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均相系统中汞的氧化实验与热力学平衡计算

罗光前 , 姚洪 , 徐明厚 , 黄永琛 , 闫恒 ,

工程热物理学报

本文采用水平管式电加热炉,使定浓度的单质汞蒸气和各种反应气体的混合气在石英管反应器内发生氧化反应,研究了二价汞的生成比例.实验结果表明HCl对汞的氧化能力在473~873 K区间很低,而Cl2对汞有很强的氧化能力.通过热力学计算对生成的二价汞的具体种类进行推断,还考查了气氛中H2O的存在对汞氧化的影响,计算结果和实验结果基本相符.结果表明,Cl2是汞氧化的重要因素,生成HgCl2(g).HCl对汞的氧化几乎不起作用.Cl2和H2O可能发生反应生成对汞氧化能力低的HCl,从而使汞氧化温度区域向低温转移.

关键词: , 均相反应 , 热力学计算

种基于十八胺的新型复配缓蚀剂的膜性能

查方林 , 曹顺安

腐蚀与防护

研究了种基于十八胺的新型复配缓蚀剂在低温和高温下的膜效果,与传统的纯十八胺和纯咪唑啉膜缓蚀剂进行了对比.利用高压釜模拟现场水汽环境,进行挂片试验.通过憎水性试验、硫酸铜点滴试验、电化学阻抗测量和电镜扫描等手段,综合评价试片的膜效果和保护膜的耐蚀性;通过气相色谱-质谱GC-MS分析复配缓蚀剂挂片试验后的分解产物.结果表明,该复配缓蚀剂在低温和高温下均有良好膜效果,其高温分解产物中不含低分子有机酸等有害物质.该缓蚀剂适用于生产实际,具有重要的应用价值.

关键词: 复配缓蚀剂 , 膜效果 , 分解产物 , 极化阻抗

中深孔爆破井技术在镇沅金矿的应用

于长军 , 金鹏

黄金 doi:10.11792/hj20160811

镇沅金矿目前主要采用无底柱分段崩落采矿法开采,该方法切割天井较多,人工掘进成本高,不安全.次爆破成井具有成本低、效率高、安全性好等特点.提出了爆破井的方案选择、爆破参数设计及计算方法,介绍了现场爆破施工工艺.工程实践表明,中深孔爆破井不仅满足了矿山安全高效的生产需求,也创造了显著的经济效益,具有定的推广价值.

关键词: 切割井 , 中深孔爆破 , , 爆破参数

基于QED软件深孔多孔球状药包爆破井试验研究

刘银朋 , 张小瑞 , 周文超 , 许继康

黄金 doi:10.11792/hj20170109

天井施工是矿山开采过程中的个重要环节,采用深孔多孔球状药包爆破井的方法进行天井施工是种较为新颖的技术.在对爆破漏斗理论进行模拟研究的基础上,通过对不同参数下的爆破设计进行QED软件模拟,进而分析其爆破时的能量分布,降低爆破成井过程中夹滞性对其的影响,提高深孔多孔球状药包爆破井效果.

关键词: 天井施工 , 深孔多孔球状药包 , , 爆破漏斗 , QED软件 , 能量分布

种咪唑啉缓蚀剂在碳钢表面膜的电化学研究

刘建平 , 李正奉 , 周晓湘

腐蚀科学与防护技术

利用动电位扫描法研究了咪唑啉缓蚀剂MCI在碳钢表 面膜的耐蚀性能;通过电化学交流阻抗技术.测量了碳钢表面膜的EIS谱,并提出其特征等效电路.探讨了缓蚀剂在碳钢表面的缓蚀机理.实验结果表明,在高温高压下碳钢表面经咪唑啉缓蚀剂MCI处理成膜后具有很好的耐蚀性能.

关键词: , corrosion inhibition , null

种咪唑啉缓蚀剂在碳钢表面膜的电化学研究

刘建平 , 李正奉 , 周晓湘

腐蚀科学与防护技术 doi:10.3969/j.issn.1002-6495.2003.05.004

利用动电位扫描法研究了咪唑啉缓蚀剂MCI在碳钢表面膜的耐蚀性能;通过电化学交流阻抗技术.测量了碳钢表面膜的EIS谱,并提出其特征等效电路.探讨了缓蚀剂在碳钢表面的缓蚀机理.实验结果表明,在高温高压下碳钢表面经咪唑啉缓蚀剂MCI处理成膜后具有很好的耐蚀性能.

关键词: , 缓蚀作用 , 极化曲线 , 交流阻抗 , 等效电路

CdTe和CdZnTe电子结构及键机理的第性原理研究

曾冬梅 , 孟捷 , 慕银银 , 刘伟光 , 吴本泽 , 庄光程

人工晶体学报

采用基于密度泛函理论的CASTEP程序软件包,计算了CdTe和CdZnTe的能带结构和态密度,研究对比了CdTe 和CdZnTe的分子内键机制.结果表明,在CdZnTe中,Cd eg和Te 5s杂化形成较低的价带,Zn t2g和Te 5pz杂化形成的π键等构成中间价带,Zn 4s和Te 5pz杂化形成的σ键等构成导带.Cd 5s和Te 5s不再杂化,导带底向高能级方向移动.

关键词: CdTe , CdZnTe , 能带结构 , 态密度 , 电子结构

CNGS和CTGS晶体电子结构及键特性的第性原理研究

杨虹 , 黄文奇 , 卢贵武 , 于肇贤

人工晶体学报

采用基于密度泛函的第性原理平面波赝势法对CNGS和CTGS基态的几何结构、电子结构和键特性进行了系统的研究;利用精确计算的能带结构、态密度和所绘制的电荷密度等值线分析了晶体中各元素对总态密度的贡献和杂化特性和晶体中各阳离子的键强度和特点;排列出各键的强弱顺序并指出C位(Ga-O键)、B位(X-O键)和D位(Si-O键)是晶体压电特性的主要来源;计算了其折射率,并与实验数据进行了比较,计算误差小于9%.

关键词: CNGS , CTGS , 电子结构 , 键特性 , 性原理

种新型紫外正型光刻胶膜树脂的制备及光刻性能研究

谢文 , 刘建国 , 李平

影像科学与光化学

本文合成了N-(p-羧基苯基)甲基丙烯酰胺单体,并将其与N-苯基马来酰亚胺共聚得到共聚物聚N-(p-羧基苯基)甲基丙烯酰胺共N-苯基马来酰亚胺(poly(NCMA-co-NPMI)).将此共聚物作为膜树脂,与感光剂、溶剂等复配得到种新型耐高温紫外正型光刻胶.本文探讨了该光刻胶的最佳配方组成和最佳光刻工艺.最佳配方组成为:15%-20%膜树脂,4.5%-6% 感光剂和70%-80%溶剂;最佳光刻工艺为:匀胶30 s(4000 rpm),前烘4 min(90 ℃),感度为30-35 mJ/cm~2,在0.2%TMAH溶液显影10 s和后烘2 min(90 ℃).

关键词: 紫外正型光刻胶 , 光刻

种248 nm光刻胶膜树脂的合成及相关性能研究

刘建国 , 蒋明 , 曾晓雁

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2013.05.349

通过自由基共聚合,制备了前驱体共聚物聚对特丁氧酰氧基苯乙烯-共-N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯,该共聚物可以通过热解而部分脱除酚羟基上的保护基,得到目标共聚物聚对羟基苯乙烯-共-N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯-共-对特丁氧酰氧基苯乙烯.通过对具有合适分子量的目标共聚物的有机溶剂溶解性、热性能、膜性、抗干蚀刻能力和在248 nm处光学吸收(为0.212 μm-1)性能进行研究,表明该聚合物能满足248 nm光刻胶膜树脂的要求;此外,目标共聚物还具有酸致脱保性能.具有合适分子量和脱保率的目标共聚物,通过对其酸解留膜率的测试,推测其可能满足248 nm光刻胶的曝光显影工艺过程.

关键词: 248 nm光刻胶 , 膜树脂 , 聚对羟基苯乙烯-共-N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯-共-对特丁氧酰氧基苯乙烯

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