李沁然
,
杨开广
,
李森武
,
刘键熙
,
张丽华
,
梁振
,
张玉奎
色谱
doi:10.3724/SP.J.1123.2014.06029
应用可逆加成-断裂链转移（ RAFT）策略制备了一种抗原决定基表面印迹微球。这一工作以转铁蛋白的抗原决定基 N端九肽作为模板，通过共价键合的方式固载于修饰了戊二醛的硅胶颗粒表面。然后以甲基丙烯酸、甲基丙烯酰羟乙酯为功能单体，甲叉基双丙烯酰胺为交联剂，偶氮二异丁腈（ AIBN）为引发剂，N，N-二甲基甲酰胺为溶剂，在三硫酯试剂2-（十二烷基三硫代碳酸酯基）-2-甲基丙酸的调控下，于70℃进行活性-可控的聚合反应，制备得到分子印迹微球。该材料对模板抗原决定基的识别容量为2.36 mg/g，印迹因子为1.89；对转铁蛋白的识别容量为4.98 mg/g，印迹因子为1.61，120 min内可达到吸附平衡；在多蛋白质竞争识别中，该材料对转铁蛋白识别的印迹因子远高于细胞色素C、乳球蛋白等其他竞争蛋白质的印迹因子。以上结果证明，通过RAFT策略制备得到的抗原决定基分子印迹材料在对抗原决定基具有良好的识别能力的同时，对模板抗原决定基对应的转铁蛋白也具有优良的选择性、较高的识别容量和较快的识别速度。
关键词:
可逆加成-断裂链转移(RAFT)
,
抗原决定基
,
分子印迹
,
蛋白质
徐祖耀
材料热处理学报
刘文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者（刘等）的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。刘等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在刘文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。
关键词:
贝氏体形核
,
扩散机制
,
切变机制
,
贫碳区
蔡敏敏
,
李国霞
,
赵维娟
,
李融武
,
赵文军
,
承焕生
,
郭敏
硅酸盐通报
利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷釉基本能很好的区分；但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、刘家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和刘家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.
关键词:
汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
刘家门窑青瓷
,
判别分析
肖朋飞
,
赵红梅
,
李融武
,
赵文军
,
李国霞
,
赵维娟
,
承焕生
硅酸盐通报
本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个刘家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和刘家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.
关键词:
汝官瓷
,
钧官瓷
,
刘家门窑青瓷
,
PIXE
,
因子分析
孟长功
,
徐东生
,
郭建亭
,
胡壮麒
金属学报
利用离散变分Xa法计算了单晶Ni_3Al的一个原子簇(Ni_(15)Al_(12)),并据此分析了能级结构、电子态密度,计算了Ni_3Al中原子间的键级及相应的组成。键组成分析证明:Ni-Al键与Ni-Ni键具有较好的相似性,p-d键在两种键的组成中都占有较大比例。Ni_3Al的Ll_2结构,使两种相似的键在空间呈均匀分布,宏观上Ni_3Al表现出较高的强度。单晶体良好的韧性归因于Ni-Al键与Ni-Ni键的相似性,方向性较强的共价键在晶界处受到削弱导致多晶体的本征脆性。
关键词:
Ni_3Al
,
energy level structure
,
electronic state density
,
covalent bond
,
bonding characteristic
曹军
,
丁雨田
,
郭廷彪
材料科学与工艺
为了提高铜线性能及其键合质量,采用拉力-剪切力测试仪、扫描电镜等研究了不同力学性能铜线及相应的键合参数对其键合质量的影响,分析了不同伸长率和拉断力、铜线表面缺陷、超声功率和键合压力对铜线键合质量的作用机制.结果表明：伸长率过小和拉断力过大会造成焊点颈部产生微裂纹,从而导致焊点的拉力和球剪切力偏低;表面存在缺陷的铜线其颈部经过反复塑性大变形会造成铜线表面晶粒和污染物脱落而出现短路和球颈部断裂;键合过程中键合压力过大能够引起的焊盘变形,同时较大的接触应力引起铝层溢出;过大的超声功率使键合区域变形严重产生明显的裂纹和引起键合附近区域严重的应力集中,致使器件使用过程中产生微裂纹而降低器件的使用寿命.
关键词:
伸长率
,
拉断力
,
表面
,
超声功率
,
键合压力
王敬
,
屠海令
,
刘安生
,
周旗钢
,
朱悟新
,
张椿
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.008
用横断面透射电子显微术 (TEM) 研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构.绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀, Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞.
关键词:
硅片键合
,
SOI
,
界面
,
微结构
杜茂华
,
蒋玉齐
,
罗乐
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.015
研究了 Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及 Sn层厚度等因 素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化.实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合 质量的重要因素,在功率 500W、时间 200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键 合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较 小的压力( 0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而 Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度 能够缩短键合时间.在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美军标规定的 6.25MPa的强 度要求(对于 2mm× 2mm芯片).
关键词:
芯片键合
,
等温凝固
,
Cu/Sn体系
,
微结构
刘玉岭
,
王新
,
张文智
,
徐晓辉
,
张德臣
,
张志花
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.01.004
研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅/硅键合的一整套新技术(代替通用的亲水法);实现了键合层无孔洞,边沿键合率达98%以上,键合强度达2156Pa以上,并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质,实现了应力补偿.
关键词:
硅
,
锗
,
键合
,
机理
