宋世巍
,
秦福文
,
吴爱民
,
何欢
,
王叶安
,
姜辛
,
徐茵
,
顾彪
功能材料
利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出Mn含量约为3%的(Ga,Mn)稀磁半导体薄膜.利用反射高能衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)表征(Ga,Mn)N薄膜的表面形貌和结构特征.(Ga,Mn)N薄膜具有良好的(0002)择优取向和纤锌矿结构,表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成.光致发光(PL)测量发现3.27eV附近出现施主-受主对(DAP)发光峰.超导量子干涉仪(SQUID)测量表明薄膜在室温下具有铁磁性,没有发现超顺磁性和自旋玻璃态,居里温度可达400K.
关键词:
(Ga,Mn)N
,
ECR-PEMOCVD
,
室温铁磁性
,
居里温度
陈瑞
,
吴敏
,
王万宾
,
吴爱民
,
赵婧
,
陈季康
,
潘波
环境化学
doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2017.04.2016072602
本研究以大型蚤毒性试验标准为参照进行剑水蚤的铜毒性试验,并以生物配体模型(BLM)为主要工具,实现对毒性数据的校正和毒性效应的预测.在不同水质参数下,实测铜的48 h LC50为141-566 μg·L-1,相应的BLM预测值为143-1208μg·L-1,表明BLM对铜的毒性预测良好.pH升高、DOC以及钙、镁、钠离子浓度的增加均对铜毒性有不同程度减弱作用,钾离子对铜毒性影响较小,BLM对这一现象的描述较好.利用Visual MINTEQ软件对不同水参数条件下铜形态分布进行模拟,辅助解释实验现象,发现钙、镁、钠、钾离子对铜形态分布影响较小.DOC的加入则使络合态铜含量增加,而pH升高导致游离态铜浓度下降,水合态铜浓度升高.本研究表明,预测铜对剑水蚤的毒性要充分考虑水质参数的影响,BLM在铜对剑水蚤的毒性预测方面表现了非常好的应用潜力.
关键词:
剑水蚤
,
铜毒性
,
生物配体模型
,
水质参数
邹建新
,
刘振民
,
吴爱民
,
秦颖
,
王晓钢
,
董闯
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2003.02.018
针对强流脉冲电子束(HCPEB)表面改性的特点,采用适当的数学模型和数值模拟的方法,对9Cr18钢经Ti离子注入后又使用强流脉冲电子束表面辐照处理中产生的增强扩散效应进行了研究,计算结果与实验结果较为吻合.分析表明,扩散激活能的下降是导致增强扩散的主要原因,这与HCPEB改性过程产生的非平衡辐照缺陷浓度密切相关.
关键词:
强流脉冲电子束(HCPEB)
,
增强扩散
,
数值模拟
张学宇
,
吴化
,
刘耀东
,
吴爱民
人工晶体学报
采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)设备制备了氢化纳米晶硅薄膜.通过Raman光谱、XRD和紫外-可见分光光度计的测试分析,研究了Ar/H2对薄膜组织结构和光学性能的影响,并对沉积腔室的等离子体环境进行了系统的诊断.实验发现:少量Ar气的通入有利于提高腔室中的电子温度,保证纳米晶硅薄膜结构的同时提高薄膜的光学带隙宽度.进一步提高Ar气的比例,薄膜明显非晶化,光学性能下降.结合薄膜生长机理和放电气体电离特性对实验结果的产生原因进行了分析.
关键词:
nc-Si∶H
,
Ar/H2
,
等离子体诊断
,
ECR-PECVD
陈伟绩
,
秦福文
,
吴爱民
,
王文彦
功能材料
采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底氮化时间对GaN薄膜质量的影响.结果表明,氮化时间为5min时,得到的GaN薄膜呈高度c轴择优取向,结晶性较好,薄膜表面是由许多亚微米量级的表面岛按一致的取向规则堆砌而成的,薄膜表面较为平整且呈n型导电;氮化时间增加,薄膜结晶性反而变差.
关键词:
GaN
,
氮化
,
ECR-PEMOCVD
,
玻璃衬底
史少飞
,
吴爱民
,
张学宇
,
姜辛
材料导报
阐述了异质结(HIT)太阳能电池的结构与特征,并从异质结能带结构的优化、非晶硅层的制备方法、背面场(BSF)的研究、衬底材料的选取以及发射极材料的革新等方面综述了HIT太阳能电池的技术发展状况.概述了HIT电池的产业化应用研究现状,并展望了HIT、太阳能电池的未来发展趋势.
关键词:
HIT
,
太阳能电池
,
异质结结构
杨智慧
,
秦福文
,
吴爱民
,
宋世巍
,
刘胜芳
,
陈伟绩
人工晶体学报
利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO:Al薄膜.采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO:Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜.利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响.
关键词:
掺铝氧化锌衬底
,
GaN薄膜
,
低温生长
张学宇
,
吴爱民
,
冯煜东
,
胡娟
,
岳红云
,
闻立时
人工晶体学报
用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料.通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响.根据AFM照片分析了薄膜的表面形貌,进而推测了薄膜的内部组成.实验发现:衬底温度在250 ℃时,磷烷的加入会大大降低薄膜的晶化率.衬底温度提高到350 ℃后这种影响明显下降.薄膜的载流子浓度和电导率受薄膜晶化率影响明显,衬底温度的升高对薄膜电学性能提高有较大帮助.
关键词:
ECR-PECVD
,
磷掺杂
,
微晶硅薄膜
,
霍尔测量
秦颖
,
吴爱民
,
邹建新
,
刘悦
,
王晓钢
,
董闯
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2003.01.020
在纯Al强流脉冲电子束表面改性实验的基础上,通过数值计算方法对其温度场和熔化过程进行了模拟,给出了脉冲半高宽度为0.5μs、能量为3J/cm2电子束轰击铝靶后:熔化深度约为2.5μm,与TEM的观察结果一致,熔化从0.4μs开始到1.6μs结束,最先完全熔化的位置约为1.4μm,亚表层首先熔化并且迅速膨胀(沉积的能量在最大射程的1/3处达到最大值),体积膨胀力大约为275MPa,引起了熔体从亚表层通过表层向外喷发,熔体的喷发速度约为1330m/s,随后表面从内向外经历速率为109K/s的冷却过程,因而使得表面形成类似于火山坑状的"熔坑".验证了SEM和TEM的实验结果.
关键词:
强流脉冲电子束(HCPEB)
,
数值模拟
,
熔坑
程华
,
张昕
,
张广城
,
刘汝宏
,
吴爱民
,
石南林
材料研究学报
以Ar+SiH4作为反应气体,用电子问旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-PECVD)方法制备微晶硅薄膜,研究了微波功率对薄膜中H含量、薄膜的沉积速率、择优取向和结晶度的影响.结果表明,在300℃制备低温微晶硅薄膜,随着微波功率的增大,薄膜的沉积速率先增大后减小,微波功率为600 W时达到最大;而结晶度和薄膜中的H含量则分别呈现单调增大和单调减少的趋势;使用不同的微波功率,薄膜的择优取向均为(111)方向.
关键词:
材料合成与加工工艺
,
微晶硅薄膜
,
Ar稀释SiH4
,
ECR-PECVD
,
微波功率
