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为研究聚碳酸酯(PC)薄膜和聚酯(PET)薄膜材料在变压器油中电热老化过程中的耐电性能，采用芳香纤维绝缘纸作为对比材料，通过比较3种材料分别在变压器油中90℃、110℃以及130℃下电热老化300天过程中的工频击穿电压和局部放电起始电压的变化规律，并结合扫描电镜试验进行分析。结果表明：在电热老化过程中，聚碳酸酯和聚酯薄膜的综合耐电性能优于芳香纤维绝缘纸，其中聚碳酸酯薄膜性能最优，为未来油浸式变压器选择绝缘材料提供了参考依据。

关键词: 油浸式变压器 , 聚碳酸酯薄膜 , 电热老化 , 击穿电压 , 局部放电起始电压

10 kV交联聚乙烯电缆本体交流电压下空间电荷测量

卢键 , 陈广辉 , 顾杰峰 , 王伟 , 何东欣

绝缘材料

由于交流电压下的空间电荷在交联聚乙烯（XLPE）电缆绝缘老化过程中起到非常重要的作用，采用新研制的基于电声脉冲（PEA）法的空间电荷测量系统，对10 kV XLPE电缆本体在工频交流电压下的空间电荷进行测量。提出一种采用最高频率为200 Hz的继电器产生高压窄脉冲以及控制脉冲施加到固定工频相位的方法，实现一个工频周波下每隔22.5°为1个测试点，共计16个不同相位的空间电荷信息采集。结果表明：在外施交流电压90°和270°相位处测得的PEA信号峰幅值最大，在0°和180°相位处峰幅值最小。

关键词: 交联聚乙烯电缆 , 空间电荷 , 电声脉冲法 , 交流电压 , 相位控制

10 kV XLPE电缆电热老化试验设计

何东欣 , 顾杰峰 , 卢键 , 王伟

绝缘材料 doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2016.03.012

介绍了10 kV XLPE电缆电热老化试验的设计工作，包括试样的选择和处理，老化平台的搭建，老化条件和老化周期的确定。为了避免电缆两侧在高压下闪络，在外半导电层切口处安装应力锥。将干燥鼓风箱改造成电热老化箱，通过自行设计的高压套管将电压引入老化箱。结合XLPE结晶特性和国标的规定，选择90℃、103℃、114℃和135℃4个温度作为电缆老化的试验温度，3倍和4倍额定相电压作为老化电压。初步确定不同老化条件下的老化周期和取样阶段，在老化过程中根据实验结果对老化周期进行修正。

关键词: XLPE电缆 , 电热老化 , 闪络 , 老化箱 , 应力锥

硅片的直接键合

王敬 , 屠海令 , 刘安生 , 张椿 , 周旗钢 , 朱悟新

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.05.013

介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理、键合质量评价方法以及键合技术目前的研究和应用状况等.

关键词: 硅片 , 硅片键合 , 直接键合

NiAl的成键特征

孟长功 , 徐东生 , 郭建亭 , 胡壮麒

金属学报

利用离散变分Xa法计算了单晶Ni_3Al的一个原子簇(Ni_(15)Al_(12)),并据此分析了能级结构、电子态密度,计算了Ni_3Al中原子间的键级及相应的组成。键组成分析证明:Ni-Al键与Ni-Ni键具有较好的相似性,p-d键在两种键的组成中都占有较大比例。Ni_3Al的Ll_2结构,使两种相似的键在空间呈均匀分布,宏观上Ni_3Al表现出较高的强度。单晶体良好的韧性归因于Ni-Al键与Ni-Ni键的相似性,方向性较强的共价键在晶界处受到削弱导致多晶体的本征脆性。

关键词: Ni_3Al , energy level structure , electronic state density , covalent bond , bonding characteristic

铜线性能及键合参数对键合质量的影响

曹军 , 丁雨田 , 郭廷彪

材料科学与工艺

为了提高铜线性能及其键合质量,采用拉力-剪切力测试仪、扫描电镜等研究了不同力学性能铜线及相应的键合参数对其键合质量的影响,分析了不同伸长率和拉断力、铜线表面缺陷、超声功率和键合压力对铜线键合质量的作用机制.结果表明：伸长率过小和拉断力过大会造成焊点颈部产生微裂纹,从而导致焊点的拉力和球剪切力偏低;表面存在缺陷的铜线其颈部经过反复塑性大变形会造成铜线表面晶粒和污染物脱落而出现短路和球颈部断裂;键合过程中键合压力过大能够引起的焊盘变形,同时较大的接触应力引起铝层溢出;过大的超声功率使键合区域变形严重产生明显的裂纹和引起键合附近区域严重的应力集中,致使器件使用过程中产生微裂纹而降低器件的使用寿命.

关键词: 伸长率 , 拉断力 , 表面 , 超声功率 , 键合压力

SOI键合材料的TEM研究

王敬 , 屠海令 , 刘安生 , 周旗钢 , 朱悟新 , 张椿

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.008

用横断面透射电子显微术 (TEM) 研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构.绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀, Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞.

关键词: 硅片键合 , SOI , 界面 , 微结构

Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺研究

杜茂华 , 蒋玉齐 , 罗乐

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.015

研究了 Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及 Sn层厚度等因素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化.实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合质量的重要因素,在功率 500W、时间 200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较小的压力( 0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而 Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度能够缩短键合时间.在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美军标规定的 6.25MPa的强度要求(对于 2mm× 2mm芯片).