侯林涛
,
王平
,
王标
,
梁振锴
,
刘彭义
,
吴冰
,
张秀菊
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112602.0142
采用Cs2CO3:Alq3/MoO3作电荷产生层,制备出高效双单元串联型叠层有机发光器件.双单元叠层有机发光器件发光性能受电荷产生层MoO3的厚度影响很大.当MoO3厚度为30 nm时,叠层器件表现出最好的器件性能,最大电流效率达到14.5 cd/A.在相当宽的低电流密度范围内,30 nm MoO3叠层器件的电流效率是对比单层器件电流效率的2倍以上;但高电流密度下,叠层器件电流效率下降较快.叠层发光器件性能的提高与中间电荷产生层向上下两个发光单元有效的电子、空穴注入有关.
关键词:
有机发光器件
,
电荷产生层
,
叠层
,
三氧化钼
,
碳酸铯
陈伟业
,
刘彭义
,
林彩平
,
常鹏
人工晶体学报
在烧结温度为1020℃下,采用同相二步合成法制备了Pb( Ni1/3 Nb2/3 )0.05( Mn1/3 Nb2/3 )0.04( Mn1/3 Sb2/3)0.01(Zr1/2Ti1/2)0.9O3(PMNNS)压电陶瓷,研究了加入不同掺杂量的SiO2对陶瓷的结构与机电性能的影响.结果表明:加入SiO2可以明显地降低烧结温度；而且当SiO2的掺杂最为0.1％时,陶瓷的性能最佳,其性能如下:d33 =331 pC/N,tanδ =0.0041,kp=0.62,Qm=1326,εr =917.
关键词:
压电陶瓷
,
PMNNS
,
低温烧结
,
SiO2
陈颖超
,
刘彭义
,
唐振方
,
叶勤
材料导报
采用射频反应磁控溅射法在普通玻璃衬底上沉积氧化钒薄膜,在高纯N2环境中,不同温度下(350℃、400℃、450℃、500℃)热处理60 min,发现当热处理温度为400℃时,获得具有相变特性的VO2薄膜,其红外光透光率和电导率发生显著变化.薄膜相变温度为55℃左右,相变前后光透过率变化了13％,电阻变化了1.8个数量级.
关键词:
VO2薄膜
,
射频磁控溅射
,
相变
唐振方
,
刘彭义
,
叶勤
,
孙汪典
,
凌育远
,
钟红海
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2003.05.010
用不同的工艺方法,以固体钨酸颗粒为钨源,乙炔气体或石墨粉为碳源,在高频等离子体反应炉中合成WC超细粉体.比较了固-气和固-固反应体系的产物组分和反应过程,探讨了加氢工艺对反应过程及产物的影响.研究表明,钨酸与石墨粉的反应效率高于与乙炔气体的反应效率,可以获得含量大于80%、粒度在0.5μm以下的WC超细粉体.
关键词:
碳化钨
,
超细粉体
,
流态反应
,
等离子体
张靖磊
,
刘彭义
,
侯林涛
,
武春红
,
周茉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.003
在有机发光二极管典型的层状结构中,引入磁控溅射制备Nb2O5超薄膜作空穴注入层,制备了结构为ITO/Nb2O5/TPD/Alq3/A1的器件.Nb2O5层的引入,降低了空穴注入势垒,增强了空穴注入,同时有效阻挡了ITo中ln向有机层的扩散,减少了发光猝灭中心的形成,提高了器件的亮度和效率.研究了不同厚度Nb2 O5层对器件光电性能的影响,发现:当引入Nb2O5层厚度为2 nm时,亮度提高了近2倍,效率由3.5 cd/A增加到了7.8 cd/A,较好地改善了器件的性能,并且性能优于含有CuPc常规注入层的器件.
关键词:
有机发光二极管
,
Nb2O5超薄膜
,
空穴注入层
,
注入势垒
仲飞
,
刘彭义
,
任思雨
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.04.014
采用磁控溅射方法在ITO表面制备了不同厚度的TiO2超薄膜用做有机发光二极管(OLEDs)的空穴缓冲层,使OLEDs (ITO/ TiO2/ TPD/ Alq3 / Al)的发光性能得到很大改善.研究TiO2缓冲层厚度对器件性能影响的结果表明,当TiO2缓冲层厚度为1 nm,电流密度为100 mA/cm2时,器件的发光效率为2 cd/A,比未加缓冲层器件的发光效率增加了近一倍.这是由于加入适当厚度的TiO2缓冲层限制了空穴的注入并且提高了空穴与电子注入之间的平衡.
关键词:
TiO2超薄膜
,
磁控溅射
,
有机发光二极管
,
空穴缓冲层
仲飞
,
刘彭义
,
段光凤
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.06.007
为了改善有机发光器件(OLEDs)的性能,在0～600 ℃不同温度下对ITO透明导电玻璃进行了退火处理.SEM观察到随退火温度的升高,ITO表面粗糙度增加;四探针电阻测试结果显示,在300 ℃以上温度退火后ITO表面电阻率有明显增加.用退火前后的ITO玻璃作为阳极制备了OLEDs,器件结构为ITO/TPD/Alq3/Al,比较器件的电流密度-电压特性曲线测试结果表明,ITO薄膜的热处理温度对OLEDs性能有显著的影响.
关键词:
ITO
,
有机发光器件
,
退火
,
表面处理
,
性能
翟琳
,
仲飞
,
刘彭义
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.010
用10 %、15 %、20 % 3 种浓度(体积分数)的磷酸分别对ITO玻璃进行处理,四探针测试表明其面电阻基本不变,原子力显微镜观测到酸处理后的ITO表面形貌更加平坦,紫外-可见光光谱显示出磷酸处理几乎不影响可见光透过率;以之为基底制备了典型结构(ITO/TPD /Alq/Al)有机发光二极管(OLEDs),并对其光电性能进行了测试,结果表明在经过浓度为15 %的磷酸处理过的ITO玻璃上制备的OLEDs表现出最好的光电性能,其发光最大亮度和发光效率分别是未经酸处理的ITO上器件的近2倍.
关键词:
OLED
,
表面处理
,
ITO
,
电致发光效率
孙宇梁
,
王永生
,
田玉林
,
王均英
,
黄文学
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.341
彭宁阱是用于直接测量原子核质量的精确设备.为了保证彭宁阱的测量精度,需在阱中心产生精准的四极静电场,而四极静电场是通过对彭宁阱的核心电极施加合适的电压产生的.采用公式推导法和最小二乘法两种方法计算得到了LPT核心电极需加电压幅值.对于公式推导法,电压值完全从理论出发,经公式推导后计算得到;最小二乘法的出发点是使取样偏差的平方和最小,且通过仿真模拟考虑了电极的实际几何形状.由这两种方法得到的非四极项系数C4和C6,可用于估算因偏离理想四极电场所产生的实验误差.虽然这两种方法的出发点不同,但都可以在阱中心产生需要的四极电场.
关键词:
彭宁阱
,
质量测量
,
四极电场
,
电极电压
彭南海
,
邵拥军
,
刘忠法
,
汪程
中国有色金属学报
山西繁峙县义兴寨金矿田位于晋东北地区NW向中生代构造岩浆活动带中.以义兴寨、辛庄金矿床为研究对象,分析本区关键控矿因素、成矿物质来源、成矿流体来源及其演化,进而开展矿田成矿机理的研究.结果表明:本区构造具有多期活动的特征,规模较大的NW向区域性张性大断裂为本区的控岩、导矿及配矿构造,次级NNW向压-张扭性断裂裂隙为容矿构造,不同形式、不同级别的构造是成矿最重要的控制因素.S、Pb、H、O同位素组成及微量元素地球化学特征表明,岩浆活动为本区提供了成矿物质及成矿流体.流体包裹体特征及宏观地质特征表明,成矿过程中成矿流体发生了沸腾作用,引起CO2、H2S等的逸失,含金络合物稳定性遭受破坏,导致Au的大规模沉淀,流体的沸腾是矿质沉淀的主要机制.
关键词:
义兴寨金矿田
,
关键控矿因素
,
成矿物质
,
成矿流体
,
演化
,
成矿机理
