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硅烷偶联剂改性丙烯酸酯乳液的合成及表征

, 魏铭

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2012.01.003

针对纯丙乳液耐水性差的问题,将阴离子、非离子、反应型乳化剂进行复配,分别引入γ -(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷和乙烯基三甲氧基硅烷2种硅烷偶联剂,制备了四元共聚的具有交联结构的纯丙乳液,通过FT- IR、TEM对乳胶粒的结构进行了表征.结果表明:2种偶联剂的最合适用量都为1%,乳液最低吸水率为1.4%,吸水率降低效果明显.

关键词: 硅烷偶联剂 , 乙烯基三甲氧基硅烷 , 纯丙乳液 , 吸水率

激光诱导Al等离子体温度随激光能量变化特性研究

张树东 , 陈冠英 , 陈辉 , , 董晨钟 , 周士康

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.01.010

利用YAG激光(波长1.06μm,脉宽为10 ns)烧蚀Al靶产生的三条Al Ⅲ等离子体谱线(452.92 nm,451.25 nm,415.01 nm),在局部热力学平衡近似下,利用玻尔兹曼图,测定了等离子体电子温度在不同激光能量下的变化特性。随着激光能量的增加,电子温度从14800 K近似单调的上升到20000 K,随后反而有所下降。在电子温度达最高时,连续辐射谱强度并未达最大值。同时还观测到,Al的原子谱线和离子谱线强度随激光能量有不同的变化特点。利用玻尔兹曼图的最小二乘方拟合,测得Al Ⅲ谱线447.99 nm(4f2F7/2-5g2G9/2)跃迁的几率约为(10.4士0.8)×108s-1。

关键词: Al激光等离子体 , 局部热力学平衡 , 电子温度

气压对激光烧蚀Al等离子体中粒子速度的影响

张树东 , 陈冠英 , , 董晨钟

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.02.034

在背景气压为8×10-3-100 Pa范围内, 通过测量脉冲激光烧蚀平面Al靶产生的等离子体辐射谱的时间分辨特征, 比较空间不同点辐射的飞行时间轮廓的相对延迟, 从而得到辐射粒子速度及其空间分布. 利用绝热膨胀的理论和激波模型分别对背景气压小于0.6 Pa的结果和5 Pa时的结果作了分析, 并得出激波的波面基本上为柱对称.

关键词: 激光等离子体 , 平面铝靶 , 粒子速度分布 , 激波模型 , 背景气压

滇润叶提取物在H2SO4中对钢的缓蚀作用

邓书端 , 李向红 , 付惠 , 孙友利

腐蚀与防护

滇润(Machilus yunnanensis)叶的提取物(简称为MYLE)可作为“绿色”缓蚀剂。用失重法、动电位极化曲线和电化学阻抗谱(EIS)研究了MYLE在0.5 mol/L H2SO4中对冷轧钢的缓蚀作用。结果表明,MYLE对冷轧钢具有良好的缓蚀作用,且在钢表面的吸附符合Langmuir吸附校正模型;MYLE为混合抑制型缓蚀剂;EIS谱在高频区呈容抗弧,在低频区出现感抗弧,电荷转移电阻随缓蚀剂浓度的增加而增大。

关键词: , 硫酸 , 滇润 , 缓蚀 , 吸附 , 提取物

宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷的判别分析研究

蔡敏敏 , 李国霞 , 赵维娟 , 李融武 , 赵文军 , 承焕生 , 郭敏

硅酸盐通报

利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.

关键词: 汝官瓷 , 张公巷窑青瓷 , 家门窑青瓷 , 判别分析

汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的多元统计分析

肖朋飞 , 赵红梅 , 李融武 , 赵文军 , 李国霞 , 赵维娟 , 承焕生

硅酸盐通报

本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.

关键词: 汝官瓷 , 钧官瓷 , 家门窑青瓷 , PIXE , 因子分析

甲基磺酸锡与硫酸锡镀哑光锡的比较

张振华

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2012.04.007

从实验验证、成本分析两个方面对甲基磺酸锡和硫酸锡为主盐的镀哑光锡电解液在镀液性能和镀层性能进行比较,验证了甲基磺酸锡镀哑光锡在镀层和镀液方面的性能优势,在成本上,对甲基磺酸锡镀哑光锡和硫酸锡镀哑光锡做对比分析,发现二者成本接近,综合研究结论为:甲基磺酸锡为主盐镀哑光锡在未来几年内,有取代硫酸锡的趋势.

关键词: 甲基磺酸 , 硫酸 , 镀层性能 , 镀液性能 , 成本

短沟道SiC MESFET阈值特性

韩茹 , 杨银堂 , 贾护军

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.014

基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及阈值电流的变化.栅长越大,温度越高,阚值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成阈值电流随栅压的变化越快.

关键词: 碳化硅MESFET , 沟道电势 , 漏极引致势垒降低效应 , 阈值电压

甲基磺酸锡合成工艺研究

李立清 , 曾台彪 , 梁飞

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.07.005

介绍了甲基磺酸锡的合成原理和实验步骤,分析了产物成分,研究了实验条件对甲基磺酸锡产率的影响.结果表明,本工艺合成路线简单,产物为白色固体,产率高,产品纯度高,最佳工艺为温度140 ℃,反应时间5.5 h,最好使用直径为3 mm的锡粒.

关键词: 甲基磺酸 , 合成原理 , 产率 , 纯度

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