张亮
,
卢志超
,
李德仁
,
陆曹卫
,
张宏浩
钢铁研究学报
探索了一种制备块体非晶合金的新方法--铜模抽拉法.该方法可利用工业原材料连续制出廉价的块体非晶合金.用该方法制备的Fe74Al4Sn2R10Si4B4C2块体非晶合金棒材,其超冷液相区温度△Tx=17 K,约化玻璃转变温度Trg=0.637,具有很强的玻璃形成能力.这说明该方法对于工业化连续生产块体非晶合金有重要的意义.
关键词:
块体非晶合金
,
铜模抽拉法
,
玻璃转变温度
张亮
,
卢志超
,
李德仁
,
陆曹卫
,
张宏浩
金属功能材料
doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2004.01.001
本文用铜模上吸铸法制备Fe78-2xCrxMoxSn2P10Si4B4C2(x＝2、4,原子百分比)块体非晶合金系列,制备出直径达2.5mm的Fe74Cr2Mo2Sn2P10Si4B4C2非晶合金棒材和直径达2mm的Fe70Cr4Mo4Sn2P10Si4B4C2非晶合金棒材.发现Fe74Cr2Mo2Sn2P10Si4B4C2具有32K的超冷液相区和高达0.61的约化玻璃转变温度,具有很强的玻璃形成能力.当x＝2和x＝4时非晶合金的居里温度分别为538K和455K,饱和磁感应强度分别为1.06T和0.71T.
关键词:
块体非晶合金
,
铜模上吸铸法
,
超冷液相区
,
约化玻璃转变温度
侯立婷
,
刘迎春
,
方玲
,
胡小萍
,
朱景森
,
李艳萍
,
卢志超
,
周少雄
金属功能材料
采用Cu-In预制层后硫化法制备CuInS2(CIS)薄膜.研究了硫源处载气流量对薄膜形貌、成分及结构等的影响.用扫描电镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)对薄膜形貌、成分、结构进行了表征,并用扩散生长模型加以解释.结果表明,具有CuIn和CuIn2混合相的Cu-In预制膜,在不同的载气流量下,硫化后所制备的薄膜均具有CIS/CuxIny/Cu结构.检测结果支持铜、铟离子穿过先期生成的CIS膜向外扩散,在表面处与硫反应生成CIS的生长模型.
关键词:
硫化
,
氮气载流量
,
CuInS2薄膜
,
太阳能电池
陈孝文
,
张亮
,
李德仁
,
卢志超
,
周少雄
,
张俊峰
,
周桂琴
,
连法增
金属功能材料
doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2003.06.007
本文利用自制的热电阻测试系统测量了FeAlSnPSiBC大块非晶软磁材料的电阻率随温度的变化关系曲线,分析了晶化过程,并与DSC曲线的测量结果进行了对比.结果表明:该方法测量结果与DSC曲线的测量结果一致.
关键词:
大块非晶软磁材料
,
电阻率
,
晶化
侯立婷
,
刘迎春
,
方玲
,
胡小萍
,
朱景森
,
阎有花
,
李艳萍
,
卢志超
,
周少雄
金属功能材料
采用硫化Cu-In前驱膜的方法制备CuInS2薄膜,通过分析CIS薄膜制备过程中不同阶段样品中的氧,讨论了氧的来源及其存在形态,以及对CIS层开路电压可能造成的影响.用扫描电镜(SEM)和能量色散谱仪(EDS)研究前驱膜的形貌及其成分,用X射线衍射仪(XRD)表征薄膜的结构,用俄歇电子能谱(AES)对硫化薄膜中各元素沿深度方向的分布进行了检测,最后用I-V测试仪对硫化膜的开路电压进行测量.结果表明,CuInS2薄膜中的氧来源于Cu-In前驱膜,氧主要以Cu2In2O5的形式存在于CIS/Cu-In界面处,由于氧化物在硫化反应过程中影响了Cu和In向外表面的扩散,从而影响了CIS薄膜的成分和CIS太阳能电池的性能.
关键词:
硫化
,
CuInS2薄膜
,
氧
,
太阳电池
张承庆
,
胡小萍
,
朱景森
,
方玲
,
李德仁
,
卢志超
,
周少雄
金属功能材料
在普通玻璃衬底上利用掺杂2%(质量)Al2O3的ZnO陶瓷靶材在中频磁控溅射设备中制备了掺铝氧化锌(ZnO∶Al,AZO)薄膜.利用XRD、XPS、紫外可见分光光度计和Hall测试系统研究了Ar气压力(0.73～2.0 Pa)对AZO透明导电薄膜结构、光学和电学性能的影响.随着Ar气压力的增大,电阻率呈先减小后增大的趋势,在0.83 Pa时,AZO薄膜的电阻率为6.91×10-4 Ω·cm,在波长400～800 nm间的平均透过率超过86%.研究结果表明,Ar气压力对于AZO薄膜的导电性是一个敏感的参数,Ar气压力影响在薄膜沉积过程中氧空位的形成和分布,从而影响薄膜的导电性.
关键词:
Ar气压力
,
中频磁控溅射
,
AZO薄膜
,
XPS
陈孝文
,
张德芬
,
李德仁
,
卢志超
,
周少雄
,
周桂琴
,
连法增
钢铁研究学报
研究了两段式焦耳处理对Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15非晶薄带巨磁阻抗效应的影响.实验结果表明:经第1段电流密度为15 A/mm2、第2段电流密度为35 A/mm2的复合处理后,样品获得了最大的GMI效应.在8MHz的交变电流频率下,最大磁阻抗比为305%,灵敏度为0.575%/(A·m-1).两段式焦耳处理是提高材料GMI效应的一种新的而且十分有效的方法.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
热处理
,
非晶薄带
阎有花
,
刘迎春
,
方玲
,
李德仁
,
卢志超
,
周少雄
,
李正邦
物理测试
以电沉积制备的Cu-In预制膜为衬底材料,硫粉为原料,尝试了Cu-In预制膜以一定速度移动的特殊硫化方法.采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构,并分析了硫化中的反应动力学过程.结果表明:Cu-In预制膜由CuIn和CuIn2混合相组成,由其形成的CIS薄膜中除了CuInS2相以外,还出现CuxS二元相.KCN刻蚀处理去除表层的CuxS相后,底层的CuInS2薄膜具有黄铜矿相结构,与基底附着性较好.当速度为3.3V0时,CuInS2薄膜高质量结晶,薄膜均匀、致密,组分接近化学计量比,沿(112)面择优取向生长,适合于制备CIS太阳能电池吸收层.
关键词:
CuInS2薄膜
,
电沉积/硫化法
,
速度
,
微结构
张俊峰
,
陈征
,
张宏浩
,
刘天成
,
李德仁
,
卢志超
,
周少雄
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.05.008
本文通过交流磁滞回线研究了Co基玻璃包覆丝去除玻璃层前后的磁性能变化；制备了含有Co基玻璃包覆非晶丝的膜状噪声抑制材料,采用微带线测试系统测试了复合膜的S参数,并计算出功率损耗比,由此研究了丝材玻璃层对复合膜微波噪声抑制特性的影响.实验结果显示:在5kHz频率下,制备态玻璃包覆非晶丝的矫顽力大于去除玻璃层后丝材的矫顽力.去除玻璃层使复合膜在低频的反射增大,而在高频的反射总体上有所减小.同时还使复合膜样品在低频范围内的吸收增强,样品的吸收峰变宽.丝材去除玻璃层后,复合膜样品的禁带带宽明显增大,噪声抑制特性得到提高.含有去除玻璃层后丝材的复合膜样品在1.8 GHz至8.5 GHz频率范围内功率损耗比在80％以上,具有优异的微波噪声抑制特性.
关键词:
非晶
,
玻璃包覆丝
,
噪声抑制片
,
传输衰减
阎有花
,
刘迎春
,
方玲
,
赵海花
,
李德仁
,
卢志超
,
周少雄
物理测试
为考察具有Cu7In3相结构的Cu-In前驱膜对CuInS2薄膜微结构的影响,采用电沉积法制备了Cu-In薄膜,并对制备态Cu-In薄膜在380℃进行真空退火处理制备Cu7In3前驱膜.采用硫化法对制备态Cu-In薄膜和Cu7Ins薄膜进行硫化处理制备了CIS薄膜.结果表明,两种前驱膜经硫化处理均在表面生成CuxS偏析相,经KCN刻蚀处理发现以Cu7Ins为前驱膜制备的CuInS2薄膜高质量结晶,具有(112)择优取向,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层.
关键词:
太阳电池
,
Cu-In前驱膜
,
CuInS2薄膜
,
Cu7In3相
,
KCN刻蚀
