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刻蚀工艺对四面体非晶碳膜生长及其性能的影响

郭婷 , , 郭鹏 , 李晓伟 , 吴晓春 , 谢仕芳 , 汪爱英

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.04.024

目的 研究不同等离子体刻蚀工艺对基体和四面体非晶碳膜(ta-C)的影响,并进一步考察不同电弧等离子体刻蚀时间对ta-C薄膜结构的影响.方法 采用自主设计研制的45°单弯曲磁过滤阴极真空电弧镀膜设备,进行不同等离子体刻蚀以及ta-C薄膜的沉积.使用等离子体发射光谱仪表征离子种类及其密度,使用椭偏仪表征薄膜厚度,原子力显微镜表征刻蚀后的基体粗糙度,拉曼光谱仪和XPS表征薄膜结构,TEM分析薄膜的膜基界面结构.结果 辉光刻蚀工艺中,作用的等离子体离子以低密度的Ar离子为主;而电弧刻蚀时,作用的等离子体离子为高密度的Ar离子和少量的C离子,并且能够在基体表面形成约15 nm的界面层,并实现非晶碳膜(a-C)的预沉积.随电弧等离子体刻蚀时间增加,ta-C薄膜的sp3含量有所降低.结论 相比于辉光刻蚀,电弧刻蚀利于制备较厚的ta-C薄膜.这主要是因为电弧刻蚀时,基体表面形成良好的界面混合层,并预沉积了非晶碳膜,形成a-C/ta-C的梯度结构,有助于增强膜基结合力.

关键词: 四面体非晶碳膜 , 辉光刻蚀 , 电弧刻蚀 , 刻蚀时间 , 结构

大尺寸平面磁控靶高功率脉冲放电的近基底表面光谱研究

, 陈仁德 , 柯培玲 , 王铁钢 , 汪爱英

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.06.018

目的 探索高功率脉冲磁控溅射方法在大尺寸平面磁控溅射Cr靶过程中,近基底表面等离子体区域内的活性粒子分布特性以及辐射跃迁过程,为HiPIMS的规模化应用提供实验基础和理论依据.方法 选择不同高功率脉冲溅射脉冲电压、工作气压和耦合直流等关键沉积参数,采用等离子体发射光谱仪测量近基底表面等离子体区域内的光学发射光谱,分析原子特征谱线的种类、强度分布、离子谱线强度百分比、金属原子谱线含量等.结果 当脉冲电压到达700 V后,基底表面的等离子体区域内的金属离化率显著提高;脉冲电压为600 V时,适当增加工作气压至5.0 mTorr,能有效提高到达基底的Cr激发态粒子含量,工作气压的升高会降低金属离化率.增加耦合直流在一定程度上降低了能到达基底的活性Cr+和Cr*原子含量,为了保持一定的活性粒子比例,耦合直流应当小于1.0 A.结论 大面积高功率脉冲磁控溅射中的近表面等离子体区域内的主要活性粒子为Ar+和Cr*激发态原子,其主导的碰撞过程为Ar+的电离复合过程和Cr*的退激发过程,金属离化率还有待提高.

关键词: 高功率脉冲磁控溅射 , 近基底表面区域 , 发射光谱 , 耦合直流

铕-盐酸氧氟沙星荧光光度法测定铕

孙雪花 , 马红燕 , 齐广才 , 田锐 , 杨阳 , 樊江鹏

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2011.02.013

在HAc-NaAc介质中,铕(Ⅲ)与盐酸氧氟沙星形成络合物使盐酸氧氟沙星的荧光显著猝灭,由此建立了测定铕(Ⅲ)的新方法.该体系的最大激发波长λex=365nm,最大发射波长λem=500nm.实验结果表明,铕(Ⅲ)的浓度在2.00×10-7 mol·L-1~2.80×10-5 mol·L-1范围内与△F=F-F0形成良好的线性关系,最低检出限为8.80×10-8 mol·L-1,回收率在96.0%~101.5%之间,本法灵敏度高、选择性好,结果满意.

关键词: 荧光光度法 , 盐酸氧氟沙星 ,

氧氟沙星在针铁矿-溶液体系存在形态对大肠杆菌的毒性效应?

王阳 , 刘菲 , 秦晓鹏 , 李璐 , 李晋阳

环境化学 doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.05.2014081206

通过批试验研究了针铁矿存在时,氧氟沙星对大肠杆菌的毒性效应以及吸附态的氧氟沙星对微生物生长的影响.结果表明,中性条件下存在培养基时,氧氟沙星在针铁矿上4h可达到吸附平衡,吸附等温线符合Freundlich吸附方程,傅里叶变换红外光谱分析得出氧氟沙星的羧酸基团和酮基基团与针铁矿表面发生络合作用;0.016 g针铁矿的存在一定程度上能够促进大肠杆菌的生长(约50%),随着针铁矿含量的变化(0—0.1 g),在扣除其生长促进的影响后氧氟沙星对大肠杆菌的毒性作用仍显著减弱,由90%降低至60%.

关键词: 针铁矿 , 氧氟沙星 , 大肠杆菌 , 吸附

基于近红外漫反射光谱的盐酸西替利嗪片判别分析

陈芬芬 , 高闽光 , 徐亮

连铸 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.01.001

当前市场上的药品种类繁多,因此对不同厂商的同类药品进行识别分析对规范医药市场及保障人民用药安全有重要现实意义.实验采用基于傅里叶变换近红外漫反射光谱的光谱判别分析方法,结合矢量归一化方法和导数方法对光谱进行预处理,对不同品牌的盐酸西替利嗪片建立定性识别模型,并用验证集样品对模型进行验证.验证结果表明,通过光谱库判别分析法建立识别模型不能正确识别同一厂家的两种样品,但对不同厂家盐酸西替利嗪片的识别正确率为100%,该方法可以用于不同企业同类药品的快速定性识别和质量控制.

关键词: 傅里叶光学 , 近红外光谱 , 盐酸西替利嗪片 , 判别分析 , 快速鉴别

某车型/右车门内板的成形分析及有限元模拟

张玉平

兵器材料科学与工程

  根据某车型/右车门内板的工艺特点,制定不同的工艺补充面模型,采用冲压模拟分析软件AUTOFORM对其拉延成形进行数值模拟,通过对零件可成形性分析图和零件变薄量图的分析、比较及工艺补充部分的调整,得到优化的拉延件型面,最终生产出合格产品。实践证明,该模拟分析结果可靠、准确,为同类型产品零件的生产起到指导作用。

关键词: /右车门内板 , 工艺补充面 , 数值模拟 , 可成形性分析图 , 零件变薄量图

超高效液相色谱-串联质谱同时测定加味金丸中的9种有效成分

覃莎 , 王锦 , 徐远金

色谱 doi:10.3724/SP.J.1123.2012.06040

建立了同时测定加味金丸中9种药效成分含量的超高效液相色谱-串联质谱(UPLC-MS/MS)分析方法.采用Zorbax RRHD Eclipse Plus C18色谱柱,以含0.2%甲酸的水-甲醇为流动相进行梯度洗脱,流速0.4 mL/min,在电喷雾电离(ESI)正离子模式下,采用多重反应监测模式进行检测.结果表明,芍药苷、延胡索乙素、药根碱、小檗碱、巴马汀、吴茱萸碱、柴胡皂苷C、柴胡皂苷A、柴胡皂苷D的线性范围分别为0.025~5.0 mg/L、0.0010~2.0mg/L、0.0023 ~ 7.2 mg/L、0.0027 ~ 28.9 mg/L、0.0023 ~9.1 mg/L、0.0050 ~1.0 mg/L、0.050~10 mg/L、0.005~ 1.0 mg/L、0.0075 ~ 1.5 mg/L;检出限分别为5.0、0.20、0.45、0.54、0.45、1.0、10、1.0、1.5μg/L.9种成分的加样回收率为99.3% ~105%,相对标准偏差均不大于2.6%.该法快捷、准确、重复性好,已成功用于实际样品的分析.

关键词: 超高效液相色谱-串联质谱(UPLC-MS/MS) , 有效成分 , 加味金丸 , 中成药

热聚合制备氧氟沙星分子印迹聚合物的分子识别特性

邴乃慈 , 许振良 , 杨座国 , 王学军 , 冯建立

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2006.10.004

以左氧氟沙星(LVFX)为模板分子,岐-甲基丙烯酸(MAA)为功能单体,制备了能选择性识别LVFX的分子印迹聚合物(MIPs). 紫外光谱和红外光谱分析结果表明,该MIPs通过氢键和离子键对LVFX进行识别;Scatchard分析显示,MAA与LVFX在自组装过程中形成了2类结合位点,最大表观结合容量Qmax分别为9.76和25.75 靘ol/g,在10 min中内基本完成了对LVFX的选择性吸附;MIPs热力学研究表明,吸附过程是自发进行的,△△H=-1.18 kJ/mol和△△S=-0.27 J/(mol·K).

关键词: 氧氟沙星 , 分子印迹聚合物 , Scatchard分析 , 热力学

LD端泵固体激光器谐振腔的选择

武丁二 , 颜彩繁 , 张光寅

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.01.007

运用传播圆-变换圆的理论对LD端泵固体激光器常用的三种谐振腔(平平谐振腔、凹右平谐振腔、平右凹谐振腔)和凸右平谐振腔的腔型结构及相关结构参数对激光器输出功率与模式特性的影响做出了系统的分析.得出腔长较短的谐振腔激光输出功率较大而且可有稳定的TM00输出,以及凹右平谐振腔和凸右平谐振腔具有光学镇定器的作用.用平平谐振腔固体激光器所做的实验结果与用传播圆-变换圆的分析结论相符.对今后如何获取激光器优化输出特性有一定的意义.

关键词: 激光技术 , 谐振腔 , 传播圆-变换圆 , 光学镇定器

硅中90度部分位错双周期结构的运动特性

王超营 , 王振清 , 孟庆元

人工晶体学报

利用基于紧束缚势(TB)的分子模拟方法研究了硅中90度部分位错双周期(DP)结构的运动特性.详尽描述了该结构的弯结和右弯结在一个周期内的运动过程.利用共轭梯度(conjugate gradients:CG)法计算得到了DP结构中、右弯结的形成能.另外,在弯结运动过程的基础上,利用NEB(nudged elastic band)方法计算出了、右弯结在一个运动周期内的迁移势垒,并且发现Si中90度部分位错的运动主要受弯结迁移势垒的控制.最后,根据位错运动的活化能理论分别得到了决定90度部分位错运动的长位错段和短位错段的活化能.

关键词: , 90度部分位错 , 运动特性 , 分子模拟

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