韦志仁
,
武明晓
,
郭树青
,
高平
,
尹利君
,
黄存新
,
张金平
,
张晓军
,
董国义
人工晶体学报
采用化学气相输运法在常压开放系统中,以ZnO粉体为原料,HCl和NH3为输运气体,O2和H2O为反应气体,适度过量的HCl作为刻蚀性气体,在(0001)方向的蓝宝石籽晶片上制备了(0002)方向定向生长的ZnO晶体,且a、b轴生长速度明显高于c轴方向.以(0002)方向的ZnO籽晶片作基片,制备了ZnO单晶厚膜,晶体呈螺旋状外延生长,正极面的单晶摇摆曲线半高宽为543.6弧秒.
关键词:
ZnO晶体
,
化学气相输运
,
摇摆曲线
郭庆林
,
魏丽静
,
苏红新
,
郭建新
,
张金平
,
怀素芳
,
傅广生
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.032
本文以He-Ne 632.8nm激光为写入光,在非同时读出条件下,实验研究了e偏振光写入Cr:KNSBN晶体两波耦合过程中信号光和泵浦光的透射光强随时间的变化,以及单束泵浦光的透射光强随时间的变化,实验结果表明,泵浦光损失的能量几乎全部转移到了信号光方向,基本不存在散射光;并以二值化图像作为物在晶体内进行了图像存储实验,其再现图像清晰,信噪比高,没有观察到扇形光的影响.
关键词:
Cr:KNSBN晶体
,
两波耦合
,
光扇效应
,
图像存储
高景霞
,
王二萍
,
李慧
,
张金平
,
晏伯武
,
张洋洋
硅酸盐通报
微波介质陶瓷是现代通信技术快速发展的关键材料.按照应用领域的不同,介绍了几种典型的微波介质陶瓷,详细探讨了各种体系下微波介质陶瓷烧结性能的特点,并指明了今后微波介质陶瓷的发展方向.
关键词:
微波介质陶瓷
,
体系
,
介电性能
关飞飞
,
马超
,
张金平
,
唐会明
,
徐功涛
硅酸盐通报
硅溶胶放置过程中由于粒子会发生聚集而导致重力作用大于布朗运动发生沉降.本文以DLVO理论为基础解释了抛光用硅溶胶在放置过程中发生沉降的原因,通过测定硅溶胶的Zeta电位、比重、粘度、pH值考察了粒径、浓度、外加分散剂对硅溶胶稳定性的影响,并提出了防止硅溶胶放置过程中发生沉降的措施.
关键词:
硅溶胶
,
粒径
,
浓度
,
分散剂
,
沉降
张金平
,
刘峰
,
郭庆林
,
钦明亮
,
梁宝来
,
李盼来
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.022
本文在非同时读出条件下,采用实时数据采集系统,实验研究了e偏振光写入Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程,发现不同的写入光强比和写入总光强对晶体中两波耦合过程产生明显的影响;当He-Ne 632.8nm激光通过Ce∶KNSBN晶体时,光扇效应存在明显的写入光强阈值特性,其阈值约为20mW/cm2.依据实验结果对考虑光扇影响的耦合波方程进行了修正,其数值计算与实验结果基本符合.
关键词:
Ce∶KNSBN晶体
,
光折变
,
两波耦合
,
动态特性
,
阈值
郭金伟
,
张海忠
,
李育
,
张金平
材料与冶金学报
doi:10.3969/j.issn.1671-6620.2010.z1.007
提出一种工程用铝电解母线直挂无源滤波设计方法.方法中,首先对电网,整流装置进行等效变换,得到电解铝供电系统的等效模型;其次,考虑电容器容量,安全校核及厂家要求,以安装容量最小为目标函数,通过Matlab仿真软件进行寻优计算,得到满足IEEE std 519-1992谐波标准及无功补偿要求的铝电解无源滤波方案参数.通过算例计算结果,证明本方法滤波效果良好.
关键词:
蒋洪川
,
张金平
,
张万里
,
张文旭
,
彭斌
,
杨仕清
无机材料学报
采用光刻和电镀技术在5mm×5mm×0.2mm的硅片上设计并制备了2000个大小为50μm×50μm的CoNiMnP垂直各向异性永磁薄膜阵列,并对该薄膜陈列的组成、磁性能等进行了分析与测试.结果表明:薄膜阵列的组成为:Co90.32wt％、Ni7.83wt％、Mn0.74wt％、P1.11wt％,阵列垂直方向磁性能为:Hc=59.7kA/m,Br=0.53T,(BH)max=11.3kJ/m3;阵列水平方向磁性能为:Hc=27.8kA/m,Br=53715T,(BH)max=1.585kJ/m3.
关键词:
CoNiMnP永磁薄膜阵列
,
electroplating
,
vertical anisotropy
张勤勇
,
蒋洪川
,
张万里
,
张金平
,
杨仕清
功能材料
基于轻稀土元素-Nd与过渡金属元素-Co之间的铁磁耦合作用提高电镀CoNiMnP永磁薄膜阵列的磁性能,在电镀时引入稀土Nd元素进入CoNiMnP永磁薄膜阵列中,通过改变镀液中NdCl3的浓度而改变CoNdNiMnP薄膜中的Nd含量.对镀液中NdCl3浓度与薄膜磁性能的关系进行了分析与测试,结果表明:室温下,在电流密度为5mA/cm2时,具有垂直各向异性的CoNdNiMnP永磁薄膜阵列被成功地电镀得到.随着NdCl3浓度的增加,薄膜的磁性能提高,当NdCl3浓度增加到0.25×103g/cm3时,薄膜的磁性能达到最大值,继续增加镀液中NdCl3浓度,薄膜阵列的磁性能不再增加.
关键词:
CoNdNiMnP永磁薄膜阵列
,
电镀
,
垂直各向异性
,
铁磁耦合
张万里
,
蒋洪川
,
张金平
,
彭斌
,
张文旭
,
杨仕清
功能材料
采用直流磁控溅射在20mm×5mm×240μm抛光单晶硅片上制备了TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜,主要研究了热处理温度对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数的影响.采用量热分析法(DSC)、XPS以及光杠杆测试法对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜的晶化曲线、成分随深度的变化以及磁致伸缩系数进行了分析与测试.结果表明:TbFe2薄膜的起始晶化温度为327℃,晶化温度为372℃;TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜的最佳热处理温度为327℃,在此热处理温度下热处理60min,外加磁场1.6×104A/m时,TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数可达1.56×10-4.采用XPS分析了一个周期的TbFe2/Fe成分随薄膜深度的变化,未经热处理的薄膜Fe层和TbFe2层之间界面清晰,两层之间有少量的扩散.经327℃热处理60min的薄膜Fe层和TbFe2层界面发生了互扩散,原子数之比也发生了改变.
关键词:
直流磁控溅射
,
TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜
,
交换耦合
,
磁致伸缩系数
张金平
,
蒋洪川
,
张万里
,
彭斌
,
张文旭
,
杨仕清
功能材料
采用直流磁控溅射法制备了非晶态TbFe磁致伸缩薄膜,通过基片的倾斜安装研究了基片倾斜角度对TbFe薄膜磁致伸缩性能的影响.结果表明:随着基片倾斜角度的增大TbFe薄膜的磁致伸缩系数增大,在外加磁场110kA·m-1下基片倾斜角度为60°时薄膜磁致伸缩系数达到最大值1.02×10-4,并且随着基片倾斜角度的增大TbFe薄膜的易磁化方向由垂直膜面方向逐渐转向平行膜面方向.这是由于倾斜基片溅射形成的倾斜的薄膜柱状微结构产生的形状各向异性引起的.
关键词:
直流磁控溅射
,
TbFe磁致伸缩薄膜
,
柱状微结构
,
形状各向异性
