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温度对镁基储氢材料用于噻吩加氢反应的影响

利用机械反应球磨法制备了镁基储氢材料,在连续操作固定床反应器上,以噻吩为模型化合物,研究了温度对镁基储氢材料与噻吩反应的影响.结果表明:反应温度过低,储氢材料将无法为噻吩加氢反应供氢,噻吩不发生加氢反应；反应温度过高,噻吩加氢反应生成的C4烃容易发生积碳反应.只有在特定温度范围内,储氢材料才能与噻吩反应生成C4烃.

关键词: 储氢材料 , 加氢脱硫 , 噻吩转化率 , 氢化镁

氢氧化钠碱浸钴钼废催化剂综合回收研究

卢国俭 , 欧阳春 , 冉维娴 , 张倩倩 , 辛春雨

稀有金属 doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2014.02.015

采用氢氧化钠碱浸、硫酸酸化分步沉淀法从废催化剂中回收Mo,Al,Bi,Co,Ni等有色金属.首先对废催化剂进行氢氧化钠一、二次碱浸,使氧化钼和氧化铝生成可溶性的盐与氧化铋、氧化钴、氧化镍分离,然后通过分段沉淀使钼和铝分离,制备钼酸铵和硫酸铝.其次对碱浸富集氧化铋、氧化钴和氧化镍渣,利用氢氧化物溶度积不同,采用分步沉淀一酸溶萃取法使钴、铋、镍得到有效分离.试验结果表明:球磨时间30 min、催化剂粒度小于74 μm、氢氧化钠的加量为金属Mo和Al理论耗量的1.2倍、液固比选取4:1、浸出温度90℃时,一次碱浸钼的浸出率可达96.25％,一次碱浸渣再次碱浸率可达99.50％.碱浸富集金属混合渣采用加热酸浸、氧化除铁,将滤液的pH控制在2左右使铋以氢氧化铋沉淀分离,控制pH为9.5,使镍、钴以氢氧化物形式沉淀,然后酸溶、萃取使钴镍分离.整个回收工艺中,钼和铝的总回收率分别为94.56％和96.89％.

关键词: 钼 , 铝 , 氢氧化钠 , 废催化剂 , 回收

焦煤用于镁基储氢粉体造粒的研究

丁超 , 贺柄慧 , 楚慧超 , 沈怡君 , 李爱峰 , 冉维娴

材料导报

用无烟煤作助磨剂(球磨减小镁的粒度),用焦煤作热成型的粘结剂,制得了具有一定粒度和机械强度的储氢材料.扫描电镜观测结果表明,储氢材料中的镁和无烟煤颗粒被受热时发生熔融的焦煤粘结了起来.X射线衍射测试结果表明,镁吸氢后成为四方晶系MgH2.当焦煤添加量为15％～25％、热处理温度为500～600℃时,制得耐磨强度较高的块状储氢材料.

关键词: 储氢材料 , 焦煤 , 粘结剂 , 造粒

一维,二维和三维Si基纳米线的制备

胡卫兵 , 史伯安 , 但悠梦 , 谭志斗 , 吴少尉 , 朱艳秋 , 徐文光

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.011

在 Ar气氛中,SiC粉末分别在 Fe、 Co、 Fe:Co(1:1)的催化下,经一步反应制备了一维、二维和三维 Si基纳米线. SEM、 HRTEM、 EDX分析表明一维线状和二维网状 Si基纳米线由 C、 Si、 O组成,存在两类纳米线,一类是 SiOx包裹的 Si纳米线;另一类是 SiOx包裹的 SiC纳米线.三维Si基纳米线组成象花一样的结构,仅由 SiOx组成. SiOx和 Si是无定形结构,SiC是β-SiC单晶.

关键词: 一维 , 二维 , 三维 , Si基纳米线 , 制备

低维材料的研究

李燕 , 姜斌 , 邓宏 , 蒋书文 , 周晓燕

材料导报

主要论述了低维材料的制造方法、特异性能及在光电子和微电子器件领域的应用,包括介质超晶格、金属超晶格和一维量子线;介绍了我们分别采用激光分子束外延制备的BaTiO3/SrTiO3介质超晶格及其介电性能、直流磁控溅射法制备的强紫外光反射的Cu/Ti超晶格和宽禁带的一维ZnO量子线;描述了低维材料的发展前景.

关键词: 低维材料 , 介质超晶格 , 金属超晶格 , ZnO量子线

氮化镓低维材料

陈小龙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.013

本文综述了本实验室近年来在半导体低维材料制备和结构方面的一些进展,内容包括纳米线、纳米带、量子点、纳米固体的制备和结构特征、纳米线径向生长动力学和表面形貌稳定性.

关键词: 氮化镓低维材料 , 生长动力学 , 形貌稳定性

基于二维方孔光栅的平面三维显示

孔令胜 , 王天聪 , 蔡盛 , 钟兴 , 张雷 , 徐开 , 金光 , 乔彦峰 , 贾继强

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.029

一维狭缝光栅实现平面三维显示具有低成本、光栅参数易于改变和无需对焦的优点,但存在遮挡画面影响亮度的缺点;二维透镜阵列具有全视差且深度感知自然的优点,但存在显示像素低和观察视角小的缺点.为了同时兼顾上述两种方案的优点,结合一维狭缝光栅和二维透镜阵列提出了一种基于二维方孔光栅的平面立体显示方案.Lighttools软件仿真实验结果表明:基于二维方孔光栅的平面三维显示原理可行.其像质因子略小于一维狭缝光栅的像质因子,但继承了一维狭缝光栅和二维透镜的优点,是实现平面三维显示的一种新的发展方向.

关键词: 平面三维显示 , 纵横视差 , 像质因子

一维结构中的发光特性

张雷 , 洪广言

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.018

具有低维结构尤其是一维结构的物质往往具有较特殊或更优异的性质.本文研究了具有一维结构的发光物质的发光特性与微观结构之间的关系,得到了某些规律,即在一维结构中,只有存在相对较短的M-O键才可能引起电荷迁移产生发光;在该化合物中M应为变价元素且低价态具有发光性质;一维键上的能量传输往往具有很高的发光猝灭浓度和可能存在发光中间体.

关键词: 一维结构 , 电荷迁移 , 发光

三维RIM充模模拟

任世杰 , 戴干策

高分子材料科学与工程

采用混合数值方法对三维RIM充模过程进行了数值模拟,即在模腔宽度上采用有限元法,而在厚度方向上采用有限差分方法,对三维问题进行求解.采用这种方法,避开了直接求取三维有限元所带来的困难.同时采用了任意拉格朗日-欧拉法处理流动前缘.文中对数值结果进行了讨论.

关键词: 反应注射成型 , 充模 , 数值模拟

高维量子态存储

丁冬生 , 周志远 , 史保森

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.04.008

量子通信网络主要由用于存储和操纵量子态的存储单元和联络存储单元之间的信息载体构成.光子是信息载体的最佳选择,存储单元可以由固态材料或气态原子组成.相对于二维空间,编码于一个高维空间的光子可以携带更大的信息量.若能够实现编码于高维空间的量子态存储,则在增大存储单元存储容量的同时,还可以提高网络的信道容量和传输效率,因而高维量子态的存储研究成为当前量子信息领域的热点领域.简要回顾了国内外在高维量子态存储方面的进展,着重介绍了近期基于冷原子系综实现单光子条件下高维量子态存储的突破性进展,提出了构建高维量子网络需要解决的关键问题.

关键词: 量子光学 , 量子存储器 , 高维编码态 , 轨道角动量 , 存储

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