揆训 , 姚若河 , 黄文勇 , 魏俊红 , 王照奎 , 余楚迎

报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度, 而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大.通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜.薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1.

关键词: 多晶硅薄膜 , SiCl4 , 生长速率 , 晶化度

SiCl4-H2为气源低温制备多晶硅薄膜

黄创君 , 林璇英 , 林揆训 , 余云鹏 , 余楚迎 , 池凌飞

功能材料

以SiCl4-H2为气源,用等离子体化学气相沉积技术,在衬底温度仅为200℃时能获得多晶硅薄膜.最大晶粒达1.5μm,结晶度在90%以上.薄膜中不合Cl、H、C、N、O等杂质,暗电导率高达10-4Ω-1@cm-1,光照稳定性好.对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论.

关键词: 多晶硅薄膜 , SiCl4/H2气源 , 低温生长 , 结晶度

液晶显示用新型偏光片紫外光谱特性研究

欧阳艳东 , 黄翀 , 余云鹏 , 林舜辉

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.020

通过测量ITO玻璃及偏光片对各波段紫外光的光谱特性,分析比较一般偏光片和防紫外偏光片F1225DU的紫外透射光谱,从而说明新型偏光片的防紫外特性.F1225DU对紫外线有比较好的吸收,能挡住各种波长的紫外光,起防止紫外光破坏液晶显示器件的作用.

关键词: 偏光片 , 紫外光 , 液晶显示器 , 透射光谱

氢等离子体加热法晶化a-Si:H薄膜

陈城钊 , 林璇英 , 林揆训 , 余云鹏 , 余楚迎

功能材料

利用氢等离子体加热晶化n+-a-Si∶H/a-Si∶H薄膜,可以在450℃的衬底温度下制备多晶硅薄膜.采用X射线衍射谱、Raman散射谱和扫描电子显微镜等手段进行表征和分析,研究了不同退火条件对薄膜晶化的影响.结果表明,随着射频氢等离子功率的提高、衬底温度升高和退火时间的增加,薄膜的晶化度呈现出增加趋势.

关键词: 多晶硅薄膜 , 氢等离子体加热 , 退火工艺 , 晶化度

用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究

黄锐 , 林璇英 , 余云鹏 , 林揆训

功能材料

以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响.实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速率也强烈依赖于氢流量,随氢流量的减小而增大,与氢流量对薄膜晶化度的变化关系一致.通过调控氢流量,在低氢流量条件下获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高达76%的晶化硅薄膜.

关键词: 纳米晶硅薄膜 , SiCl4 , 生长速率 , 晶化度

云底高度的激光云高仪、红外测云仪以及云雷达观测比对分析

黄兴友 , 胡汉峰 , 夏俊荣 , 卜令兵 , 张雪芬 , 雷勇 , 黄建松 , 王巍巍 , 吴迪 , 蒋昌华

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.01.013

为了比较几种自动化测云仪器的性能,中国气象局气象探测中心在南京信息工程大学的气象探测基地首次组织了一次为期近5个月的比对试验,试验仪器包括四台激光云高仪、两部红外测云仪、一台全天空成像仪以及一部毫米波云雷达.对其中大部分仪器取得的三个月云底高度数据进行了初步分析,结果表明:三台激光云高仪测量结果比较一致；两部红外测云仪在测量低云时一致性稍差；云雷达与激光云高仪测量的最低层云底高度数据一致性较差,但与红外测云仪的测量结果匹配较好.

关键词: 大气光学 , 云底高 , 激光云高仪 , 红外测云仪 , 云雷达

石煤提钒萃余液的循环利用研究

张国斌 , 张一敏 , 黄晶 , 刘涛 , 王非 , 王一

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.06.016

以江西某地石煤为原料,采用直接酸浸—萃取—反萃—沉钒—煅烧的工艺进行萃余液循环利用实验,对石煤提钒萃余液循环利用过程中V浸出率、V萃取率,萃取现象,V2O5产品质量与萃余液循环次数之间的关系及杂质元素Al,K,Ca,Mg,Fe,Si在萃余液循环利用过程中的行为进行了研究.研究表明:萃余液的循环利用对V浸出率、V萃取率,萃取现象及V2O5产品质量的影响不大,在萃余液循环利用过程中,V的浸出率在92％～ 94％之间波动,V的一级萃取率在75％～78％之间波动,萃取现象正常,V2O5产品的品位始终大于98％;萃余液未循环时,浸出液中的Al,K,Ca已饱和,过饱和的Al,K以KAl(SO4)2(H2O)12的形式析出进入浸出渣中,过饱和的Ca以CaSO4的形式析出进入浸出渣中,使得萃余液循环过程中浸出液、萃原液、萃余液中Al,K,Ca的含量在第一次循环时急剧增加,随后增加趋势减缓,最终保持稳定;浸出液、萃原液、萃余液中Mg,Fe的含量随萃余液循环次数的增加逐渐累积,累积至一定程度后趋于稳定;浸出液、萃原液、萃余液中Si的含量在萃余液循环利用过程中基本不累积.

关键词: 石煤 , 萃余液 , 萃取 , 循环利用

连铸铸余渣的返回利用

宋素格 , 王三忠 , 张振申 , 王新志 , 孙玉强

钢铁研究

为了合理利用返回的连铸铸余渣,对铸余渣组分进行分析,得到其碱度平均值为4.09,w(TFe+ MnO)平均值为1.64％,属于高碱度还原性炉渣.对4种铸余渣返回利用方式进行了对比分析,结果表明:返回利用效果优劣次序依次为出钢前、出钢后、LF精炼开始前和LF精炼造渣期.在转炉出钢前进行返回利用效果最佳,适宜的铸余渣返回量为5.0～12.0 kg/t,吨钢综合冶炼成本可节约5.94元.

关键词: 铸余渣 , 返回利用 , 冶炼成本