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4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究

赵有文 , 段满龙 , 卢伟 , 杨俊 , 董志远 , , 高永亮 , 杨凤云 , 王风华 , 王俊 , 京明 , 谢辉 , 王应利 , 卢超

人工晶体学报

采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm-2.对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试, 其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均匀.与液封直拉法(LEC)相比, VGF-InP单晶生长过程的温度梯度很低,导致其孪晶出现的几率显著增加.然而大量晶体生长结果表明VGF-InP晶锭上出现孪晶后,通常晶体的生长方向仍为(100)方向,这确保从生长的4 inchVGF-InP(100)晶锭上仍能获得相当数量的2~4 inch(100)晶片.由于铁在InP中的分凝系数很小,掺Fe-InP单晶VGF生长过程中容易出现组份过冷,导致多晶生长.通过控制生长温度梯度及掺铁量,可获得较高的掺铁InP单晶成晶率.对VGF-InP单晶的电学性质、位错密度及位错的分布特点、晶体完整性等进行了研究.

关键词: 磷化铟(InP) , 垂直温度梯度凝固(VGF) , 孪晶 , 组份过冷

低位错密度4 inch GaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备

杨俊 , 段满龙 , 卢伟 , , 高永亮 , 董志远 , 王俊 , 杨凤云 , 王凤华 , 京明 , 谢辉 , 王应利 , 卢超 , 赵有文

人工晶体学报

采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备.通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te 整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg, 成晶率可达80%以上.4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm-2,其(004)双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好.晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性.经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片.通过控制本征受主缺陷浓度和掺杂浓度,制备出具有良好近红外透光率的n型GaSb单晶衬底.

关键词: 锑化镓(GaSb) , 液封直拉法(LEC) , 单晶 , 衬底

空间充气展开结构用化材料和化技术的研究现状

宇艳 , 孟秋影 , 谭惠丰 , 杜星文

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.02.018

化技术和化材料是空间充气展开结构的一项合材料;热塑性(和轻度交联热固性)复合材料;铝/聚合物层合板.本文介绍了这几种材料的典型化技术,分别介绍了化体系的特点、研究现状以及该化技术相应的优势与局限性.

关键词: 空间充气展开结构 , 化材料 , 化技术

总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器

郭天雷 , 赵发展 , , 海潮和 , 韩郑生 , 袁国顺 , 李素杰 , 姜明哲 , 张英武

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.011

对辐照加固的部分耗尽(Partially Depleted)SOI 8位微控制器(MCU)的总剂量辐照特性进行研究.该微控制器功能完全兼容intel MCS-51系列的80C51微控制器,采用1.2μm辐照加固的PDSOI CMOS工艺技术制备,芯片尺寸约为6.4mm×6.8mm.对该微控制器及同工艺条件下的MOSFET进行Co60辐照试验表明,在工作电压5V下,其总剂量加固水平高达1×106rad(Si),完全满足航空航天领域应用的要求.

关键词: 部分耗尽SOI , 微控制器 , 总剂量 , 辐照加固

基于内埋光纤Bragg光栅传感器的复合材料固化过程监测

耿湘宜 , 王静 , 姜明顺 , 隋青美 , , 李盼 , 贾玉玺 , 贾磊

复合材料学报 doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20151020.004

为了全面了解复合材料的固化特性,在对碳纤维增强树脂基复合材料固化变形进行数值仿真分析的基础上,将自行设计的光纤Bragg光栅(FBG)传感器埋入复合材料中,实时在线监测复合材料固化过程中温度和应变的演变。预浸料铺层方式为[011/9011],分别在层合板0°和45°方向的典型位置埋入 FBG 温度和应变传感器,采用热模压方式固化成型复合材料层合板,并对成型后的层合板进行连续2次降温处理,实时记录固化过程中FBG传感器中心波长的变化。结果表明:在相同的温度条件下,复合材料在第1次降温初始阶段的压应变绝对值明显小于在第2次降温初始阶段的压应变绝对值,表明复合材料在第1次降温过程中仍在进行 FBG传感器可检的“后固化”反应;此外,层合板变形的FBG传感器监测数据与有限元模拟结果吻合良好。因此,采用内埋FBG传感器的方法能够实时监测复合材料固化过程,为更全面地分析复合材料固化特性提供了一种可靠有效的方法。

关键词: 复合材料 , 固化变形 , 光纤Bragg光栅 , 过程监测 , 有限元模拟

利用羊八井中子监测器研究宇宙线的太阳日周期变化

仝帆 , 贾焕玉 , 周勋秀 , 祝凤荣 , 杨梦琦 , 郑博 , 许怡昕 ,

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.286

通过对宇宙线周期变化研究可以得到宇宙线产生和传播区域的重要信息,是宇宙线长期研究的重要热点问题.利用位于西藏羊八井(地磁截止刚度:14.1 GeV)的中子监测器2006至2011年的观测数据,研究宇宙线的太阳日周期变化.在对中子监测器观测数据进行气压修正后,通过Lomb-Scargle傅立叶变换法对修正后的数据进行周期分析,发现宇宙线计数率存在超过地球公转运动Compton-Getting效应的太阳日周期变化,该周期变化可能是地球公转效应和宇宙线传播物理过程调制效应以及剩余气象效应的叠加.计算分析了1日周期信号的振幅和初相位随时间的变化,发现1日周期变化的初相位存在较为明显的年周期变化规律,这可能是地球公转和自转合成运动的结果;1日周期变化幅度在2010年后出现增大趋势.这些结果对宇宙线周期变化和各向异性的研究具有重要参考意义.

关键词: 宇宙线 , 中子监测器 , 日周期变化

高性能钼合金的微观组织设计制备与性能优化

, 张国君 , 江峰 , 丁向东 , 孙院军 , 王林 , 罗建海 , 孙军

中国材料进展 doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2016.03.06

传统方法制备的稀土氧化物弥散强化钼合金(ODS钼合金)强度有限且塑性较差,导致其变形深加工能力不足,严重制约了其工业应用.分析了ODS钼合金制备工艺-微观组织-力学性能之间的因果关系,提出了铝合金纳米掺杂强韧化的新思路,即纳米尺度稀土氧化物颗粒均匀弥散分布在细晶钼基体晶粒内部、同时部分颗粒分布在晶界上的多层级微观结构优化原则,发展了制备该类新型钼合金的液液掺杂方法,所得到的高性能钼合金在拉伸屈服强度达到800 MPa量时,拉伸延伸率仍近40%,与传统方法制备的ODS钼合金相比,屈服强度提高了约15%,拉伸延伸率提高了逾160%,实现了强度和延性的同步提升.进一步建立了强韧化理论模型,对强度和延性的改善进行了量化描述.这种高性能钼合金由于力学性能优异、加工性能好,已获得了工业应用,其微观组织调控原则以及制备方法对其它难熔金属结构材料的高性能化同样具有借鉴意义.

关键词: 钼合金 , 强韧化 , 纳米稀土氧化物 , 液液掺杂 , 多层级微观结构 , 高延性

宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷的判别分析研究

蔡敏敏 , 李国霞 , 赵维娟 , 李融武 , 赵文军 , 承焕生 , 郭敏

硅酸盐通报

利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.

关键词: 汝官瓷 , 张公巷窑青瓷 , 家门窑青瓷 , 判别分析

高性能超细、纳米硬质合金及其制备过程中的关键技术问题

张立 , 陈述 , , 杨贵彬 , 黄泽兰 , 黄伯云 , 张传福

材料导报

介绍了超细、纳米硬质合金的国内外研究、生产以及市场情况,主要应用领域,硬度、抗弯强度、断裂韧性、热硬度、热导率等力学、热物理性能和使用性能特点,湿磨过程中的研磨与分散、混合料制备过程中的控氧、粉末成形、烧结过程中WC晶粒长大的控制和粉尘控制等合金制备过程中存在的关键技术问题以及解决这些问题的主要途径.

关键词: 硬质合金 , 超细/纳米 , 性能 , 制备

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