蒋盼
,
彭坤
,
周灵平
,
朱家俊
,
李德意
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.20.024
采用氧化法在铜片上生成氧化亚铜,研究氧化工艺对氧化亚铜厚度的影响规律,利用X射线衍射仪和扫描电镜分别对氧化产物和氧化层厚度进行表征.无氧铜片在900～1050℃,氧气体积分数为2％～10％条件下氧化可在表面生成一层纯的Cu2O层;当氧化温度和氧气体积分数分别是1000℃和4％时,生成致密的Cu2O层,且厚度易于控制,氧化层厚度(ζ)与时间(t)的关系满足抛物线关系ζ2=194t-955.
关键词:
直接覆铜法
,
氧化
,
氧化亚铜
,
厚度
王瑞
,
周灵平
,
汪明朴
,
朱家俊
,
李德意
,
李绍禄
材料科学与工程学报
采用双靶磁控溅射共沉积方法制备Cu-W薄膜,其微观结构及形貌通过XRD、TEM和SEM方法测试,结果表明,Cu-W薄膜是由Cu固溶于W或W固溶于Cu的亚稳态固溶体组成,且随着W含量的增加,Cu-W薄膜依次形成面心立方fee结构的Cu基亚稳固溶体、fee和bee结构固溶体的双相区以及体心立方bee结构的W基亚稳固溶体,晶粒尺寸随溶质原子含量的增加而减小.这些亚稳固溶体的形成是由于溅射出的原子动能足以克服Cu、W固溶所需的混合热.以及溅射过程中粒子的纳米化和成膜过程中引入的大量缺陷造成的.
关键词:
低维金属材料
,
铜钨薄膜
,
磁控溅射
,
亚稳固溶体
孙心瑗
,
周灵平
,
林良武
,
李德意
,
李绍禄
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.020
金刚石涂层的粘结性能是影响CVD金刚石薄膜涂层刀具使用寿命的关键因素.本文分别对硬质合金(YG6)表面进行酸蚀去钴和原位脱碳两种不同的预处理后,在热丝CVD系统中沉积金刚石薄膜,运用压痕试验评价金刚石薄膜与硬质合金基体的粘结性能.结果表明,经过原位脱碳预处理的硬质合金表面上金刚石涂层的粘结性能比酸蚀去钴法提高了近一倍;同时分析了硬质合金表面酸蚀去钴对金刚石薄膜粘结性能的影响及其剥离机制,并讨论了硬质合金表面原位脱碳的化学机制.
关键词:
CVD金刚石薄膜
,
硬质合金
,
粘结强度
,
压痕试验
徐兴红
,
周灵平
,
彭坤
,
朱家俊
,
李德意
,
李绍禄
机械工程材料
利用TFCalc软件模拟了银膜和TiO2膜厚度对TiO2/Ag/Ti/TiO2膜系光学性能的影响,根据模拟结果利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了不同银膜厚度的TiO2/Ag/Ti/TiO2低辐射薄膜,并对银膜的连续性及其低辐射玻璃的透射率进行了研究.结果表明:银膜形成连续薄膜的临界厚度约为15 nm,在该临界厚度下制备低辐射玻璃的可见光透射率可达81％,且W70接近330 nm,当银膜厚度为20 nm时不能获得高的可见光透射率.
关键词:
低辐射玻璃
,
连续性
,
银膜
,
光学性能
朱家俊
,
周灵平
,
刘新胜
,
彭坤
,
李德意
,
李绍禄
人工晶体学报
采用单、双靶反应磁控溅射法分别在45钢、GCr15钢、硅(100)和钼衬底上制备了AlN薄膜.X射线衍射和电子显微分析表明,双靶反应磁控溅射沉积的AlN薄膜具有高致密度和低残余应力,同时采用划痕法和压痕法等对AlN薄膜的粘结强度进行测试, 结果表明:双靶反应磁控溅射共沉积AlN薄膜的粘结强度明显比单靶沉积的薄膜高,划痕临界载荷提高0.5～2倍.不同衬底上沉积的AlN薄膜粘结强度存在很大的差别,以钼衬底上沉积的薄膜粘结强度最高,划痕法测得的临界载荷高达64 N;GCr15衬底上AlN薄膜摩擦试验表明,AlN薄膜能明显起到减磨作用.
关键词:
AlN薄膜
,
反应磁控溅射
,
粘结强度
,
共沉积
门海泉
,
周灵平
,
刘新胜
,
李德意
,
李绍禄
,
肖汉宁
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.048
采用直流双靶磁控溅射聚焦共沉积技术在Fe衬底上高速率生长AlN薄膜,结果表明,双靶共沉积技术有效地提高了AlN薄膜生长速率,相同工作气压或低N2浓度时双靶磁控溅射沉积速率约为单靶沉积速率的2倍;随着溅射系统内工作气压或N2浓度的升高,薄膜生长速率不断减小;薄膜择优取向与薄膜生长速率相互影响,随着工作气压的升高,(100)晶面的择优生长减缓了薄膜生长速率的降低,随着N2浓度的升高,(002)晶面的择优生长加剧了薄膜生长速率的降低,而相对较低的溅射沉积速率有利于(002)晶面择优取向生长.
关键词:
AlN薄膜
,
共沉积
,
生长速率
,
磁控溅射
,
择优取向
孙心瑗
,
周灵平
,
林良武
,
李得意
,
李绍禄
,
陈本敬
功能材料
应用X射线衍射仪的薄膜附件对热丝化学气相沉积金刚石厚膜的成核面和生长面进行分析,结果表明,金刚石厚膜的晶格常数从生长面到形核面沿深度方向是逐渐变小的.化学气相沉积金刚石初期生长的晶体存在大量的空位等缺陷,晶格松弛,在金刚石膜持续生长过程中,形核面和膜内部在高温下发生长时间的自退火,缺陷浓度下降,晶格松弛现象消除,晶格常数变小并趋于理论值.试验表明,经长时间高温自退火的金刚石厚膜比薄膜具有更高的耐磨性.
关键词:
CVD金刚石膜
,
X射线衍射
,
晶格松弛
,
自退火
,
耐磨性能
周灵平
,
靳九成
,
李绍禄
,
颜永红
,
朱正华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.02.005
用SEM方法观察分析了CVD金刚石薄膜表面的缺陷形貌和结构,直观的两种缺陷为孪晶和孔洞.孪晶反映了晶粒的不完整性,它的产生取决于气相中活性分子的浓度与生长表面活性位数目的比值,孪晶比率随碳源浓度升高和衬底温度的降低而增大;孔洞反映了膜的不致密性,其产生与膜生长速率和衬底表面初始成核密度切相关,孔洞密度随碳源浓度升高和衬底温度的升高而增大.
关键词:
金刚石薄膜
,
缺陷
,
化学气相沉积
,
孪晶
,
表面形貌
陈峰武
,
周灵平
,
朱家俊
,
李德意
,
彭坤
,
李绍禄
机械工程材料
采用热丝CVD法制备的大面积金刚石薄膜存在基片变形严重的问题，通过对热丝CVD设备和沉积工艺进行改进，成功解决了直径76mm、厚度0．4mm硅片的变形问题。结果表明：改进后金刚石薄膜基片的翘曲度为0．296%，比改进前的降低了88．9％；改进后金刚石薄膜的质量及晶粒大小均匀，膜厚不均匀度仅为1．53％，具有优异的大面积均习性。
关键词:
金刚石薄膜
,
热丝CVD
,
变形
,
均匀性
岳安娜
,
彭坤
,
周灵平
,
朱家俊
,
李德意
材料导报
Al/Cu键合界面金属间化合物的形成是导致微电子器件失效的重要因素之一,总结了微电子器件生产和使用过程中Al/Cu键合界面金属间化合物的生长规律,分析了Al/Cu键合系统的失效机制.热超声键合过程中,Al焊盘上氧化铝层的破裂使金属间化合物的形成成为可能,键合及器件使用过程中,金属间化合物和柯肯德尔空洞的形成和长大最终导致键合失效.采用在Al焊盘上镀覆Ti过渡层的方法,可有效降低键合系统中Cu原子的扩散速度,抑制金属间化合物的生长,从而提高电子元器件的可靠性.
关键词:
Al/Cu键合
,
金属间化合物
,
扩散
,
Ti过渡层
