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退火温度对IrO2+ZrO2涂层结构和电容性能的影响

采用热分解法在Ti基上被覆了IrO2+ZrO2氧化物涂层.通过XRD、SEM、EDX、XPS和循环伏安法等分析了退火温度对IrO2-ZrO2二元氧化物涂层的物相、表面形貌和电容性能的影响,引用非线性方程g*(v)=A1 exp(-v/t11)+A 2exp(-v/t2)+y0计算了涂层的内外活性点.结果表明:IrO2-ZrO2涂层的临界晶化温度为340～360℃,340℃退火的涂层物相为非晶结构,360℃退火,含有晶态和非晶态2种结构组织,其离子价态为Ir3+、Ir4+以及过饱和IrO2+(x＞0).电容性能随着温度的升高呈先增大后减小变化,360℃退火的电极有最大的电容值,与其“非晶态/晶态”两相共存组织结构有关.涂层中质子迁移能力比电子导电能力对电容的影响要大,扫描速度对质子迁移的影响大于对电子导电的影响.

关键词: 组织结构 , 电容性能 , IrO2+ZrO2二元氧化物 , 热分解

Ti/IrO 2-SnO 2-CeO 2电极的电容特性

邵艳群 , 伊昭宇 , 娄长影 , 朱君秋 , 马晓磊 , 唐电

中国有色金属学报

采用热分解法在360℃制备了Ti/IrO2-SnO2-xCeO2(摩尔分数)电极，通过 X射线衍射(XRD)、交流阻抗(EIS)和循环稳定实验分析CeO2含量对 Ti/IrO2-SnO2-xCeO2涂层组织、电容性能、频率响应特性和循环稳定性的影响。结果表明：CeO2可抑制IrO2-SnO2晶化，随CeO2含量的增加，IrO2-SnO2的晶化程度逐渐下降。含20% CeO2电极比电容可达505.7 F/g，是同频率下Ti/IrO2-SnO2电极的3倍。CeO2含量不超过20%时，对电极的传荷电阻Rct及弛豫时间常数τ影响较小。经历6000次循环后，10% CeO2电极电容增加了34.39%，20% CeO2电极电容增加了3.45%，

关键词: 超级电容器 , 电化学交流阻抗 , 频率特性 , 二氧化铱 , 二氧化铈

热处理对IrxOy-SnO2/Ti电极电容稳定性的影响

邵艳群 , 娄长影 , 林星星 , 唐电

材料热处理学报

以H2IrCl6和SnCl4为源物质,Ir和Sn原子摩尔比4∶6为组成,采用热分解法制备了IrxOy-SnO2/Ti电极.通过X射线光电子能谱分析(XPS)和循环伏安测试法分析了热处理温度和保温时间对电极的组成、稳定比电容和反应激活能的影响.结果表明:电极材料由+3价和+4价的混合铱氧化物和SnO2组成.内电荷量均比外电荷量大,内电荷、外电荷和总电荷均随温度升高先增后减,320℃的电极具有最高总电荷量513.9 mC·cm-2,保温11h达到其稳定比电容280 F·g IrO2-1.即使经过360℃热处理,稳定比电容均高于150 F·g IrO2-1.不同热处理温度获得稳定比电容所需要的保温时间符合Arrhenius方程,反应激活能为4.54 kJ/mol.反应激活能小,保温过程对比电容的影响较小.

关键词: 氧化铱电极 , 比电容 , 热处理

娄山河表层沉积物重金属赋存形态及风险评价

李永霞 , 黄莹 , 高甫威 , 徐民民 , 孙博 , 王宁 , 杨健

环境化学 doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2016.02.2015050403

测定了娄山河表层沉积物间隙水中重金属(Cu、As、Pb、Zn、Cr、Cd和Ni)的质量浓度,采用改正的BCR顺序提取法分析了沉积物中重金属的赋存形态,并分别基于美国水质基准(CCC、CMC)和风险评价编码法(RAC)、潜在生态风险指数法对间隙水和表层沉积物中重金属的毒性及生态风险进行评价.结果表明,娄山河表层沉积物间隙水中Cr、Pb可能对水生态系统产生急性或慢性毒性.沉积物中7种重金属的含量均高于土壤背景值,呈现累积效应.沉积物中As、Ni主要赋存于残渣态,Cu、Cr主要赋存于可氧化态和残渣态,Pb、Zn在多数点位以残渣态为主,Cd以酸可溶解态为主要赋存形态.除As外,其余重金属的可提取态含量高于残渣态,有较高的二次释放潜力.RAC的评价结果表明,表层沉积物中Cu、As、Pb和Cr处于无风险到低风险级,Zn、Ni处于低风险到高风险级,Cd以高风险和极高风险级为主,不同重金属RAC的平均值依次为Cd＞Zn＞Ni＞Pb＞Cu＞As＞Cr.潜在生态风险指数法的评价结果表明,Zn为低生态风险,其余重金属均存在点位处于中等及以上生态风险,RI值表明研究区采样点有中等到极强生态风险.

关键词: 娄山河 , 间隙水 , 表层沉积物 , 重金属 , 赋存形态 , 风险评价

对流对枝晶生长影响的数值模拟研究进展

王怀志 , 张殿喜 , 王智平 , 冯力

材料导报

介绍了对流影响枝晶生长的主要数值模拟方法,评述了对流对枝晶生长影响的数值在模拟国内外的研究现状,指出了该领域目前面临的问题和未来的发展趋势.

关键词: 数值模拟 , 微观组织 , 对流

激光熔注中增强相颗粒对晶粒生长影响的CA模拟?

赵明娟 , 邓志成 , 赵龙志

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.01.018

基于元胞自动机法，结合 Moore 型邻居定义和晶粒生长理论，建立了增强相颗粒 SiC 对镁合金激光熔注中表层316L不锈钢晶粒生长的影响模型，模型考虑了晶界迁移率和晶界能等因素，实现了不同增强相颗粒体积分数和颗粒尺寸对晶粒生长影响的计算机模拟.结果表明，所建立的模型能较好的模拟晶粒生长过程，所得晶粒生长指数为0．42；增强相颗粒体积分数含量越高，晶粒生长越慢，晶粒尺寸越小；增强相颗粒尺寸越小，晶粒生长的越慢，晶粒尺寸越小，组织越均匀.

关键词: 激光熔注 , 晶粒生长 , 元胞自动机 , 镁合金

加高喷头MOCVD压强对生长影响的研究

曹盛 , 张建立 , 徐龙权 , 唐子涵

人工晶体学报

以低速旋转、加高喷头、垂直喷淋的MOCVD反应室为对象,运用三维数学输运模型分析与计算.在模拟过程中分析了压强的变化对高喷头反应室流场的影响,着重分析与讨论了操作压强变化与GaN薄膜的沉积一致性及平均生长速率的关系,其次探讨了实验值与模拟值对比结果,从而对薄膜的均匀性及平均生长速率进行一定的预测,最终得到以基准工艺参数为前提的最佳压强设定范围为6650～13300 Pa.模拟跟实验结果表明:减小压强有利于薄膜的均匀性,压强较大时,平均生长速率大,但压强较大时极易引起流场不稳.

关键词: MOCVD , 加高喷头 , GaN生长 , 均匀性 , 数值模拟

组分挥发对CBO晶体生长影响研究

徐子颉 , 吴以成 , 傅佩珍 , 陈创天

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.011

非线性光学晶体CsB3O5(简称CBO)在生长过程中,原料组分的挥发影响了单晶的生长.本文利用XRD,DTA等手段对挥发物的成分进行表征,结果表明挥发物的主要成分是Cs2O,并探讨了原料组分的挥发对结晶状况的影响,以期探索和优化晶体生长工艺.

关键词: 非线性光学晶体 , CsB3O5 , 挥发 , XRD

Fe3+对KDP晶体生长影响的研究

王波 , 王圣来 , 房昌水 , 孙洵 , 顾庆天 , 李义平 , 王坤鹏 , 李云南

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.003

金属离子对KDP晶体的影响是多方面的.本文采用不同的过饱和度,在不同的Fe3+掺杂浓度的生长溶液中生长KDP晶体,定量地研究了Fe3+对KDP晶体生长的影响.实验发现,无论是在高过饱和度还是在低过饱和度下生长KDP晶体,在一定的浓度范围内,Fe3+的掺入既可以增加生长溶液的稳定性,又可以有效抑制晶体柱面的扩展,而且晶体基本不楔化,同时,对晶体光学性能的影响也不大.

关键词: KDP晶体 , Fe3+掺杂浓度 , 过饱和度 , 溶液 , 生长习性

几种因素对水树生长影响的研究

豆朋 , 文习山 , 龚瑛

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2005.01.011

通过在实验室采用水针法对交联聚乙烯绝缘块进行水树枝的培养,重点研究了施加的交流电压、试验时间、频率以及针尖曲率半径对水树枝生长的影响.并通过数学分析验证试验结果,结果表明:这4种因素与水树枝长度均近似成幂函数关系;电压和针尖曲率半径对水树生长的促进作用较时间和频率更为明显;而且所施电压越高、针尖曲率半径越小、频率越高、时间越长,则水树生长越快.

关键词: XLPE , 水树 , 电缆 , 水针法

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