刘训春
,
陈俊
,
王润梅
,
王惟林
,
李无瑕
,
李爱珍
,
陈建新
,
陈意桥
,
陈晓杰
,
杨全魁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.008
制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器.获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件,并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器.同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析.
关键词:
单电源
,
InGaP/InGaAs
,
LNA
叶甜春
,
谢常青
,
李兵
,
陈大鹏
,
陈朝晖
,
赵玲莉
,
胥兴才
,
刘训春
,
张绵
,
赵静
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.013
对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管.研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量,在混合光刻工艺中,抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键.
关键词:
X射线光刻
,
PHEMT
,
T型栅
王惟林
,
刘训春
,
魏珂
,
郭晓旭
,
王润梅
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.011
选择刻蚀在GaAs工艺中是非常重要的一步.由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差,且精度难以控制,因此有必要进行干法刻蚀的研究.虽然采用反应离子刻蚀(RIE)、磁增强反应离子刻蚀(MERIE)可以进行选择刻蚀,但是这两种方法在挖槽时会对器件造成较大损伤,影响器件性能.感应耦合等离子刻蚀(ICP)是一种低损伤、高刻蚀速率高选择比的刻蚀方法,在GaAs器件的制造中有突出的优点.本工作进行了GaAs/AlGaAs的选择刻蚀研究,GaAs/AlGaAs的选择比达到840:1,取得较理想的刻蚀结果.
关键词:
GaAs/AlGaAs
,
ICP
,
选择刻蚀
陈震
,
魏珂
,
王润梅
,
刘新宇
,
刘训春
,
吴德馨
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.024
比较研究了GaAs背面通孔腐蚀中的湿法腐蚀和ICP干法刻蚀技术,并利用感应离子耦合(ICP)干法刻蚀技术,采用CCl2F2/Ar混合气体,对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究.通过优化气压、射频功率、CCl2F2/Ar混合气体组分配比,在CCl2F2流量为200sccm,Ar流量为10sccm,源功率Ps=400W,偏压功率Pb=14W,自偏压Vb=120V,真空度P=43Pa时,得到了表面平滑的通孔形貌和最大的通孔刻蚀速率(4.3μm/min).
关键词:
通孔
,
感应离子耦合(ICP)
,
干法刻蚀
邵花
,
王文东
,
刘训春
,
夏洋
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.008
在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下，利用直流磁控溅射法在Si表面制备了 Ta薄膜，系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的 Ta 薄膜电阻率、相结构及表面形貌进行表征。结果发现，随溅射气压升高，高阻β相出现，薄膜电阻率随之增大；在相同溅射气压下，随着溅射功率的增加，薄膜电阻率先降低后升高。优化溅射工艺后制得的Ta薄膜的电阻率低至29.7μΩ·cm。
关键词:
磁控溅射
,
Ta
,
薄膜电阻率
聂黎行
,
王钢力
,
戴忠
,
林瑞超
色谱
doi:10.3724/SP.J.1123.2010.01001
采用Chiralpak IC手性柱(250 mm×4.6 mm,5 μm),建立了正相高效液相色谱测定板蓝根中表告依春(R-告依春)和告依春(S-告依春)含量的方法.考察了流动相组成、流速和柱温对分离度的影响.经优化后的实验条件:以正己烷-异丙醇(体积比为90∶10)为流动相,流速为0.8 mL/min;检测波长为245 nm,柱温为20 ℃.在此优化条件下,表告依春和告依春分离度为3.4,检出限为2.0 mg/L,在0.02～2.0 g/L 范围内有良好的线性关系,平均回收率为101% ,相对标准偏差(RSD)小于3.0%(n=6).本方法可将具有抗病毒活性的表告依春与其对映体告依春基线分离并测定,专属性强,能有效控制板蓝根的质量.
关键词:
手性高效液相色谱法
,
表告依春(R-告依春)
,
告依春(S-告依春)
,
板蓝根
侯能邦
,
李祖碧
,
李崇宁
,
王加林
,
曹秋娥
冶金分析
doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2002.05.006
利用铱催化高碘酸钾氧化丽春红G(PG)的褪色反应,建立了测定痕量铱的催化动力学光度法.在硫酸介质和90℃加热15min的条件下,于500nm波长处,采用固定时间法测定丽春红G吸收值的降低.Ir(Ⅳ)的浓度在0～1.0μg/25mL范围内与催化反应的速率有良好的线性关系,检出限为1 81 ×10 mg/mL.对0.3μg/25mLIr(Ⅳ)测定的相对标准偏差为1.61%(n=11).体系至少稳定3.5h.考察了40多种共存离子的影响,大多数常见离子不干扰,方法有较好的选择性.催化反应对Ir(Ⅳ)和丽春红G均为一级反应,催化反应的表观活化能为103.66kJ/mol.用于冶金产品及岩矿中铱的测定,结果与推荐值十分吻合.
关键词:
铱
,
丽春红G
,
高碘酸钾
,
催化光度法
徐祖耀
材料热处理学报
刘文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者（刘等）的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。刘等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在刘文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。
关键词:
贝氏体形核
,
扩散机制
,
切变机制
,
贫碳区
蔡敏敏
,
李国霞
,
赵维娟
,
李融武
,
赵文军
,
承焕生
,
郭敏
硅酸盐通报
利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷釉基本能很好的区分；但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、刘家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和刘家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.
关键词:
汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
刘家门窑青瓷
,
判别分析
肖朋飞
,
赵红梅
,
李融武
,
赵文军
,
李国霞
,
赵维娟
,
承焕生
硅酸盐通报
本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个刘家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和刘家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.
关键词:
汝官瓷
,
钧官瓷
,
刘家门窑青瓷
,
PIXE
,
因子分析
