彭珍珍
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蔡舒
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王彦伟
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张毅
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金亮
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吴厚政
稀有金属材料与工程
以工业中广泛使用的85氧化铝陶瓷原料粉为原料,加入纳米碳化硅,通过控制无压埋烧制备了85Al2O3/SiC纳米复合陶瓷,研究了其表面抛光行为,讨论了纳米碳化硅对复合陶瓷表面抛光性能的影响.结果表明,纳米复合陶瓷表现出显著优于基体材料的表面抛光响应,在同样的磨料尺寸下,复合陶瓷能够得到更好的表面抛光质量.SEM分析表明,纳米碳化硅的加入使材料的抛光去除机制发生了改变,由大范围的深层晶粒拔出变为小尺寸的浅层去除和塑性变形.
关键词:
85Al2O3/SiC纳米复合陶瓷
,
表面抛光性能
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断裂模式
代由勇
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刘宜华
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萧淑琴
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张林
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吴厚政
,
张延忠
金属学报
用射频溅射法制备了Cu夹层的Fe-Cu-Cr-V Si-B三明治膜,在不同条件下对样品进行了退火处理,在最佳退火条件下,样品的软磁特性得到明显改善,从而获得了优良的巨磁阻抗(GMI)效应.研究了GMI效应与交变电流频率f和外加直流磁场H关系在5 MHz的特征频率下,最大的横向阻抗比△ZH/Zm达91%.由于样品的三明治结构,横向磁阻抗比明显优于纵向.
关键词:
磁性薄膜
,
null
,
null
吴厚政
,
刘宜华
,
代由勇
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张林
,
萧淑琴
金属学报
本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800 kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
null
吴厚政
,
刘宜华
金属学报
研究了Ｃｏ-Ｆｅ-Ｎｉ-Ｎｂ-Ｓｉ-Ｂ非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗（ＧＭＩ）效应. 样品在３５０℃下退火６０ｍｉｎ后获得了最佳的软磁特性, 并表现出优良的ＧＭＩ效应. 在１．４ＭＨｚ的交变电流频率下, 获得了最大的ＧＭＩ效应, 磁阻抗比ΔＺ／ＺＳ＝（Ｚ０－ＺＳ）／ＺＳ最高可达１９２％. 在低频下得到了显著的巨磁电感效应, 在１００ｋＨｚ下, 磁电感比达到７６９％.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
null
袁颖
,
袁启明
,
吴厚政
,
李金有
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2002.03.005
采用热压法进行氮化硅陶瓷材料的扩散连接.结果表明:在1520℃,15MPa,60min条件下,氮化硅连接体的最高强度为448.6MPa,超过母材强度;平均连接强度为401.5MPa,为母材强度的96%.
关键词:
氮化硅
,
扩散连接
,
塑性形变
韩明
,
陈玉如
,
吴厚政
,
张琪
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2001.03.001
以10mol%MgO-PSZ为基础,研究了添加5.7mol%、7.4mol%和9.1mol%CeO2的(Ce,Mg)-PSZ陶瓷的力学性能和显微结构.实验结果表明:材料的耐高温老化性随CeO2含量的增加而增强.微观结构分析证实添加CeO2后高温时PSZ材料发生css-ZrO2→ZrO2+MgO分解,延缓了css-ZrO2→m-ZrO2+MgO分解.同时CeO2和MgO有效地稳定了c-ZrO2和t-ZrO2.
关键词:
(Ce,Mg)-PSZ陶瓷
,
热处理
,
力学性能
,
显微结构
戴祖荣
,
李保成
,
吴厚政
,
陈玉如
,
刘文西
金属学报
用透射电镜定位观察了(Y,Mg)-PSZ陶瓷马氏体相变的动态过程。在四方氧化锆互相顶撞的应力作用下,先产生一组马氏体亚结构,由于弛豫弹性应变再诱发另一组亚结构,二者形成(100)孪晶。同时,对马氏体相变过程作了晶体学研究。
关键词:
陶瓷
,
ZrO_2
,
martensitic transformation
吴厚政
,
刘宜华
,
张林
,
萧淑琴
,
代由勇
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.09.020
研究了Co-Fe-Ni-Nb-Si-B非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗(GMI)效应.样品在350℃下退火60 min后获得了最佳的软磁特性,并表现出优良的GMI效应.在1.4 MHz的交变电流频率下,获得了最大的GMI效应,磁阻抗比△Z/Zs=(Zo-Zs)/Zs最高可达192%.在低频下得到了显著的巨磁电感效应,在100 kHz下,磁电感比达到769%.在高频下,材料表现出优良的巨磁电阻效应,在13 MHz下,磁电阻比达到383%.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
非晶态软磁合金薄带
,
趋肤效应
代由勇
,
刘宜华
,
萧淑琴
,
张林
,
吴厚政
,
张延忠
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.03.012
用射频溅射法制备了Cu夹层的Fe-Cu-Cr-V Si-B三明治膜,在不同条件下对样品进行了退火处理,在最佳退火条件下,样品的软磁特性得到明显改善,从而获得了优良的巨磁阻抗(GMI)效应.研究了GMI效应与交变电流频率f和外加直流磁场H关系在5 MHz的特征频率下,最大的横向阻抗比△ZH/Zm达91%.由于样品的三明治结构,横向磁阻抗比明显优于纵向.
关键词:
磁性薄膜
,
巨磁阻抗
,
趋肤效应
