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500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si0.5Ge0.5层

赵雷 , 左玉华 , 李传波 , 成步文 , 罗丽萍 , , 王启明

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.002

利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态.并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱.拉曼谱、高分辨显微电镜和光荧光谱对其结构和光学性能进行的表征表明这种相对较厚的Si0.5Ge0.5/Si多量子阱结构基本上仍是近平面生长的,内部没有位错,其在电学和光学器件上具有潜在的应用.

关键词: UHV/CVD , 拉曼测量 , 光荧光 , Si0.5Ge0.5

面向硅基光互连应用的无源光子集成器件研究进展

陈少武 , , 徐学俊 , 黄庆忠 , 和军 , 屠晓光 , 李运涛

材料科学与工程学报

光互连是突破传统微电子IC性能瓶颈的重要技术手段,对推进"后摩尔时代"微电子技术的发展和高性能计算技术的实现具有关键性意义.本文在归纳总结不同层次光互连结构特点的基础上,对片上光互连(on-chip or intra-chip optical interconnects)所涉及的若干种无源光子集成器件的设计制备及性能特点进行了分析介绍,这些器件包括SOI亚波长光子线波导、SOI光子晶体波导、MMI分束/合束器、微环/微盘谐振腔滤波器、光子晶体微腔耦合滤波器、光子晶体反射镜等,是硅基片上光互连的基本构成单元.本文对这些关键性光子集成器件的国内最新研究进展进行了报道.

关键词: 硅基光子学 , 片上光互连 , CMOS微纳加工工艺 , 无源光子集成器件 , 光子线波导 , 微腔滤波器

Si0.75Ge0.25虚衬底上应变补偿Si/Si0.61Ge0.38量子阱发光

廖凌宏 , 周志文 , 李成 , 陈松岩 , 赖虹凯 , , 王启明

材料科学与工程学报

由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si1-x Gex虚衬底上外延应变补偿的Si/S1-y Ge,(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上.在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层(虚衬底),表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%.在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性.

关键词: 低维无机非金属材料 , 量子阱 , 光致发光谱 , 弛豫缓冲层

反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究

陆建祖 , 魏红振 , 李玉鉴 , 张永刚 , 林世鸣 , , 刘忠立

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.031

以SF6/N2混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法:在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型,可以予测给定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比,并且以仿真实验数据训练模型学习,模型具有通用性,与设备无关.

关键词: 干法刻蚀 , 工艺仿真 , 人工神经网络

SOI光电子集成

, 严清峰 , 夏金松 , 王小龙 , 王启明

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.001

SOI (Silicon- on- Insulator) 光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与 CMOS 工艺完全兼容,可以实现低成本的 SOI基整片集成光电子回路.本文综述了近几年来 SOI集成光 电子器件的发展以及一些最新的研究进展 , 着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构, 包括 SOI光波导、 SOI光波导耦合器、 SOI光波导开关、相位阵列波导光栅( PAWG)、基于 SOI的光 探测器等,并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展.

关键词: SOI , 光电子集成电路 , 光波导 , SOI光波导开关 , 阵列波导光栅 , SOI基光探测器

GexSi1-x材料生长的改善

李代宗 , 于卓 , 雷震霖 , 成步文 , , 王启明

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.02.020

利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在650℃生长出表面光亮的GeSi单晶在1200L/min分子泵与前级机械泵间串接450L/min分子泵,改善了生长环境串接分子泵后生长的样品的X射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为198arcsec,且出现了Pendellosung干涉条纹,说明外延层结晶质量很好.

关键词: 超高真空化学气相淀积 , GeSi , X射线双晶衍射

N235萃取色谱法分离萃铟锗的研究

蒋新宇 , 周春山 , 汤淑芳

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.02.008

对萃铟锗的 CL-N235萃淋树脂分离进行了研究.以N235为萃取剂,酒石酸为络合剂,在流动相 pH=1.5~2.5,线性流速 1.30 cm/min 条件下锗的吸萃率可达 98% 以上.CL-N235 树脂对锗的吸萃选择性好,Zn、Fe、Cu、Cd的存在对锗的吸萃无影响.

关键词: 萃取色谱 , 萃铟 , , CL-N235萃淋树脂

P204从石煤浸出液萃取钒及萃废水处理研究

魏昶 , 李兴彬 , 邓志敢 , 时亮 , 麦毅 , 刘毅

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2010.03.016

采用P204从石煤酸性浸出液萃取钒,考察了料液初始pH值、萃取剂浓度、相比、萃取级数对钒萃取率的影响.结果表明:溶液pH值升高对钒的萃取有利,但随溶液pH值增大,溶液沉淀量增多,钒损失率增大,X射线衍射图分析结果表明沉淀的主要成分为Fe,SO2-4,PO3-4和NH4-的结晶物.萃取剂浓度或相比(O/A)的增大,钒萃取率升高;以含10%P204,5%TBP和85%磺化煤油的有机相做萃取剂,在相比为1:1,溶液初始pH值2.48的条件下,钒的单级萃取率为76.7%,经6级逆流萃取,钒的萃取率达到94.2%.采用生石灰处理萃废水,当溶液pH值大于7.3时,萃废水得到有效净化,处理后的废水清澈透明,可返回循环使用.

关键词: 溶剂萃取 , P204 , 石煤 , 五氧化二钒

火试法测定树脂

李小玲

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2010.04.015

采用样品与试剂混合, 直接在灰皿中进行熔融、灰吹,合粒用硝酸分解,火试法测定树脂.实验结果表明,该方法对测定树脂具有较好的准确度,相对标准偏差为1.27 %.

关键词: 火试 , 树脂 ,

杂质元素对火试重量法测定粗量影响的探讨

马丽军 , 李正旭 , 钟英楠 , 阚春海 , 肖千鹏 , 赵可迪

黄金 doi:10.11792/hj20170419

研究了杂质元素对火试重量法测定粗量的影响,并通过一系列实验分别确定了粗铜、铁、锌、镍、铂、钯、硒、碲、锑、铋、钛、钨12种杂质元素适用于该方法的上限量值,及杂质元素超上限量值时所采取的措施,保证了方法的适用性,对指导黄金冶炼企业准确测定粗量具有重要的意义.

关键词: , 火试 , 重量法 , 杂质 , 增量

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