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不同硫化温度对Cu2ZnSnS4薄膜质量及太阳能电池性能的影响

李志山 , 王书荣 , 蒋志 , 杨敏 , 陆熠磊 , , 赵其琛 , 郝瑞亭 , 杨培志

人工晶体学报

采用ZnS-Sn-CuS作为靶材,利用磁控溅射技术制备了Cu2ZnSnS4 (CZST)薄膜材料及太阳电池,重点研究了不同硫化温度对CZTS薄膜质量及太阳电池性能的影响.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、显微拉曼光谱仪(Raman)和紫外可见分光光度计(UV-Vis)分别表征了不同硫化温度下制备的CZTS薄膜的晶相结构、表面形貌、化学组分、相的纯度和光学性能.结果表明:在580℃下所制备的CZTS薄膜光滑致密、结晶质量好,同时化学组分属于贫铜富锌,而且无其他二次相,禁带宽度约为1.5 eV.符合高效率太阳电池吸收层的要求.将CZTS吸收层按照SLG/Mo/CZTS/CdS/i-ZnO/ITO/ Al的结构制备成面积为0.12 cm2的电池并进行Ⅰ-Ⅴ测试.测试结果表明,在580℃硫化后制备的CZTS薄膜太阳电池具有最高的转换效率为3.59%.

关键词: 磁控溅射 , CZTS , 硫化温度 , 薄膜太阳能电池

电化学沉积法制备Cu2ZnSnS4薄膜电池

杨敏 , 蒋志 , 李志山 , 刘涛 , , 郝瑞亭 , 王书荣

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.04.029

采用简单的两电极电化学沉积金属薄膜技术,在镀钼的钠钙玻璃衬底上共沉积Cu-Sn层后,再沉积Zn金属层,制备出Cu-Sn-Zn金属预制层.在不同的温度下进行低温退火后,以硫粉作为硫源高温硫化金属预制层,制备出晶体质量较好的Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)对薄膜的晶体结构、表面形貌和薄膜组分进行分析表征,发现共沉积Cu-Sn层,再沉积Zn金属层得到的CZT预制层表面平整但晶粒尺寸较小,经过退火处理后晶粒尺寸得到改善,且硫化后所得到的CZTS薄膜不易从Mo衬底上脱落,粘附性较强.用其制备的CZTS薄膜太阳电池的开路电压Voc=569mV,短路电流密度Jsc=8.58mA/cm2,光电转换效率为1.40%.

关键词: 铜锌锡硫(CZTS) , 薄膜太阳电池 , 电化学沉积 , 转换效率

预制层中Zn和ZnS对CZTS薄膜太阳电池的影响

杨敏 , 王书荣 , 蒋志 , 李志山 , , 陆熠磊 , 唐语

人工晶体学报

采用磁控溅射后硫化的方法制备Cu2 ZnSnS4 (CZTS)薄膜,分别用Zn和ZnS作为锌源,在镀钼的钠钙玻璃衬底上以Zn(或ZnS)/Sn/Cu的顺序制备出不同的CZTS薄膜预制层.首先对预制层进行低温合金,然后以硫粉作为硫源进行高温硫化,得到CZTS薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)分别对所制备薄膜的晶体结构、表面形貌和薄膜组分进行分析表征;并用拉曼光谱表征了CZTS相的纯度.最后用CZTS薄膜制备了太阳电池,发现在预制层中以ZnS作为锌源得到的太阳电池有较高的性能参数,其开路电压:V =651 mV,短路电流密度:Jsc=11.4 mA/cm2,光电转换效率达到2.8%.

关键词: 铜锌锡硫(CZTS) , 薄膜太阳电池 , 磁控溅射 , 硫化

人工运移井套管防腐蚀研究及寿命预测

蔡锁德 , 赵国仙 , 缪建 ,

腐蚀与防护 doi:10.11973/fsyfh-201604015

通过模拟人工运移并封堵完好和封堵泄漏两种腐蚀工况,评价不同添加量下两种缓蚀剂HYF-01和HSJ-JL-01对N80套管钢的缓蚀效果,并计算了N80套管耐腐蚀寿命,筛选出满足套管15 a封堵年限要求的缓蚀剂及最佳添加量.结果表明:封堵完好情况下,HYF-01和HSJ-JL-01两种缓蚀剂的添加量为0.1%(质量分数,下同)时,缓蚀效果相对较好;封堵泄漏情况下,HYF-01和HSJ-JL-01两种缓蚀剂的添加量为1.0%时,缓蚀效果相对较好.经过计算可知:添加0.5%和1.0%的HYF-01均能满足套管15 a封堵年限要求.

关键词: 缓蚀剂 , 套管钢 , 均匀腐蚀 , 寿命预测

不同镉源制备铜锌锡硫电池缓冲层的研究

陆熠磊 , 王书荣 , 李志山 , 蒋志 , 杨敏 ,

人工晶体学报

目前制备CZTS薄膜太阳电池的缓冲层绝大多数采用硫酸镉作为镉源.本文将主要介绍用醋酸镉((Ch3COO)2Cd)、氯化镉(CdCl2)和硝酸镉(Cd(NO3)2)和硫酸镉(CdSO4)四种不同的镉源制备硫化镉薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见分光光度计对硫化镉薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行分析研究.分析结果表明以硝酸镉为镉源制备的硫化镉薄膜最适合作为缓冲层使用.将不同镉源制备的硫化镉薄膜作为CZTS薄膜电池的缓冲层,制备出的电池效率分别为:1.83%((Ch3COO)2Cd)、2.89%(CdCl2)、3.4%(Cd(NO3)2)、3.19%(CdSO4).

关键词: 不同镉源 , 硫化镉薄膜 , 铜锌锡硫 , 薄膜太阳电池

Rick Reagan就任乐化学总裁

材料保护

美国康涅逖格州西汉文-伦敦确信集团下属的确信高性能材料(CPM,Cookson Performance Materiais)于2012年8月宣布任命RickReagan为乐化学有限公司总裁。Reagan先生将领导乐化学高性能专业化学品全球机构在40多个国家运作,包括战略部署于全球各地的10个生产基地及9个技术中心。

关键词: 化学品 , 总裁 , 高性能材料 , 技术中心 , 生产基地

武汉科特仪器有限公司

腐蚀与防护

武汉科特仪器有限公司专门从事电化学科学仪器以及工业腐蚀监测仪器的技术研发和制造。公司依托华中科技大学的研发实力,在电化学研究方法上积淀了较强的创新实力,

关键词: 监测仪器 , 武汉 , 华中科技大学 , 工业腐蚀 , 科学仪器 , 化学研究 , 电化学 , 研发

化幅选寻址LCD模块响应时间的测量方法

忠安 , 铁斌

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.04.009

对通过化幅值选择寻址法驱动的常规矩阵显示和多路寻址字符型LCD显示模块, 提出了一种通过控制模块直流工作电压来测量模块响应时间的测量方法, 并说明了该方法的原理及实测效果.

关键词: 化幅值选择寻址法 , LCD模块 , 响应时间

宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷的判别分析研究

蔡敏敏 , 李国霞 , 赵维娟 , 李融武 , 赵文军 , 承焕生 , 郭敏

硅酸盐通报

利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.

关键词: 汝官瓷 , 张公巷窑青瓷 , 家门窑青瓷 , 判别分析

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