刘卫华
,
李有群
,
方文卿
,
周毛兴
,
刘和初
,
莫春兰
,
王立
,
江风益
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.011
首次报道Si衬底GaN LED的理想因子.通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec.蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec.硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行.
关键词:
Si衬底
,
GaN
,
LED
,
理想因子
麻华丽
,
李昕
,
刘卫华
,
乔淑珍
,
张锐
,
曾凡光
,
夏连胜
,
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.03.012
为了研究缓冲层对碳纳米管薄膜(CNTs)强流脉冲发射特性的影响,采用酞菁铁高温热解方法分别在镀镍和不镀镍硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Ni - CNTs和Si - CNTs),镍层采用化学镀方法制备,强流脉冲发射特性采用二极结构在单脉冲下进行测试.实验发现,通过引入镍缓冲层,CNTs的强流脉冲发射能力显著增强.在峰值为～10.4 V/μm的脉冲场强下,平均开启电场强度从Si - CNTs的5.0V/μm下降到Ni - CNTs的4.3 V/μm,而峰值发射电流和电流密度从Si - CNTs的70A和3.5 A/cm2升高到Ni - CNTs的162 A和8.1 A/cm2,Ni - CNTs的峰值电流比Si - CNTs提高了1.3倍.
关键词:
强流脉冲发射
,
化学镀
,
Ni缓冲层
,
碳纳米管
王庆富
,
刘清和
,
王晓红
,
郎定木
,
李科学
,
唐凯
,
刘卫华
稀有金属材料与工程
利用电化学测试技术、扫描电镜(SEM)及X射线能谱(EDS)对磁控溅射离子镀铌贫铀的电化学腐蚀行为进行了研究.实验结果表明:在50μg/g Cl-的KCl溶液中,铌的腐蚀电位远高于贫铀的腐蚀电位,铌镀层对贫铀是阴极性镀层,对贫铀的保护是基于其对腐蚀介质的物理屏障作用;镀铌贫铀的极化电阻和电化学阻抗幅值远大于贫铀,腐蚀电流远小于贫铀,铌镀层对贫铀具有良好的防腐蚀性能;镀铌贫铀的腐蚀特征为局部腐蚀,并由孔蚀向电偶腐蚀转变.
关键词:
贫铀
,
铌镀层
,
磁控溅射离子镀
,
电化学腐蚀
王庆富
,
刘清和
,
陈林
,
帅茂兵
,
王晓红
,
郎定木
,
刘卫华
稀有金属材料与工程
利用电化学测试技术、扫描电镜(SEM)及X射线能谱(EDS)对贫铀表面钛镀层的抗腐蚀性能进行了研究.结果表明:在50μg/g Cl-的KCl溶液中,钛镀层的腐蚀电位远高于贫铀的腐蚀电位,钛镀层对贫铀是阴极性镀层,对贫铀的保护是基于其对腐蚀介质的物理屏障作用;贫铀表面完整钛镀层的极化电阻和电化学阻抗幅值远大于贫铀,腐蚀电流远小于贫铀,完整钛镀层对贫铀具有良好的抗腐蚀保护作用；贫铀表面钛镀层的腐蚀特征为局部腐蚀,由孔蚀向电偶腐蚀转变；破坏的钛镀层将加速铀基体的腐蚀.
关键词:
贫铀
,
钛镀层
,
电化学腐蚀
刘兴辉
,
朱长纯
,
田昌会
,
刘卫华
功能材料
采用研制的大体积射频等离子体红外加热化学气相沉积设备,在600℃的低温下,在5cm×5cm大的Ni片上生长出碳纳米管薄膜.扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察显示,碳纳米管薄膜具有很好的均匀性,管径大约为70～90nm.随机地对样品的3个不同区域进行了场发射特性的测试,结果表明这种薄膜具有良好的场发射特性及一致性.开启电场约为2.4V/μm,在电场为6.6V/μm时的发射电流密度达到1635μA/cm2.实验结果表明在低温条件下,大面积生长场发射用碳纳米管薄膜是可行的.
关键词:
碳纳米管
,
大面积Ni衬底
,
化学气相沉积
,
场致发射特性
马可
,
贺永宁
,
张松昌
,
刘卫华
人工晶体学报
以Zn粉为材料,采用CVD法在宽温区内可控生长ZnO纳米线.利用SEM对产物进行了微观分析,考察了反应温度与升温时间对ZnO纳米线形貌的影响.用ZnO纳米线制成光电导型紫外光探测器,并测试了该器件的性能,考察了所得ZnO纳米线的光电特性.研究工作表明:用CVD法制备ZnO纳米线时的反应温度不限于某一个特定值,而是常压下在419.5℃以上的温区内均可进行,该宽温区ZnO纳米线CVD合成法的关键在于优化和匹配生长温度与加热时间两个参数.对紫外光探测器的性能测试结果表明,ZnO纳米线具有良好的紫外光电响应特性.
关键词:
ZnO纳米线
,
CVD生长法
,
宽温区生长
,
光电导型紫外线探测器
刘洪兴
,
王仁生
,
潘咏梅
,
刘红
,
刘卫华
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2011.01.015
乳山市大业金矿选金尾矿中绢云母含量高达23.3%.文中采用尾矿粗砂再磨,预选脱硫,贵金属矿物二次回收,脱硫尾矿再分级回收绢云母的选矿工艺,分别得到一级品、二级品、三级品3个等级的绢云母新材料,平均粒径达到3.59 μm.该项目具有投资少、成本低、材料性能好、价格优的明显优势,经济效益、环境效益显著,值得借鉴和推广.
关键词:
选金尾矿
,
浮选
,
分级
,
绢云母
,
新材料
李昕
,
于湛武
,
贺永宁
,
刘卫华
,
朱长纯
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.041
实验提出以多壁碳纳米管(MWCNT)/ZnO纳米线复合材料作为场发射阴极薄膜,研究其图形化制备工艺以及其场发射特性.用丝网印刷工艺制备图形化MWCNT/ZnO纳米线复合阴极薄膜,实验获得合适的浆料配比以及适合的烘烤和烧结温度.对MWCNT/ZnO纳米线样品进行SEM分析和场发射特性测试,发现图形化阴极设计提高了场发射电流,并且改善场发射发光均匀度;材料组分的低维化明显降低场发射开启电压;加电老练处理有效改善场发射特性.
关键词:
多壁碳纳米管
,
ZnO纳米线
,
丝网印刷
,
场发射特性
鲜晓斌
,
吕学超
,
刘清和
,
李科学
,
唐凯
,
刘卫华
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2003.05.005
用循环Ar+轰击-磁控溅射离子镀(MSIP)和化学镀分别在U表面上沉积Cu、Ni-P/Cu,并采用俄歇电子能谱仪(SAM)、扫描透射电镜(STEM)、电化学实验,研究了其表面、剖面形貌和耐蚀性能,以及U基和镀层界面.结果表明:U上循环Ar+轰击-磁控溅射离子镀Cu结晶细密,界面存在较宽的原子共混区,U表面先溅射沉积Cu镀层,再化学镀非晶态Ni-P镀层,能够有效地改善镀层的结合强度.
关键词:
Ni-P/Cu镀层
,
组织结构
,
耐蚀性能
潘金艳
,
袁占生
,
卫雅芬
,
刘卫华
材料科学与工艺
导电电极决定碳纳米管（CNT）阴极的接触方式和导电特性,影响阴极场发射特性和使用寿命.为改善膜层与基底的附着特性,磁控溅射制作亲碳性Ni电极.微观表征发现Ni基CNT阴极中生成了碳化镍相,这增加了CNT与电极间形成欧姆接触概率,降低甚至消除了从电极到CNT的电子传输势垒,能有效提高阴极导电性.场发射特性测试结果显示Ni基,尤其是ITO/Ni基CNT阴极的场发射电流密度和场发射均匀性显著提高,并能够激发均匀的高亮度.
关键词:
碳纳米管(CNT)
,
场发射
,
均匀性
,
稳定性
