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异硫氰酸酯类化合物在混合液晶中的应用

孟劲松 , 吕文海 , , 张芳苗 , 邸玉静 , 丰景义 , 颜希哲 , 华瑞茂

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153002.0224

近些年来,液晶透镜技术得到了长足的进步和广泛的应用,尤其是在立体显示技术中。液晶透镜为了获得高的光学效率和快速的响应时间,要求使用的液晶混合物具有较大的折射率各向异性、较小的旋转黏度、较大的介电各向异性以及大的 K 值。文中将异硫氰酸酯类化合物引入到液晶透镜用混合液晶中,获得了具有大折射率各向异性,较大的 K值、较小的旋转黏度的液晶混合物。

关键词: 液晶透镜 , 大折射率 , 异硫氰酸酯

端烯多氟三联苯液晶的合成与性能研究

, 王明霞 , 张虎波 , 张伟 , 孟劲松 , 康素敏 , 华瑞茂

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20173204.0258

为了适应快速响应的要求,液晶盒的设计向低盒厚的方向发展,所以对液晶折射率的要求趋向于增大,设计混合液晶配方趋向于考虑添加更多浓度的多苯环结构的液晶单体.三联苯液晶由于具有大的折射率、低的旋转黏度、高的清亮点是开发高折射率液晶配方的必要成分,常见的三联苯液晶往往是介电中性或很大的极性,本文设计、合成、评测了一类端烯多氟三联苯液晶单体,含有丙烯醚端基、丁烯端基,相对于常见单体,具有较大的光学各向异性Δn、中等的介电各向异性Δε、较高的清亮点CP,并对其表现出的性能参数与液晶分子结构之间的关系进行了初步分析探讨,通过GC-MS、NMR等分析方法对结构进行了表征.

关键词: 三联苯 , 液晶 , 多氟液晶 , 端烯

苯并呋喃类液晶的合成

张芳苗 , , 张晶梅 , 杨成对

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.01.002

苯并呋喃类液晶的合成是以烷基苯酚为原料,经氯仿甲酰化,得到取代水杨醛,由此可合成出取代的苯并呋喃,进而可合成出一系列苯并呋喃类液晶.目标化合物经H~1NMR、MS和元素分析,确认了分子结构.液晶的相变温度通过差热扫描仪测定,测量结果为熔点T_(mp)=83.66℃;清亮点T_(cp)=145.42℃.

关键词: 苯并呋喃 , 液晶 , 氯仿甲酰化 , Suzuki偶联反应

利用六氯乙烷合成含氯类液晶单体

, 崔红梅 , 刘文菊 , 梁立志 , 张晶梅 , 张芳苗

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112604.0432

提出了一种利用六氯乙烷给取代芳烃引入氯原子的方法.将取代芳烃在低温下制成锂(钾)试剂,再与六氯乙烷反应,可以得到较高转化率的氯代芳烃.分别对邻位无氟原子取代基、单氟原子取代基、双氟原子取代基三类中间体进行了合成方法研究.通过元素分析、质谱等对产物结构进行了确认和表征.该方法具有反应收率高、产品纯度好、成本较低等特点.

关键词: 六氯乙烷 , 液晶 , 含氯液晶 , 丁基锂

含链端烯基负性液晶单体的合成及其性能研究

, 郑成武 , 华瑞茂

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132804.0510

链端烯基液晶化合物由于具有较好的与其他液晶的互溶性、较低的黏度(尤其是较低的旋转黏度γ1),已经应用于TN、STN、TFT等多种类型的液晶混合物中,但其合成难度较大.文中讨论了含链烯基及苯环侧向氟取代的介电各向异性为负性的液晶单体的合成方法,该方法主要采用氯丙烯格氏试剂和含不同取代基的苄氯偶联反应引入链烯基,具有成本低、合成路线短等优点.测试了合成液晶化合物的熔点、清亮点、双折射、介电各向异性等液晶参数,并对其结构和性能之间的关系进行了分析讨论.

关键词: 液晶 , 负性液晶 , 含氟液晶 , 链端烯基

渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产

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