陈海燕
,
曾键波
,
谢羽
,
路美秀
,
牛艳
,
李霞
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.11.010
为保证Sn-Sb-Cu-Ni合金及焊点在低温环境下使用可靠性,将SnSb 4.5CuNi合金焊料和焊点在25,-10,-20,-60℃恒温环境中进行储存565天后,考察了不同温度下SnSb 4.5CuNi合金微观组织形貌、物相、密度、电导率、抗拉强度和塑性的变化,通过纳米压痕法测量SnSb 4.5CuNi/Cu焊点界面过渡层Cu6Sn5金属间化合物(IMC)的硬度和弹性模量,对焊接接头进行抗拉强度、剪切强度和低周疲劳测试.结果表明:合金主要由SbSn和β-Sn组成,低温处理565天后合金组织形貌逐渐转变为树枝状组织,焊料合金的密度和电导率均随温度降低而升高,表明经低温储存后合金没有发生灰锡转变,但脆性SbSn相析出量的增多和枝晶组织致使铸态合金的拉伸强度降低,增加了合金脆断风险;随着温度的下降,焊接界面IMC层的弹性模量和硬度增大,焊件拉伸破坏模式从焊料内部转为IMC层,断口越趋平整,焊件的抗拉强度、抗剪强度下降,呈现了低温脆性断裂的倾向.
关键词:
无铅焊料
,
显微组织
,
低温脆性
,
纳米压痕测试
,
低周疲劳
孟长功
,
徐东生
,
郭建亭
,
胡壮麒
金属学报
利用离散变分Xa法计算了单晶Ni_3Al的一个原子簇(Ni_(15)Al_(12)),并据此分析了能级结构、电子态密度,计算了Ni_3Al中原子间的键级及相应的组成。键组成分析证明:Ni-Al键与Ni-Ni键具有较好的相似性,p-d键在两种键的组成中都占有较大比例。Ni_3Al的Ll_2结构,使两种相似的键在空间呈均匀分布,宏观上Ni_3Al表现出较高的强度。单晶体良好的韧性归因于Ni-Al键与Ni-Ni键的相似性,方向性较强的共价键在晶界处受到削弱导致多晶体的本征脆性。
关键词:
Ni_3Al
,
energy level structure
,
electronic state density
,
covalent bond
,
bonding characteristic
殷宗莲
,
周学梅
,
王俊芳
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.07.014
目的：研究吸波涂层因物理和化学损伤而导致的失效原因，用于评估吸波涂层的寿命，指导吸波涂层的功能结构优化，提高吸波涂层的使用寿命。方法通过高低温振动双结合、加速人工老化试验等方法和分析涂层失效前后的微观形貌、组成元素，对导致吸波涂层失效的多种因素进行试验验证。结果在固化阶段和高低温振动条件下，涂层因内应力变化导致开裂脱落；在紫外线照射和盐雾作用下，涂层因氧化和盐雾渗透导致粉化、鼓泡。结论建立了吸波涂层失效体系及失效因子，得到影响涂层实效的因素主要为：涂层厚度、附着力、致密度、有机成膜物功能键特性、吸收剂氧化活性等。在吸波涂层设计中，应采用低交联度树脂，降低因固化反应带来的内应力增加；通过减薄增韧，提高涂层的耐高低温交变和振动性能；通过设计耐腐蚀屏蔽层和在表面涂覆高耐侯保护层，提高吸波涂层在大气和介质腐蚀下的使用寿命。
关键词:
吸波涂层
,
失效
,
人工加速试验
,
失效因素
,
失效体系
杨虹
,
黄文奇
,
卢贵武
,
于肇贤
人工晶体学报
采用基于密度泛函的第一性原理平面波赝势法对CNGS和CTGS基态的几何结构、电子结构和成键特性进行了系统的研究;利用精确计算的能带结构、态密度和所绘制的电荷密度等值线分析了晶体中各元素对总态密度的贡献和杂化特性和晶体中各阳离子的成键强度和特点;排列出各键的强弱顺序并指出C位(Ga-O键)、B位(X-O键)和D位(Si-O键)是晶体压电特性的主要来源;计算了其折射率,并与实验数据进行了比较,计算误差小于9%.
关键词:
CNGS
,
CTGS
,
电子结构
,
成键特性
,
第一性原理
曹军
,
丁雨田
,
郭廷彪
材料科学与工艺
为了提高铜线性能及其键合质量,采用拉力-剪切力测试仪、扫描电镜等研究了不同力学性能铜线及相应的键合参数对其键合质量的影响,分析了不同伸长率和拉断力、铜线表面缺陷、超声功率和键合压力对铜线键合质量的作用机制.结果表明：伸长率过小和拉断力过大会造成焊点颈部产生微裂纹,从而导致焊点的拉力和球剪切力偏低;表面存在缺陷的铜线其颈部经过反复塑性大变形会造成铜线表面晶粒和污染物脱落而出现短路和球颈部断裂;键合过程中键合压力过大能够引起的焊盘变形,同时较大的接触应力引起铝层溢出;过大的超声功率使键合区域变形严重产生明显的裂纹和引起键合附近区域严重的应力集中,致使器件使用过程中产生微裂纹而降低器件的使用寿命.
关键词:
伸长率
,
拉断力
,
表面
,
超声功率
,
键合压力
王敬
,
屠海令
,
刘安生
,
周旗钢
,
朱悟新
,
张椿
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.008
用横断面透射电子显微术 (TEM) 研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构.绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀, Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞.
关键词:
硅片键合
,
SOI
,
界面
,
微结构
杜茂华
,
蒋玉齐
,
罗乐
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.015
研究了 Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及 Sn层厚度等因 素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化.实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合 质量的重要因素,在功率 500W、时间 200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键 合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较 小的压力( 0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而 Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度 能够缩短键合时间.在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美军标规定的 6.25MPa的强 度要求(对于 2mm× 2mm芯片).
关键词:
芯片键合
,
等温凝固
,
Cu/Sn体系
,
微结构
