吴锋景
,
夏靖
,
刘小娟
,
翟文奎
,
袁祥
,
姚俊合
,
肖鑫
腐蚀科学与防护技术
doi:10.11903/1002.6495.2016.040
采用失重法、电化学方法研究了加替沙星对碳钢在酸性溶液中的缓蚀行为,用扫描电镜观察了碳钢表面的腐蚀形貌,并结合热力学讨论了其缓蚀机理.结果表明,浓度为700 mg/L的加替沙星对碳钢在3%HCl溶液中有高达95.6%的缓蚀作用.加替沙星为混合型缓蚀剂,能同时抑制碳钢的阴、阳极反应过程.吸附热力学研究表明加替沙星在碳钢表面的吸附符合Langmuir等温式,属于物理吸附和化学吸附共同作用的结果,吸附过程放热且熵增.
关键词:
加替沙星
,
电化学
,
Langmuir吸附等温式
,
缓蚀剂
李冰
,
尚建阁
,
刘清泉
,
张智慧
,
丁云河
,
魏明君
,
王蒙
黄金
doi:10.11792/hj20150106
以姚冲大型钼多金属矿床为例,阐明了大别山北麓地区区域和矿床地质特征。通过在该地区开展岩矿石物性标本测试、综合物探剖面性研究(可控源音频大地电磁方法和频谱激电方法试验),试验及测试结果表明,姚冲钼矿床中含矿岩体为中低阻,高极化特征,姚冲钼矿床为斑岩体外接触带成矿,在深部高阻岩体的外侧存在一个低阻异常体,经钻孔验证,该低阻异常体为花岗斑岩体(脉)外接触带含辉钼矿的中元古界片麻岩。频谱激电法反演结果更进一步印证了物性测试结果和可控源音频大地电磁测深结果的准确性。因此,此次综合物探方法试验结果表明,可控源音频大地电磁测深和频谱激电法在该地区寻找斑岩型钼矿床是有效的,可为今后在该区域寻找斑岩型矿床提供技术参考。
关键词:
可控源音频大地电磁测深
,
频谱激电法
,
斑岩型钼矿床
,
姚冲钼多金属矿床
曹军
,
丁雨田
,
郭廷彪
材料科学与工艺
为了提高铜线性能及其键合质量,采用拉力-剪切力测试仪、扫描电镜等研究了不同力学性能铜线及相应的键合参数对其键合质量的影响,分析了不同伸长率和拉断力、铜线表面缺陷、超声功率和键合压力对铜线键合质量的作用机制.结果表明:伸长率过小和拉断力过大会造成焊点颈部产生微裂纹,从而导致焊点的拉力和球剪切力偏低;表面存在缺陷的铜线其颈部经过反复塑性大变形会造成铜线表面晶粒和污染物脱落而出现短路和球颈部断裂;键合过程中键合压力过大能够引起的焊盘变形,同时较大的接触应力引起铝层溢出;过大的超声功率使键合区域变形严重产生明显的裂纹和引起键合附近区域严重的应力集中,致使器件使用过程中产生微裂纹而降低器件的使用寿命.
关键词:
伸长率
,
拉断力
,
表面
,
超声功率
,
键合压力
刘玉岭
,
王新
,
张文智
,
徐晓辉
,
张德臣
,
张志花
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.01.004
研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅/硅键合的一整套新技术(代替通用的亲水法);实现了键合层无孔洞,边沿键合率达98%以上,键合强度达2156Pa以上,并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质,实现了应力补偿.
关键词:
硅
,
锗
,
键合
,
机理
杜茂华
,
蒋玉齐
,
罗乐
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.015
研究了 Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及 Sn层厚度等因 素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化.实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合 质量的重要因素,在功率 500W、时间 200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键 合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较 小的压力( 0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而 Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度 能够缩短键合时间.在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美军标规定的 6.25MPa的强 度要求(对于 2mm× 2mm芯片).
关键词:
芯片键合
,
等温凝固
,
Cu/Sn体系
,
微结构
丁晓静
,
牟世芬
色谱
doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2001.05.007
讨论了近10年来发展较为活跃的螯合离子色谱(CIC)的原理及其系统组成和分析流程,高效螯合离子色谱(HPCIC)的原理,高效螯合固定相的类型、应用范围及优缺点等,其中包括化学键合、永久涂敷或动态涂敷的高效螯合固定相,引用文献53篇.
关键词:
螯合离子色谱
,
高效螯合离子色谱
,
进展
,
金属离子
,
永久涂敷
,
动态涂敷
王敬
,
屠海令
,
刘安生
,
周旗钢
,
朱悟新
,
张椿
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.008
用横断面透射电子显微术 (TEM) 研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构.绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀, Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞.
关键词:
硅片键合
,
SOI
,
界面
,
微结构