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改善4-Mask工艺Al腐蚀的方法

光明 , 刘杰 , 徐守宇 , 郑云友 , 吴成龙 , 曲泓铭 , 李伟 , 宋泳珍 , 李正動

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132802.0224

为了减少制造工艺的流程,改进的4-Mask工艺被广泛应用.但这个工艺仍存在一些问题,如果有源层刻蚀和第二次源漏数据线刻蚀之间间隔时间较长(≥5.9h),则有源层刻蚀所用气体Cl2形成的活化分子会对沟道内Al造成腐蚀.除了缩短上述间隔时间的方法外,本文应用有源层刻蚀后处理加入SF6/O2的方法,很好地阻止了对Al的腐蚀,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义.

关键词: 有源层 , 腐蚀

TFT-LCD网点Mura的研究和改善

定涛 , 李文彬 , 姚立红 , 郑云友 , 李伟 , 宋泳珍 , 袁明 , 光明

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132806.0860

为解决116.8 cm(46 in)广视角边缘场切换技术4mask面板生产中的阵列工艺中,发生的一种网点色斑缺陷,应用扫描电子显微镜、聚焦离子束、能谱仪、宏观微观观测仪和线宽测量仪等检测设备进行Mura及其结晶物成份分析,比较了TFT膜厚;进行了GI和PVX膜玻璃正反面1%HF酸腐蚀试验、下部电极温度升高10℃试验、工艺ash、n+刻蚀的后处理步骤和有源层BT试验.研究了沟道n+掺杂a-Si层的厚度对于Mura的影响.确定了Mura的发生源和影响因素,结果发现Mura形成机理,一为基板背部划伤,二为接触和不接触电极区域的温差异,三是刻蚀反应的生成物在有源层工艺黏附在基板背部,之后经过多层膜沉积、湿刻和干刻、剥离工艺后促使缺陷进一步放大.最后采用平板粗糙面下部电极、控制剩余a-Si厚度和升高温度的方法,消除了网点Mura,并使得整体Mura发生率降为0.08%.

关键词: 色斑 , 薄膜晶体管 , 非晶硅 , 缺陷分析

第二代无毒活性磷酸盐防腐颜料的研究进展

袁爱群 , 房伟 , 白丽娟 , 马少妹 , 杨家数 , 光明

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2008.08.020

第二代活性磷酸盐颜料是当前取代红丹和锌铬黄等传统有毒颜料有效品种之一,以其突出的性能在涂料工业的应用中日益受到重视并取得了长足进展.根据国外的发展状况,简要综述了第二代磷酸盐的种类、制备、性能及其应用研究,重点介绍了以磷酸铝锌和磷酸钼锌为代表的第二代磷酸盐颜料的耐腐蚀特征以及与第一代颜料的比较结果,结合我国的资源对今后磷酸盐防腐颜料的发展方向提出了建议.

关键词: 磷酸盐防锈颜料 , 磷酸铝锌 , 磷酸钼锌 , 腐蚀抑制剂

石墨对钒钛铁精矿原位制备铁基摩擦材料的影响

岳慧芳 , 冯可芹 , 李莹 , 光明

材料热处理学报

在真空条件下以钒钛铁精矿为原料原位碳热还原烧结制备铁基摩擦材料,研究石墨含量对铁基摩擦材料显微组织、硬度、摩擦性能以及磨损形貌的影响.结果表明,利用钒钛铁精矿可制备出性能优良的铁基摩擦材料;少量石墨促进烧结过程,石墨含量为5%时,材料组织最致密,且孔隙趋于球形,过量石墨阻碍烧结颈的形成,割裂基体;当石墨含量从3%增加到7%时,材料硬度降低约36%,摩擦系数降低约25%,材料的磨损机制由粘着磨损和轻微的磨粒磨损转变为石墨自润滑磨粒磨损,最后转变为犁削磨损;适当的石墨含量和孔隙度能有效降低磨损率,石墨含量为6%时耐磨性最好,其磨损率为2.00×10-7 cm3/J.

关键词: 铁基摩擦材料 , 钒钛铁精矿 , 原位还原 , 石墨

AZ91D 镁合金超疏水膜层的制备及其表征

光明 , 郭洪暄 , 魏征 , 庆洋 , 赵鑫 , 王成毓

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.增刊(Ⅰ).026

采用简单易行的化学刻蚀方法,通过硝酸刻蚀、化学镀银和硬脂酸自组装改性处理,在 AZ91D 镁合金表面上成功制备出了超疏水膜层,进一步解释了该制备工艺的化学反应机理。利用扫描电子显微镜和视频光学接触角测量仪对 AZ91D 镁合金表面超疏水膜层的微观形貌和润湿性能进行了表征,利用能谱仪和光谱仪测定了膜层的表面化学组成。结果显示,釆用上述方法处理后的 AZ91D 镁合金表面呈现出良好的疏水性,水滴在试样表面的表观接触角为153°,滚动角为4°。

关键词: AZ91D 镁合金 , 超疏水 , 硝酸刻蚀 , 化学镀银

TiC颗粒增强Fe-Cu基复合材料制备方法

魏仕烽 , 冯可芹 , 陈洪生 , , 光明 , 邓伟林

材料热处理学报

采用Gleeble-3500D热模拟机在电场下原位合成Fe-Cu-TiC复合材料,同时在真空炉中分别采用原位合成法及外加TiC颗粒法制备Fe-Cu-TiC复合材料,并对3种方法制取的Fe-Cu-TiC复合材料的显微组织结构及性能进行了对比研究。结果表明:相比真空炉原位合成法,电场作用下Fe-Cu-Ti-C体系能够在较低的温度(754℃)下实现合成反应且反应更加完全;电场下合成试样的相对致密度及显微硬度均高于真空炉下原位合成的试样。在真空炉内原位合成试样时,由于Ti与C反应不完全,生成的TiC颗粒增强相较少,导致其显微硬度低于外加颗粒法制取的试样;当最高加热温度为1000℃时,在真空炉中采用原位合成法及外加颗粒法制得试样的相对致密度没有明显差异。

关键词: Fe-Cu-TiC , 电场 , 原位 , 外加颗粒

电场原位合成Fe-Cu-TiC复合材料的过程研究

, 冯可芹 , 孟军虎 , 光明 , 王海波

稀有金属材料与工程

以配料比为15%(Ti+C)-65%Fe-20%Cu(质量分数)(Ti∶C化学计量比为1∶1)的Fe-Cu-Ti-C体系为研究对象,研究该体系在不同温度下的燃烧合成过程.Fe-Cu-TiC复合材料在759℃的点火温度下完成电场辅助燃烧合成,该电场辅助由Gleeble-3500D热模拟机提供.Fe-Cu-Ti-C体系燃烧合成的四步模型被提出,描述了Fe-Cu-TiC复合材料的在电场作用下的燃烧合成过程.它包括(Ⅰ)预热阶段、(Ⅱ)固相扩散阶段、(Ⅲ)燃烧合成阶段、(Ⅳ)后续阶段.从阶段Ⅰ到阶段Ⅱ,反应物原子的固相扩散随着温度的增加而增加.从阶段Ⅱ到阶段Ⅲ,C原子扩散到Ti原子,直至紧密的与其接触.在Ⅲ的初始阶段,Ti开始和C在界面处发生反应:Ti(s)+ C(s) =TiC(s),并且Ti粒子周围形成一层很薄的固相产物TiC层.在Ⅲ的后续阶段,C原子穿过固相产物TiC层,扩散到Ti粒子中,继续发生化学反应,直到TiC粒子析出.在第Ⅳ阶段,TiC颗粒逐渐的形核和长大,在SEM中可以看出TiC是球形颗粒.

关键词: 燃烧合成 , Fe-Cu-TiC , 电场 , 固相扩散

超声预处理对剩余污泥微生物燃料电池性能的影响?

蒋杭城 , 许蕾 , 谢静 , 刘昱含 , 肖遣 , 光明

环境化学 doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.05.2014091201

为了实现剩余污泥资源化,本实验采用了超声波破壁的预处理方式,构建了以剩余污泥破壁处理混合液为阳极液和以KMnO4溶液为阴极液的序批式双室微生物燃料电池( Microbial Fuel Cells,MFC).将MFC的输出功率密度和COD去除速率作为电池性能的考察指标,研究了超声预处理和投加污泥量对MFC性能的影响.结果表明,随着对投加污泥预处理比(超声预处理污泥量占投加污泥量的比例)和投加污泥浓度的上升, MFC的输出功率密度和 COD 去除速率也随之上升,在100%污泥预处理比下输出功率密度峰值为296 mW·m-2( Rext=1000Ω);平均COD去除速率为90 mg·L-1·d-1.在投加污泥浓度为8000 mg·L-1时,输出功率密度峰值为476 mW·m-2( Rext=1000Ω);平均COD去除速率为100 mg·L-1·d-1.由实验结果分析,采用超声波破壁预处理高浓度的剩余污泥作为燃料搭建MFC,可提高微生物燃料电池的产电性能和COD去除速率.

关键词: 超声预处理 , 剩余污泥 , 微生物燃料电池 , 功率密度 , 有机物去除速率

钒钛铁精矿碳热还原制备铁基摩擦材料的热力学分析

邓伟林 , 冯可芹 , 光明 , 李莹 , 张雨

材料研究学报

利用钒钛铁精矿中的铁和钛元素,以钒钛铁精矿、石墨为主要原料,按铁基摩擦材料的成分添加其他组份,采用原位合成技术,实现合成与烧结一体化,制备铁基摩擦材料.对钒钛铁精矿还原过程中的热力学进行计算和分析,利用TGDSC检测方法对还原过程中的质量变化进行分析.结果表明:当温度高于979K时,钒钛铁精矿中Fe氧化物和Ti氧化物相继发生还原反应,其还原过程为:首先Fe3O4被还原,其次是钛磁铁矿和钛铁矿发生反应生成Fe和Ti的氧化物,最后是Ti的各阶氧化物反应生成TiC.本实验根据分析结果,制定了合理的工艺路线,获得了组织致密,结合优良的铁基摩擦材料.

关键词: 钒钛铁精矿 , 铁基摩擦材料 , 原位合成 , 热力学

各膜层对光刻胶灰化的影响

白金超 , 光明 , 郭总杰 , 郑云友 , 袁剑峰 , 邵喜斌

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153004.0616

研究各膜层对灰化速率的影响,增强对灰化工艺的了解,为四次光刻工艺改善提供参考.采用探针台阶仪测量在相同灰化条件下不同膜层样品的灰化速率和有源层损失量,对结果进行机理分析和讨论.实验结果表明:有源层会降低灰化速率,源/漏金属层可以增大灰化速率,栅极金属层对灰化速率无影响.对于正常膜层结构的阵列基板,源/漏层图形密度越大,灰化速率越小,图形密度每增大1%,灰化速率下降14 nm/min.有源层和源/漏金属层对灰化等离子体产生影响,从而影响灰化速率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 四次光刻 , 光刻胶 , 灰化

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