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β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质

张俊刚 , 夏长泰 , 吴锋 , 裴广庆 , , 邓群 , , 史宏

功能材料

用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析.解释了禁带部分展宽的原因.并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响.β-Ga2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射.

关键词: 浮区法 , 宽禁带半导体 , β-Ga2O3单晶

掺杂LN晶体光折变效应及图象光存储特性

许心光 , 许贵宝 , 王正平 , 胡大伟 , 邵宗书 , , 玉恒

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.005

利用514.5nm和632.8nm波长的激光,研究了单掺杂Fe和双掺杂Ce∶Fe离子铌酸锂晶体的光折变二波耦合及光折变全息存储特性.实验结果表明生长态双掺杂Ce∶Fe与单掺杂Fe的LiNbO3晶体的光折变波耦合增益差异不明显,但双掺杂Ce∶Fe的LiNbO3晶体的图象存储和擦除特性明显得到改善.氧化态样品具有较大的透过率光谱范围和较好的图象存储质量;还原态样品具有较大的光折变二波耦合增益特性.

关键词: 铌酸锂晶体 , 光折变效应 , 图象存储 , 透过率光谱

In:Er:LiNbO3晶体生长及光损伤性能研究

许士文 , , 李宣东 , 玉恒

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.005

在LiNbO3晶体中掺入In2O3和Er2O3,利用提拉法生长了In:Er:LiNbO3晶体,获得了In和Er在晶体中的分凝系数.通过测试晶体的吸收光谱和抗光损伤能力,确定In:Er:LiNbO3晶体中In的掺杂阈值浓度为~3mol%,In(3mol%):Er:LiNbO3晶体的抗光损伤能力比Er:LiNbO3提高3个数量级以上.研究了In的掺入使Er:LiNbO3晶体的吸收边移动和抗光损伤能力提高的机理.

关键词: In:Er:LiNbO3 , 晶体生长 , 光损伤 , 阈值浓度

双掺杂铌酸锂晶体的生长及其光折变性质

衍岭 , 刘欣荣 , 王锐 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.008

采用提拉法以固液同成分配比(Li2CO3/Nb2O5=48.6/51.4)生长了Fe掺杂及(Zn,Fe)、(Mg,Fe)和(Ce,Fe)双掺杂LiNbO3(LN)单晶.Ce:Fe:LiNbO3晶体的质量,指数增益系数和衍射效率皆高于Fe:LiNbO3晶体.所测得(Zn,Fe):LN、(Ce,Fe):LN、(Mg,Fe):LN和Fe:LiNbO3晶体的抗光致散射能力分别为8.2×103,3.2×102,8.3×102和1.2×102W/cm3;在488nm光进行的光折变实验中还原处理后的(Ce,Fe):LiNbO3晶体具有最高的二波耦合增益系数,为40.2cm-1,其全息衍射效率可达82.2%;实验结果表明(Zn,Fe):LiNbO3和(Mg,Fe):LiNbO3具有抗光散射能力强,响应时间短的特点,而(Ce,Fe):LiNbO3的增益系数和衍射效率均为最高,明显优于Fe:LiNbO3晶体.

关键词: 双掺杂铌酸锂晶体 , 光折变性能 , 衍射效率 , 引上法晶体生长

激光晶体Zn:Ho:LiNbO3的生长及其光学性能

赵业权 , , 衍岭 , 杨春晖 , 玉恒

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.01.011

在生长LiNbO3晶体过程中掺进ZnO和Ho2O3,生长出Zn:Ho:LiNbO3晶体.测试了Zn:Ho:LiNbO3晶体的双折射梯度、光损伤阈值、吸收光谱和荧光光谱.研究表明,Zn:Ho:LiNbO3晶体是优良的激光介质材料.

关键词: Zn:Ho:LiNbO3晶体 , 光损伤阈值 , 荧光光谱 , 吸收光谱 , 引上法晶体生长 , 激光晶体

Cd:PbWO4晶体的生长及其性质

刘欣荣 , 衍岭 , 杨春辉 , , 王锐 , 陈刚

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.011

采用提拉法生长了Cd:PbWO4晶体,最佳生长工艺参数:液面上和液面下轴向温度梯度分别为40~50 ℃/cm和17~25 ℃/cm,生长速度2~3 mm/h,转速为25~30 r/min,以这一条件生长晶体可克服液流转换,避免由此引起的缺陷.Cd:PbWO4的透过率明显高于各类型未掺杂PbWO4晶体,测得Cd:PbWO4的发光效率为21.2 p.e/MeV,而高纯PbWO4为10.5 p.e/MeV,分析纯退火PbWO4为8.2 p.e/MeV,未退火PbWO4为6.7 p.e/MeV.Cd:PbWO4晶体的平均衰减时间约为10 ns.以上结果表明,Cd:PbWO4是一种良好的闪烁晶体.

关键词: 掺镉钨酸铅晶体 , 发射光谱 , 发光效率 , 闪烁晶体 , 引上法晶体生长

铌酸钾锂晶体的生长与极化的研究

赵业权 , 杨鑫宏 , , 王春义 , 李建立

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.03.017

采用不同成分配比,以Czochralski法生长铌酸钾锂(KLN)晶体,研究生长工艺和成分配比对KLN晶体性能的影响.选用的轴向温度梯度为28~35℃/cm,晶体的旋转速度为5~10r/min;晶体的生长速度与KLN的生长原料的成分有关.采用场冷法对KLN晶体进行极化处理.极化电流密度为2mA/cm3,极化温度为460~340℃.生长出透明的没有裂纹的KLN晶体.

关键词: KLN晶体 , 非线性光学晶体 , 引上法晶体生长 , 极化处理

Eu∶Zn∶LiNbO3晶体全息存储性能的研究

赵业权 , , 杨春晖 , 衍岭 , 玉恒 , 王继扬

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.02.003

在LiNbO3中掺进Eu2O3和ZnO生长Eu∶Zn∶LiNbO3晶体.采用二波耦合光路测试晶体的指数增益系数和衍射效率.以Eu∶Zn∶LiNbO3晶体作为存储元件,实现了全息关联存储.

关键词: Eu∶Zn∶LiNbO3晶体 , 全息存储 , 衍射效率

In:Ce:Cu:LiNbO3晶体的生长及存储性能研究

王军 , , 王锐

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.01.004

在Ce∶Cu∶LiNbO3晶体中掺进In2O3,用CZ法首次生长In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体.对晶体的抗光折变能力、红外光谱、指数增益系数、衍射效率和响应时间进行了测试,结果表明:In(3mol%)∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体的抗光折变能力比Ce∶Cu∶LiNbO3提高两个数量级,其OH-吸收峰由LiNbO3的3484 cm-1移到3508 cm-1,响应速度比Ce∶Cu∶LiNbO3晶体快三倍.对In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体抗光折变能力提高的机理、红外光谱OH-吸收峰紫移的机理进行了研究.

关键词: In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体 , 存储性能 , 响应时间 , 晶体生长

萘普稀土(Ce、Gd)配合物的合成及稳定性研究

陈朝军 , 李俊恒 , 杨秉呼 , 蒋绥萍 , 赵国丁

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2001.05.020

本文合成了萘普稀土(Ce、Gd)配合物,测定了配合物配位数并依据光宪关于水溶液中配合物的吸附平衡理论求得逐级稳定常数βi.

关键词: 萘普 , , , 稳定性

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