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镀铂栅极抑制电子发射性能研究

蒋军 , 江炳尧 , 任琮欣 , , 冯涛 , 王曦 , 柳襄怀 , 邹世昌

稀有金属材料与工程

利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能.采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征.实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理.

关键词: 电子发射 , 离子束辅助沉积 , 钼栅极 , 铂膜

掺Er-Al2O3薄膜发光特性的研究

肖海波 , , 昌盛 , 程新利 , 王永进 , 陈志君 , 林志浪 , , 邹世昌

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.006

通过离子束辅助沉积(IBAD)在热氧化SiO2上沉积Al2O3薄膜,在120keV下注入5×10115cm-2Er离子,Ar气氛下773~1273K退火1h.低温下测试PL谱线,随退火温度升高,发光强度上升.973K退火下发光强度特别低,并观察到Si衬底的1140nm峰.光透射谱表明几乎在所有的测试范围内尤其在1530nm处973K退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低.1530nm发光强度随退火温度的变化跟发光强度的变化相反.说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al2O3的光吸收损耗有一定关系.

关键词: 掺Er-Al2O3薄膜 , PL谱 , 光透射谱

类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制

冯涛 , 茅东升 , 李炜 , 柳襄怀 , 王曦 , , 李琼 , 徐静芳 , 诸玉坤

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.018

采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能.通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能.测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2.利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管.

关键词: 类金刚石薄膜 , 图形化 , 场发射显示器

离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜

李炜 , 茅东升 , , 王曦 , 柳襄怀 , 邹世昌 , 诸玉坤 , 李琼 , 徐静芳

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.01.006

用离子束溅射法制备了用于场发射显示器(FED)的ZnO:Zn荧光薄膜.采用RBS、XRD、AFM、Hall和PL谱等手段表征了热处理前后的薄膜.RBS结果表明薄膜中存在一定数量的过量Zn.沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相,其表面形貌表现出多种结构.Hall检测发现,升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度,说明过量Zn含量的下降;当热处理温度超过400℃时,Hall迁移率迅速上升,表明薄膜结晶性能的改善.在ZnO:Zn薄膜的PL谱中检测到紫外/紫光、蓝/绿光两组荧光峰,一价氧空位(Vo)充当了蓝/绿光的发光中心.薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大,可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复、成分均匀化和过量Zn的蒸发,但这些效应在不同温度范围的作用程度各不相同.

关键词: ZnO:Zn , 荧光薄膜 , 热处理 , 光致发光

离子束增强沉积Si_3N_4/Si多层红外干涉滤波薄膜

江炳尧 , , 孙义林 , 陈酉善 , 柳襄怀

材料研究学报

利用离子束增强沉积工艺,在硅基片上制备Si3N4/Si多层红外干涉滤波薄膜结果表明,N2+N的辅助轰击对于合成接近化学配比的Si3N4薄膜起了关键作用薄膜的折射率可达1.74~1.84实验测得的多层滤波薄膜的红外反射谱与理论值相当接近

关键词: 红外干涉滤波膜 , Ion Beam Laboratory

电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性

宋朝瑞 , 俞跃辉 , 邹世昌 , , 王曦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.010

采用ta-C薄膜用于SOI结构中的绝缘层,在高温高功率器件中有很大的应用潜力.应用真空磁过滤弧源沉积(FAD)的方法制备了ta-C薄膜.通过AFM、non-RBS、IR、I-V、C-V等方法对薄膜的表面形貌、微观结构和电学性能进行了研究.研究表明,ta-C薄膜的sp3键含量高达87%,且具有很高的表面光洁度(粗糙度低于0.5nm)及较好的电绝缘性能,击穿场强达到4.7MV/cm.

关键词: ta- C薄膜 , 真空磁过滤弧源沉积 , SOI , 电绝缘性能

内蒙古常龙剪切带型金矿床形成的构造控制

谢徽 , 高帮飞 , 陈志广 , 黄荣伟

黄金 doi:10.11792/hj20150103

内蒙古常龙金矿床位于华北地台北缘中段区域EW向韧性断裂的次级NWW剪切带系统内。金成矿发生在燕山晚期,处于区域构造体制挤压-伸展-挤压的转换期以及2期近南北向大规模构造推覆作用的间歇期,性构造环境为剪切带流体汇聚与成矿作用创造了条件。剪切带构造控矿主要表现为主断裂构造透镜体控矿、主断裂局部性部位控矿和次级性断裂-裂隙控矿3种基本型式,构造-流体共同作用分别形成了蚀变岩型、角砾岩型和石英脉型矿化(体),形成了常龙剪切带型金矿床构造-蚀变网络基本格局。可以考虑利用构造-蚀变网络结构上的自相似性,指导矿山深边部找矿勘查以及剪切带系统内新矿体的预测。

关键词: 剪切带型金矿床 , 构造体制转换 , 构造-蚀变网络 , 自相似性 , 龙金矿床

用NAA研究清凉寺窑和公巷窑青瓷胎的原料特征及来源

吴占军 , 赵维娟 , 鲁晓珂 , 孙新民 , 李国霞 , 郭敏 , 谢建忠 , 邱霞 , 冯松林 , 郭木森

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2007.04.008

为研究清凉寺窑汝瓷胎和公巷窑青瓷胎的原料特征及来源,选取37个清凉寺窑汝瓷胎样品(32个汝官瓷胎和5个汝瓷胎)、32个公巷窑青瓷胎样品以及14个岩石样品,用中子活化分析(NAA)方法测得每个样品中的23种元素含量;使用散布分析及主成分分析方法处理NAA数据.结果表明:元素Fe,Ce,Ba,Ta,Th,La,Sm和Cr可作为区分汝官瓷胎和公巷窑青瓷胎原料产地的指纹元素;汝官瓷胎原料产地较集中,来源相对稳定;清凉寺窑汝瓷胎料产地与汝官瓷基本相同,均为就地取材;公巷窑青瓷胎原料产地较为分散,与汝官瓷不同,但二者距离相近.

关键词: 清凉寺窑 , 公巷窑 , 中子活化分析 , 主成分分析 , 散布分析

印度"藏金于"给中国带来的启示

沈小炜

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2008.04.002

中国和印度同为亚洲国家,在社会、经济等诸多方面具有相似性.印度是世界上最大的黄金消费国,将它作为研究对象,分析其国内居民储藏黄金的来源与动力,对如何提高中国的黄金需求,从而实现"藏金于",具有现实意义.经过比较研究,笔者认为增加国内的投资需求是提高中国民间储藏黄金比例的有效途径之一.

关键词: 储藏黄金 , 来源与动力 , 黄金需求结构 , 消费需求 , 投资需求

反相高效液相色谱法测定阿德韦酯及其降解产物

蒋晔 , 徐智儒 , 晓青

色谱 doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2004.03.015

建立了一快速、简单地测定阿德韦酯及其降解产物阿德韦单特戊酸甲基酯、阿德韦的反相高效液相色谱方法.以Inertsil CN-3化学键合硅胶为固定相,以乙腈-25 mmol/L磷酸盐缓冲液(pH 4.0)(体积比为33∶67)为流动相,流速1.0 mL/min,检测波长260 nm.阿德韦酯、阿德韦的质量浓度分别为1.861~181.7 mg/L和2.018~197.2 mg/L时与峰面积呈良好的线性关系(r分别为0.9999和0.9998);阿德韦酯及阿德韦平均加样回收率分别为99.5% ~101.0%和99.1% ~99.6% ,相对标准偏差(RSD)均低于1.0% ,阿德韦的最小检测量(以信噪比为3计)为1 ng.该方法能同时测定阿德韦酯及其降解产物,可用于阿德韦酯降解产物的检测.

关键词: 高效液相色谱法 , 阿德韦酯 , 降解产物

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