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PbTiO3-CoFe2O4复合薄膜的溶液法制备及其微观结构研究

, 许有超 , 李涛 , 于技强

人工晶体学报

以乙二醇甲醚为溶剂,采用溶液法成功制备了致密的、铁电相和铁磁相共存的0-3型磁电复合薄膜.采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X射线能潜分析(EDAX)、压电响应力显微镜(PFM)分析了退火时间对两相结构、晶粒大小、薄膜形貌、电畴及磁畴的影响.结果表明,退火20 min 对于 PbTiO3相晶粒的生长已经足够,随着退火时间的延长,CoFe2O4相的品粒逐渐长大,薄膜的均方根粗糙度有所提高;同时因为磁件相品粒的长大复合薄膜电畴的取向发生了极大地变化.复合薄膜中同时存在的电畴和磁畴证明了其同时具有的铁电性和磁性.

关键词: 钛酸铅 , 铁酸钻 , 溶液法 , 微观结构

铁电薄膜及其在存储器件中的应用研究现状

李惠琴 ,

材料导报

概述了铁电薄膜在非易失存储器中的应用研究现状,将铁电存储器与其他类型存储器进行了比较,针对铁电薄膜在存储器中的应用,探讨了铁电薄膜制备工艺与半导体工艺兼容性、极化疲劳、尺寸效应等几方面的问题,指出了当前研究的重点.

关键词: 铁电薄膜 , 工艺 , 疲劳

外延生长四方相Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜

, 李惠琴 , 曹林洪 , 徐光亮

人工晶体学报

以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜.X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)[010]PZTⅡ(001)[010]SROⅡ(001)[010]LAO.虽然PZT薄膜组分位于菱方相区域,但由于基底的夹持效应,透射电子显微镜观察表明PZT薄膜呈现四方相.对以Pt或SRO为上电极的PZT薄膜的电性能分别进行了研究,结果显示两种样品都具有抗疲劳性,并且Pt/PZT/SRO薄膜电容与SRO/PZT/SRO薄膜电容相比具有更大的漏电流.氧化物基片和底电极的引入使得PZT薄膜的居里点与块材相比有所下降.电容-温度测试曲线表现出典型的居里-外斯定律特征,薄膜损耗随着温度上升而下降.当温度接近PZT薄膜相转变点的时候,由于夹持应力的解除导致薄膜损耗急剧下降.

关键词: 外延生长 , Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜 , 射频磁控溅射 , 漏电流 , 损耗

Ba2Ti9O20-BaFe12O19复合陶瓷电磁性能的研究

张文博 , 余洪滔 , 程吉霖 , , 徐光亮

人工晶体学报

本文采用流延成型法制备2-2型Ba2Ti9O20-BaFe12O19复合陶瓷.通过扫描电镜、能量散射光谱仪、X射线衍射、振动样品磁强计对复合陶瓷界面微观结构及磁、电性能进行了分析.结果表明:复合陶瓷的介电常数和介电损耗均大于单相Ba2Ti4O20,饱和磁化强度、剩余磁化强度均小于单相BaFe12 O19,矫顽力大于单相BaFe12O19.随着烧结温度的升高,复合陶瓷的介电常数先增加后减小,介电损耗的变化则相反;饱和磁化强度、剩余磁化强度和矫顽力减小.在1180℃烧结4h的复合陶瓷具有适合的磁、电性能:εx=115,tanδ=0.0054,Ms=21.9 A·m2/kg,Mr=12.5A·m2/kg和Hc=63.0kA/m.

关键词: 磁电复合 , 界面 , 电性能 , 磁性能

铌镁酸铅陶瓷的稀土元素及钛酸铅互掺改性研究

李惠琴 ,

人工晶体学报

本文采用了铌铁矿法,研究了稀土元素及钛酸铅(PT)的掺入对铌镁酸铅(PMN)铁电陶瓷的介电性能及拉曼行为的影响.分别掺入Y2O3 、Sin2O3、La2O3稀土氧化物后,PMN的介电常数峰值(εm)有所下降,而掺人PT后εm有所上升.稀土元素的掺人使相转变温度(Tm)朝远离居里点的低温方向移动,室温下的介电损耗值减小,介电常数频率稳定性得到增强.PT的掺入使Tm朝接近居里点的高温方向移动.拉曼光谱研究表明稀土元素、PT的掺人影响了PMN陶瓷的B位有序度,导致其介电性变化.

关键词: 铌镁酸铅 , 稀土掺杂 , 介电性能 , 相变弥散 , B位有序度

铁电薄膜漏电流研究现状

杨艳 , 张树人 , , 张洪伟 ,

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2006.04.015

铁电薄膜的漏电流问题一直是困扰铁电存储器发展的重要问题.文章介绍了铁电薄膜的主要导电机理如热激发电子电导、空间电荷限制电流 (SCLC)、 Pool-Frenkel 发射、肖特基发射等,影响漏电流大小的主要因素如薄膜厚度、工艺温度、晶粒尺寸、电极材料、搀杂离子等.同时介绍了漏电流对铁电薄膜极化和抗疲劳特性的影响.

关键词: 铁电薄膜 , 漏电流 , 导电机理

铁电存储器集成工艺中关键技术研究进展

杨艳 , 张树人 , , 杨成韬

材料导报

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器与传统的半导体存储器相比有很多优点,其关键集成工艺技术有铁电薄膜制备技术、电极制备、刻蚀技术、氢阻技术、金属互连技术、钝化技术.简要介绍了这些工艺技术的研究现状,并讨论了相关工艺对性能的影响.

关键词: 铁电薄膜 , 铁电存储器 , 集成工艺

ZnO-B2O3-SiO2玻璃对硅酸锌陶瓷结构与微波介电性能的影响

程吉霖 , 余洪滔 , 张文博 , , 徐光亮

人工晶体学报

研究了不同添加量的ZnO-B2 O3 -SiO2 (ZBS)玻璃作为烧结助剂对硅酸锌陶瓷的结构及微波介电性能的影响.研究结果表明:添加ZnO-B2 O3-SiO2玻璃的陶瓷烧结后其主晶相仍呈硅锌矿结构,并且硅酸锌陶瓷的烧结温度从1300℃降低到900℃.随着玻璃添加量的增加,陶瓷的介电常数(εr)和品质因数(Qf)呈逐渐降低的趋势,当玻璃添加量为20 wt%时,900℃保温2h所制备的陶瓷具有较优良的微波介电性能:εr=6.85,Qf =31690 GHz,τf=- 28×10-6/℃,在低温共烧陶瓷领域有着潜在的应用价值.

关键词: Zn2 SiO4 , ZnO-B2O3-SiO2玻璃 , 低温共烧陶瓷 , 介电性能

多孔氧化镁纤维的制备及其生长机制研究

游美容 , , 张敏芳 , 杨超

人工晶体学报

以硫酸镁(MgSO4)为原料,氢氧化钠(NaOH)为沉淀剂,聚乙二醇(PEG)为结构导向剂,采用水热法合成出碱式硫酸镁(MgSQ·5Mg(OH)2·3H2O)纤维,对前驱体进行煅烧获得多孔氧化镁纤维.通过X射线衍射、扫描电镜、N2吸附-脱附等技术对样品的表征,分析了水热温度、水热时间对氧化镁的孔结构与形貌的影响.结果表明,水热温度和水热时间对前驱体的成分与形貌有较大的影响.在PEG(6000)与Mg物质的量比为0.01∶1的条件下,于140 ℃水热处理20h后进行煅烧可合成结晶良好、孔径在几十至几百个纳米的多孔氧化镁纤维.

关键词: 水热法 , 聚乙二醇 , 氧化镁纤维

铬基透波材料的固化工艺与电性能研究

于技强 , , 霍冀川

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2012.5.013

以氧化锌作固化剂,二氧化硅作填料,混合磷酸铬铝制备铬基透波材料基体.通过DSC-TG测试得出该基体的固化温度范围,根据测试结果在不同温度点、不同时间条件下进行固化实验.分析SEM,XRD,IR测试结果得出在180℃/2h条件下该材料体系能完成交联固化反应,并结合电性能测试分析验证了该结论.最后得出该铬基透波材料基体的最佳固化温度和最佳固化时间分别为180℃和2h.

关键词: 透波材料 , 介电性能 , 固化条件 , 交联固化反应

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