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磁过滤阴极弧法制备CrCN薄膜结构与组分研究

王浩琦 , 覃礼钊 , 官家建 , 李彬 , 林华 , 李元 , 梁宏 ,

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.01.002

目的 通过磁过滤阴极弧沉积技术制备质量优异的CrCN涂层.研究乙炔/氮气混合气体流量以及基底偏压对薄膜结构和成分的影响.方法 采用磁过滤真空阴极弧沉积技术,在20~100 mL/min变化的乙炔/氮气混合气体流量参数下沉积CrCN复合薄膜.通过X射线衍射、场发射电子显微镜、扫描探针显微镜、X射线光电子能谱仪、透射电镜,对薄膜的物相结构和形貌进行分析.结果 随着气体流量的增加,CrCN复合薄膜的晶粒逐渐减小最终向非晶化转变.TEM结果表明,在CrCN复合薄膜中有大量几纳米到十几纳米的纳米晶浸没在非晶成分中.SPM表明,随着基底偏压由–200 V增大到–150 V,CrCN薄膜的表面粗糙度Sa由0.345 nm上升至4.38 nm.XPS、TEM和XRD数据表明,薄膜中Cr元素主要以单质Cr、CrN以及Cr3C2的形式存在.结论 采用磁过滤真空阴极弧沉积技术制备的CrCN复合薄膜具有纳米晶-非晶镶嵌结构.该方法沉积的CrCN薄膜的表面粗糙度与基底负偏压有关.混合气体的流量变化对薄膜组分的变化几乎无影响.

关键词: CrCN , 结构分析 , 磁过滤真空阴极弧沉积 , X射线光电子能谱

基于原子发射光谱的TiC等离子体沉积诊断

周晗 , 周福增 , 伏开虎 , 黄杰 , 陈琳 , , 张旭

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.32.S1.79

对通过磁过滤阴极真空弧(FCVA)获得的高密度、高离化率的等离子体进行诊断。为研究C2H2气流量对磁过滤阴极弧产生的等离子体的影响,采用原子发射光谱(OES)法对FCVA沉积过程中产生的TiC等离子体进行诊断。利用Saha-Boltzmann方法对不同气流量下等离子体的参数进行计算,并对等离子体产生过程中的谱线强度随气流量变化的机制进行研究。结果表明,等离子体电离度较高,约为0.8左右且随气流量的变化不大;电子温度和电子密度分别在1×104~2×104 K和1023~1024 m?3范围内变化,且随着气流量的增加呈现出先增大后减小的变化趋势;Ti粒子谱线相对强度随气流量的变化不大,表明Ti粒子大部分在阴极弧斑附近被离化。

关键词: 原子发射光谱 , 磁过滤阴极弧 , 气体流速Saha-Boltzmann方法 , 等离子体诊断

天然沸石负载金属单质W改性TiO2膜的制备及光催化性能研究

罗军 , , 陈一鸣 , 徐新邦 , 刘培生

金属功能材料

以天然沸石作载体,在溶胶一凝胶法制备TiO2时直接掺入金属单质w进行改性,并在真空条件下锻烧制备沸石负载w/TiO2薄膜.在紫外光照射下降解甲基橙溶液,改性后的TiO2一阶反应速率常数k比未改性TiO2高,其光催化活性得到改善.

关键词: 天然沸石 , 改性TiO2 , 光催化

磁过滤阴极弧制备四面体非晶碳膜热稳定性研究

覃礼钊 , 张旭 , 吴正龙 , 刘安东 ,

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00789

为研究磁过滤阴极弧制备的四面体非晶碳(tetrahedral amorphous carbon, ta-C)膜在自然环境中使用的热稳定性, 将ta-C膜在空气中退火3h, 退火温度分别为200、400和500℃. 用XPS和Raman谱对膜的微观结构进行表征. 结果表明, 在400及400℃以下退火, XPS谱C1s峰和Raman谱都没有明显变化. 当退火温度为500℃时, C1s峰峰形仍然没有变化; Raman峰ID/I G增大, G峰峰位未变, 峰的对称性变好. 分析显示膜中石墨颗粒长大, 但没有发生石墨化. 说明磁过滤阴极弧制备的ta-C膜因不含氢和结构致密而表现出良好的热稳定性. 另外, 在退火温度为500℃时, 样品边缘已经氧化挥发.

关键词: 热稳定性 , filtered cathodic vacuum arc deposition , ta-C film , microstructure

电催化氧化法去除黄金冶炼废水中氰化物和氨氮试验研究

方荣茂 , 小山 , , 林烽先 , 刘亚建

黄金 doi:10.11792/hj20130416

对黄金冶炼废水进行了电催化氧化处理研究,考察了氯离子质量浓度、极板间距、电流密度等因素对氰化物和氨氮去除效果的影响.最佳工艺参数为:废水初始pH值9.28、氯离子初始质量浓度25 g/L、极板间距20 mm、电流密度16.3 mA/cm2、废水循环流速64 mL/min.在最佳工艺条件下,电解150 min,氰化物质量浓度从28.84 mg/L降至0.20 mg/L,氨氮质量浓度从700 mg/L降至7 mg/L,去除率分别为99.3%、99.0%,处理后废水中的总氰、氨氮均可达到《GB 8978-1996污水综合排放标准》一级标准.

关键词: 电催化氧化法 , 冶炼废水 , 氰化物 , 氨氮

基于空间约束高斯混合模型的EPLL自然图像复原

, 刘鸳鸳

连铸 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.04.002

为了提高基于块先验的自然图像复原效果,有效去除图像中的噪声和模糊,提出了一种基于空间约束高斯混合模型的块似然对数期望(Expected patch log likelihood,EPLL)复原框架.基于图像块的空间分布信息,将图像块的空间约束高斯混合统计特性作为先验,在图像块复原的基础上实现整幅图像的全局优化复原.对比相关的图像复原方法,提出的方法去噪和去模糊效果更好,并且保留图像细节.利用客观性能指标对复原结果进行评价.实验结果表明,提出的方法有效易行,而且复原图像表现出良好的可视效果.

关键词: 图像处理 , 图像复原 , 空间约束高斯混合模型 , 先验 , 块似然对数期望

基于多尺度灰度变换的图像增强研究

, 刘鸳鸳

连铸 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.05.006

为了提高图像增强效果,有效地保持原始图像细节,提出了一种基于多尺度灰度变换的图像增强方法.利用梯度域递归双边滤波对原始图像进行多尺度分解.基于小波变换,将分解层的子带分别作灰度变换.根据变换后的各个子带重构得到分解层的增强结果,并在其基础上实现图像的整体增强.对比直方图均衡化、灰度变换,提出的方法增强效果更好,并且保图像细节.利用客观性能指标对增强结果进行评价.实验结果表明,提出的方法有效,并具有结构简单、计算复杂度低的特点.

关键词: 图像处理 , 图像增强 , 多尺度灰度变换 , 梯度域 , 递归双边滤波

磁过滤阴极弧制备四面体非晶碳膜热稳定性研究

覃礼钊 , 张旭 , 吴正龙 , 刘安东 ,

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.04.031

为研究磁过滤阴极弧制备的四面体非晶碳(tetrahedral amorphous carbon,ta-C)膜在自然环境中使用的热稳定性,将ta-C膜在空气中退火3h,退火温度分别为200、400和500°C.用XPS和Raman谱对膜的微观结构进行表征.结果表明,在400及400°C以下退火,XPS谱C1s峰和Raman谱都没有明显变化.当退火温度为500°C时,C1s峰峰形仍然没有变化;Raman 峰 ID/IG增大,G峰峰位末变,峰的对称性变好.分析显示膜中石墨颗粒长大,但没有发生石墨化.说明磁过滤阴极弧制备的ta-C膜因不含氢和结构致密而表现出良好的热稳定性.另外,在退火温度为500°C时,样品边缘已经氧化挥发.

关键词: 热稳定性 , 磁过滤阴极弧沉积 , ta-C膜 , 微观结构

TiO2纳米管负载纳米金的制备及其在紫外光下的光电性能

罗军 , , 陈一鸣 , 刘安东 , 刘培生

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.09777

利用直流磁控溅射法制备纳米金颗粒表面改性TiO2纳米管,并通过XRD,FESEM对其结构进行表征.在紫外光下测试其光电效应,结果发现在定电位和动电位下,纳米金改性后的TiO2纳米管产生的光电流都要比未改性的TiO2纳米管大.在定电位下(1.0V),Au/TiO2纳米管产生的光电流为0.4mA,是TiO2纳米管的1.8倍.在动电位下(-1.5~1.5V),当电位达1.5V时,Au/TiO2纳米管产生的光电流为0.75mA,是TiO2纳米管的3.75倍.

关键词: TiO2纳米管 , 直流磁控溅射 , 光电流

MEVVA离子注入铁镍银对DSSCs光电性能的影响

罗军 , 沈晓楠 , 庞盼 , , 吴先映 , 张旭

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.06.001

利用MEWA技术分别将金属Fe、Ni、Ag离子注入进DSSCs结构中作为电荷传输层的TiO2膜,表征了各金属离子注入后TiO2膜表面形貌及晶相结构,研究了DSSCs注入前后光电性能及电池内部界面的电荷传输变化.能带理论分析显示,金属离子注入后,TiO2能带结构发生变化,并在其禁带中引入了杂质能级,不仅优化了TiO2导带与染料LUMO能级匹配度,而且杂质能级为电荷的传输提供了额外传输“通道”,从而降低了电荷传输过程中的复合率.DSSCs光电性能测试结果显示,与未注入的DSSCs相比,Fe、Ni、Ag离子注入DSSCs的光电转化率分别提高了13.6%、12.7%、34.2%.

关键词: 离子注入 , 染料敏化太阳能电池 , 电荷传输 , 光电性能 , 阻抗

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