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研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响.实验结果表明,加入H1使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原子比没有改变,均为1.3.FTIR测量表明,样品中Si-H键的密度低于仪器检测限,而添加H2的样品中N-H键密度稍增加.此外,由淀积的氮化硅膜构成的MIS结构的高频C-V测试(1 MHz)显示,当氢气流量从零增加到8 sccm时,高频C-V的回滞幅度从(0.40土0.05)V降低到(0.10士0.01)V.基于这些实验结果和理论分析,表明了加适量H2能够促进弱的Si-Si键以及Si和N的悬挂键向Si-N键转化.

关键词: 等离子增强化学气相淀积 , 氮化硅 , 氢气添加 , 光学带隙 , 高频电容-电压特性

喷墨印刷制备有机薄膜晶体管及其电路的研究进展

张平 , 胡文华 , 景亚霓 , 唐正宁 , 钟传杰

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.01.007

有机薄膜晶体管在大面积柔性显示、柔性电子存储等方面具有广阔的潜在应用前景.喷墨印刷技术由于具有工艺简单、成本低廉、微图形数字化、与柔性衬底兼容等优点而成为一种有效的制造有机电子器件工艺方法.文章综述了近年来基于喷墨印刷技术制备有机薄膜晶体管的研究进展,探讨了在制造过程中存在的问题.

关键词: 喷墨印刷 , 有机薄膜晶体管 , 有机电路 , 微图案化

喷墨印刷沉积的PEDOT/PSS薄膜导电性能

景亚霓 , 胡文华 , 张平 , 魏志芬 , 唐正宁 , 钟传杰

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.05.009

利用压电喷墨印刷技术沉积了PEDOT/PSS有机导电薄膜.研究了退火温度和乙二醇掺杂对薄膜导电性能的影响.实验结果表明:未退火和退火温度为120,140,160℃时,薄膜表面平均粗糙度分别为8.15,4.10,3.36,2.66 nm;乙二醇掺杂使导电激活能由未掺杂时的0.096 eV减小为0.046 eV;电导激活能减小表明PEDOT分子链从低电导率的卷曲构象向高电导率的伸展构象转变;此外,乙二醇掺杂促使PSS与PE-DOT/PSS分离,使团聚的PEDOT/PSS颗粒变小从而分散更均匀,降低了表面粗糙度.

关键词: PEDOT/PSS , 喷墨印刷 , 导电聚合物薄膜 , 导电性能

双层复合有机栅绝缘膜漏电机理的研究

景亚霓 , 王乐

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142905.0681

本文研究了利用旋涂法在硅衬底上制备的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和三氟乙烯-偏氟乙烯的共聚物(P(VDF-TrFE))双层复合绝缘膜的漏电机理,采用这种膜的MIS器件的单位面积电容为32 nF/cm2.电流-电压测试结果显示在不同的电压范围内其漏电曲线出现转折点,反映了这种膜在不同的电场下有不同的漏电机制.对实验结果拟合分析表明,在0～1 V电压范围内,其漏电主要是Poole-Frenkel机制控制;在1～25 V电压范围内,主要是以肖特基发射电流为主;而在35～40 V的电压范围内,绝缘膜漏电流是空间电荷限制电流.

关键词: OTFT , 双层栅绝缘膜 , 漏电机制

Tips-PEN 薄膜载流子迁移率的稳态 SCLC 与阻抗谱法测量的研究

景亚霓 , 滕支刚 , 魏志芬

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142906.1077

利用稳态 SCLC 法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的 Tips-PEN 薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析.测试样品是 p＋ Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag 构成的单载流子器件.稳态 SCLC 法测试的器件Tips-PEN 厚度为87 nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.21×10-5 cm2/(V??s)和0.0024(cm/V)1/2；阻抗谱法测试的器件 Tips-PEN 厚度为827 nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.219×10-5 cm2/(V??s)和0.00347(cm/V)1/2.稳态 SCLC 法得到的场依赖因子较小,呈现较弱的场依赖关系,其原因是为得到无陷阱模式下的稳态 SCLC 需要施加的电场远远高于阻抗谱测量时的电场,以至于注入较高的载流子浓度.这一结果显示了在较高载流子浓度下迁移率与场的依赖变弱,与理论模型和模拟预测的趋势一致.

关键词: Tips-Pentacene , 空间电荷限制电流 , 阻抗谱 , 迁移率

湖北随州硬玉质变霓霞正长岩的岩石矿物特征及应用研究

赵文俞 , 王勤燕 , 陈文怡 , 叶先贤

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2000.02.014

随州硬玉质变霓霞正长岩的岩石组织结构、矿物赋存状态、矿石可选性和玻璃陶瓷原料应用试验研究表明:该资源具有易采易选两大优点,矿石经单一磁选的精矿可作玻璃和陶瓷的原料;同时已反复试验证实该资源可烧成原矿用量达90%的釉面墙地砖.

关键词: 湖北随州 , 硬玉质变霓霞正长岩 , 玻璃陶瓷原料

邓景发先生传略

乔明华 , 许国勤 , 范康年

催化学报 doi:10.1016/S1872-2067(12)60594-4

关键词:

甲基磺酸亚锡与硫酸亚锡镀哑光锡的比较

张振华

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2012.04.007

从实验验证、成本分析两个方面对甲基磺酸亚锡和硫酸亚锡为主盐的镀哑光锡电解液在镀液性能和镀层性能进行比较,验证了甲基磺酸亚锡镀哑光锡在镀层和镀液方面的性能优势,在成本上,对甲基磺酸亚锡镀哑光锡和硫酸亚锡镀哑光锡做对比分析,发现二者成本接近,综合研究结论为:甲基磺酸亚锡为主盐镀哑光锡在未来几年内,有取代硫酸亚锡的趋势.

关键词: 甲基磺酸亚锡 , 硫酸亚锡 , 镀层性能 , 镀液性能 , 成本

短沟道SiC MESFET亚阈值特性

韩茹 , 杨银堂 , 贾护军

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.014

基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及亚阈值电流的变化.栅长越大,温度越高,亚阚值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快.

关键词: 碳化硅MESFET , 沟道电势 , 漏极引致势垒降低效应 , 阈值电压