万红
,
李再轲
,
邱轶
,
斯永敏
中国有色金属学报
采用磁控溅射法制备了TbDyFe超磁致伸缩非晶薄膜,研究了真空热处理退火及软磁性Fe薄膜的交换耦合作用对TbDyFe超磁致伸缩的低场磁致伸缩性能的影响.研究结果表明:真空退火处理通过改善薄膜的微结构及应力状态,有效地提高薄膜了的低场磁敏性能;易磁化方向平行于膜面的软磁Fe膜的复合,使薄膜平行于膜面的易磁化性能大大提高,复合薄膜的强制磁致伸缩系数(dλ/dH)提高3倍以上.单层薄膜厚度越小,交换作用越强,低场磁致伸缩性能越好;当薄膜厚度大于交互作用距离、薄膜的总厚度不变时,单层薄膜的厚度变化对复合薄膜的磁致伸缩性能没有影响.
关键词:
TbDyFe薄膜
,
超磁致伸缩
,
磁控溅射
,
磁性复合
万红
,
邱轶
,
斯永敏
,
赵恂
稀有金属材料与工程
研究了SmCo薄膜的复合及热处理对TbDyFe薄膜磁性及磁致伸缩性能的影响.XRD分析表明制备态的TbDyFe薄膜为非晶态,在450℃退火后,样品仍保持非晶态结构.退火处理减少了薄膜的垂直各向异性,并且退火热应力有利于薄膜的易磁化轴转向膜面,从而提高了薄膜的磁导率和TbDyFe薄膜低场下的磁致伸缩值.磁控溅射的SmCo薄膜有良好的软磁性能,它的复合也能有效地增强TbDyFe薄膜的低场磁致伸缩性能.
关键词:
TbDyFe薄膜
,
超磁致伸缩
,
磁控溅射
谢海涛
,
斯永敏
,
马青松
,
刘希从
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.03.023
基于非晶合金结构微缺陷的Egami模型,本文提出了一个弛豫影响低场下的磁致伸缩性能模型.在此模型中,低磁场下的磁化和磁致伸缩乃是180°磁畴旋转的结果,而180°磁畴的壁移磁化过程将被非晶的结构微缺陷所钉扎,而在较高磁场情况下,不产生磁致伸缩的壁移磁化过程被启动.退火过程将发生非晶相的结构弛豫,使非晶相内由结构缺陷产生的应力降低,从而导致低磁场下的磁致伸缩得以提高.此模型可以很好地解释各工艺状态的Tb0.27Dy0.73Fe2薄膜低场下的磁致伸缩行为.
关键词:
超磁致伸缩
,
薄膜
,
非晶态
,
弛豫
万红
,
斯永敏
,
谢海涛
,
黄锐
金属功能材料
doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2001.03.004
本文采用磁控溅射镀膜技术，制备NdFeB、TbFe单层及TbFe/NdFeB复合薄膜。通过设计正交试验，优化溅射工艺参数。采用振动样品磁强仪、X射线衍射仪对不同热处理温度处理的NdFeB薄膜的磁学性能、晶体结构进行了研究，并采用电容位移测量法对TbFe薄膜和TbFe/NdFeB复合薄膜的磁致伸缩系数进行测量。研究结果表明，NdFeB薄膜和TbFe薄膜为面内易磁化方向，在低于400℃温度下真空热处理，薄膜保持非晶态，显现较好的软磁性能。与TbFe薄膜复合，可以大大降低薄膜的矫顽力，其低场磁致伸缩性能优于TbFe单层薄膜，这为提高TbFe薄膜的低场磁致伸缩性能的研究提供了一条新途径。
关键词:
磁控溅射
,
NdFeB薄膜
,
TbFe薄膜
,
超磁致伸缩
赫荣安
,
胡伟娜
,
李效东
,
斯永敏
,
楚增勇
高分子材料科学与工程
通过沉淀分级和凝胶色谱(GPC)分级制备了窄分布的聚碳硅烷(PCS),并用多角度激光光散射(MALLS)和GPC分别测定其绝对分子量和分子量分布.采用试差拟合的方法定制了PCS的标定曲线,并用该标定由线和普适标定方程,确定了25℃时,PCS在在四氢呋喃(THF)中的Mark-Houwink常数(K=6.8×10-4mL/g,α=0.855).经验证,PCS与聚幕乙烯(PS)在THF中符合瞢适标定关系.
关键词:
聚碳硅烷
,
Mark-Houwink常数
,
分子量分布
刘吉延
,
马世宁
,
斯永敏
,
李长青
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射工艺,由计算机程序控制,在光纤表面制备了厚度均匀的Tb0.29Dy0.71Fe1.8超磁致伸缩薄膜.利用马赫-曾德尔干涉仪,对Tb0.29Dy0.71Fe1.8超磁致伸缩薄膜/光纤传感系统的磁探测性能进行了实验测试.结果表明:在调制频率1 kHz附近,传感系统对磁场具有最大的信号响应;在恒定直流磁场及调制磁场强度小于1 kA/m条件下,系统输出信号大小随调制磁场强度线性增加,但调制磁场强度较大时会引起直流工作点的波动;在35～50 kA/m的直流磁场范围内,系统输出信号随磁场强度的变化率较大,传感系统(对应1 m长传感臂)可探测的最小磁场变化为8.6×10-2 A/m,若采用分辨率为10-6 rad.的干涉仪并增加镀膜光纤的长度和Tb0.29Dy0.71Fe1.8薄膜厚度,则可进一步提高系统的磁探测灵敏度.
关键词:
磁控溅射
,
光纤传感器
,
超磁致伸缩薄膜
,
马赫-曾德尔干涉仪
赫荣安
,
李效东
,
楚增勇
,
斯永敏
,
张晓宾
材料导报
在以氢和天然气为主的车用燃气的存储技术中,吸附存储材料以其密度小、吸脱气体速度快等优点使吸附存储成为一类极具发展潜力的存储技术.详细介绍了活性炭、活性碳纤维、碳纳米管、金属有机物、氮化硼纳米管和玻璃微球等车用燃气吸附存储材料的研究现状,并介绍了碳基材料超临界吸附理论的研究情况,展望了燃气吸附存储材料的研究方向.
关键词:
燃气
,
吸附存储
,
综述
刘吉延
,
斯永敏
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.02.032
分析材料磁化过程中引起磁致伸缩的机理,考虑应力对磁化过程的影响,通过将应力作用等效为磁场,并假设非晶超磁致伸缩薄膜的低场磁化为可逆过程,根据能量最低原理,建立了磁致伸缩薄膜形变与应力之间的关系,给出了表达式.
关键词:
超磁致伸缩
,
非晶薄膜
,
应力
,
等效磁场
万红
,
杨德明
,
卓钺
,
斯永敏
,
费肖卿
,
彭平
稀有金属材料与工程
利用自行设计的一套净成形真空液相压渗工艺装置制备了净成形碳纤维增强铝基复合材料.通过对纤维与颗粒混杂技术、粘结剂的选择、溶胶-凝胶法制备热解碳涂层效果的研究,使制备出的碳铝复合材料的纤维体积分数适中,纤维分布均匀.复合材料的拉伸强度及弹性模量分别达到945 MPa和218 GPa.
关键词:
碳铝复合材料
,
真空液相压渗
,
混杂
,
涂层
吕凤军
,
斯永敏
材料导报
利用射频磁控溅射方法制备了VO2薄膜,通过正交试验设计研究镀膜工艺因素对薄膜导电特性的影响规律.试验结果表明,影响薄膜导电性能的主要因素是热处理温度,其次是衬底的温度,溅射功率和工作压强对薄膜导电性能的影响很小.X射线衍射结果表明,制备的VO2薄膜为非晶体结构,480℃真空热处理后,VO2薄膜结晶良好.由此得到制备VO2薄膜的最优化工艺为:衬底的温度400℃、热处理温度480℃、溅射频率120W和工作气压1.5Pa.
关键词:
VO2薄膜
,
磁控溅射
,
相变
,
热滞回线
